Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.
Saved in:
Date: | 1998 |
---|---|
Main Author: | Губа, С.К. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
by: Костенко, С.П.
Published: (1998) -
Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
by: Ющук, С.И.
Published: (1998) -
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998) -
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)