З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України 2018
Schriftenreihe:	Наука та наукознавство
Schlagworte:	З архівів України
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/142108
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр. // Наука та наукознавство. — 2018. — № 1. — С. 138-57. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-142108
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1421082018-09-27T01:22:49Z З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр. З архівів України 2018 Article З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр. // Наука та наукознавство. — 2018. — № 1. — С. 138-57. — укр. 0374-3896 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/142108 uk Наука та наукознавство Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	З архівів України З архівів України
spellingShingle	З архівів України З архівів України З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр. Наука та наукознавство
format	Article
title	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
title_short	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
title_full	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
title_fullStr	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
title_full_unstemmed	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
title_sort	з історії створення інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.
publisher	Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України
publishDate	2018
topic_facet	З архівів України
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/142108
citation_txt	З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр. // Наука та наукознавство. — 2018. — № 1. — С. 138-57. — укр.
series	Наука та наукознавство
first_indexed	2025-07-10T14:09:22Z
last_indexed	2025-07-10T14:09:22Z
_version_	1837269323357356032
fulltext	138 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України Поява в 1948 р. першого транзистора — результат тривалої робо- ти багатьох видатних учених і фахівців, які впродвж попередніх десятиліть розвивали науку і техніку напівпровідників. Українські вчені зробили помітний внесок в ці галузі (О.Г. Гольдман, С.І. Пе- кар,В.В. Лашкарьов та ін.). У 1941 р. В.Є. Лашкарьов опублікував статтю «Дослідження запірних шарів методом термозонду» і у співавторстві з К.М. Косоноговою — статтю «Вплив домішок на вентильний фотоефект в закисі міді». У 1946 р. В. Лашкарьов від- крив біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму в напівпро- відниках, розкрив механізм інжекції — носіїв струму важливих напівпровідникових транзисторів. В СРСР добре розуміли значення напівпровідникової техніки, але шляхи і методи її розвитку були іншими, ніж у США. Керівницт- во країни усвідомлювало, що для успішного протистояння СРСР США в холодній війні важливо забезпечити розвиток оборонних сис- тем, керованих надійною малогабаритною електронікою. Одним із наслідків «холодної війни» була майже повна економічна та інфор- маційна ізоляція супротивних сторін. Економічні і наукові зв’яз ки були слабкі, а в галузі стратегічно важливих галузей і нових тех- нологій практично — відсутні. Важливі відкриття, винаходи, нові розробки, які могли бути використані у військовій техніці або спри- яти економічному розвитку, засекречувалися, постачання прогре- сивних технологій, устаткування, продукції заборонялося. В резуль- таті радянська напівпровідникова наука і промисловість розви- валися в умовах майже повної ізоляції від того, що робилося в цій сфері в США, Західній Європі і Японії. До початку робіт у СРСР щодо германію і кремнію США про- сунулися далеко вперед у цих напрямах і вже мали кілька типів транзисторів. Але американці не друкували жодних матеріалів з питань технології виготовлення цих приладів або публікували мо- рально застарілі дані. Тому в СРСР всю роботу в цих галузях доводилося будувати заново і значною мірою відтворювати те, що вже зробили амери- канці. При цьому радянські вчені та інженери удосконалювали і розробляли нові типи напівпровідникових діодів і тріодів. Напри- клад, в Інституті фізики АН УРСР було розроблено тріоди, а в З ІСТОРІЇ СТВОРЕННЯ ІНСТИТУТУ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ У 1956–1957 рр. ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 139 З архівів України СКБ-245 Міністерства радіотехнічної промисловості СРСР поставлено їх виробниц- тво для імпульсних схем, що істотно відрізнялися від відомих у США тріодів подібного типу. Ці тріоди дозволили побудувати в СКБ-245 першу в СРСР швидкодіючу елект- ронно-обчислювальну машину «Стріла» на напівпровідникових приладах. Але попри швидке зростання значення напівпровідників для прогресу народного гос- подарства, СРСР серйозно відставав на найважливіших ділянках галузі фізики і техні- ки напівпровідників від зарубіжних країн, передусім від США. Масштаби і темпи розви- тку досліджень і виробництва напівпровідникових приладів, підготовка кадрів у США значно перевищували відповідні показники СРСР. У США розроблялись усі відомі на той час види і типи кристалічних діодів і тріодів, випрямлячів, фотодіодів (германієвих і кремнієвих). Наприклад, згідно з даними їх кількість у США зросла з 8612 тис. штук у 1952 р. до 14150 тис. штук в 1955 р. В 1956 р. лише діодів закуплено 40 млн штук. У США розпочалось виробництво тріодів для роботи на частоті до 1000 мГц, які в СРСР тільки почали розроблятися. Серійним виготовленням напівпровідникових приладів за- ймалися понад 35 фірм, в том числі великі корпорації — КСА, «Сильванія», «Райтеон», «Вестерн електрик», «Дженерал електрик» та інші. Одночасно зі зростанням виробни- цтва напівпровідникових приладів збільшилася кількість їх типів. У продаж надходили понад 200 типів напівпровідникових приладів, випускались також напівпровідникові тетроди 6 типів і фототріоди 12 типів. За даними Міжвідомчої ради з напівпровідни- кової техніки при Міністерстві радіотехнічної промисловості СРСР, відставання СРСР від США в цій галузі в 1955 р. оцінювалося в 4—5 років. СРСР також відставав від США у виробництві таких матеріалів як германій і кремній, які нині є найважливішими напівпровідниковими речовинами. Так, у СРСР в 1956 р. передбачалося виготовити германію близько 500 кг, а в США — 18 т. Не кращи- ми були справи і з отриманням чистого кристалічного кремнію. Меншим було відста- вання у виробництві ряду інших напівпровідникових приладів, наприклад фотоопорів і болометрів. У США виготовлялись фотоопори з телуристого свинцю, придатні для ви- явлення теплових випромінювань, потужністю до 2,10—12,00 Вт. У США було нала- годжено серійне виробництво напівпровідникових болометрів для інфрачервоної техні- ки, водночас як у СРСР вони виготовлялись лабораторними партіями. Тільки в 1957 р. Інститутом фізики АН УРСР заплановано організацію серійного виробництва розро- блених в ньому болометрів. Хоча принципово нових ідей у галузі напівпровідників і напівпровідникових прила- дів у США не висувалось, але внаслідок активізації робіт з розроблення теорій та їх застосування до експерименту, швидкого зростання чисельності теоретичних груп, ос- нащених обчислювальною технікою, провідна роль в теорії напівпровідників починає переходити до США. Велике теоретичне і практичне значення мали дослідження властивостей поверх- ні напівпровідників, які відіграють значну роль у роботі таких важливих приладів як кристалічні діоди, тріоди, фотодіоди. Хоча пріоритет встановлення існування поверх- невих станів належить радянським ученим Фізичного інституту АН СРСР, Інститу- ту фізики АН УРСР, у США роботи в цьому напрямку розвивались із залученням значних наукових сил. Цими дослідженнями займались лабораторії ряду фірм і університетів. У СРСР питання електроніки поверхні розроблялися лише в Інституті фізики АН УРСР, а згодом їх почали розвивати у Фізичному інституті АН СРСР і МДУ [1]. Необхідність розширення робіт з напівпровідникової техніки визнавало і керівни- цтво Академії наук УРСР. Так, 31 травня 1956 р. у доповідній записці до відділу важко- го машинобудування ЦК КПУ академік АН УРСР В.Є. Лашкарьов поставив питання 140 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України про необхідність створення в Україні профільного науково-дослідницького інституту і дослідного заводу напівпровідникових приладів. 20 лютого 1957 р. Інститут фізики АН УРСР надіслав до ЦК КПУ низку матеріалів про стан, перспективи і заходи з по- дальшого розвитку дослідницьких робіт з напівпровідників [2]. В довідці віце-прези ден- та АН УРСР академіка АН УРСР О.Н. Щербаня відділу науки і культури ЦК КПУ детально проаналізовано стан і перспективи розвитку дослідницьких робіт з напів- провідників і подано пропозиції, зокрема про створення Інституту напівпровідників АН УРСР. 5 березня 1957 р. у листі Президії АН УРСР до ЦК КПУ обґрунтовано доціль- ність організації в системі АН УРСР такого інституту. 15 червня 1957 р. вийшла пос- танова Президії АН УРСР «Про виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4 черв - ня 1957 р. «Про розвиток науково-дослідницьких і дослідно-конструкторських робіт з напівпровідникових матеріалів і приладів», у якій передбачалось створення Інститу - ту напівпровідників, переглядалися плани науково-дослідницьких робіт інститутів АН УРСР: фізики, загальної і неорганічної хімії, теплоенергетики, чорної металургії. Створювалася лабораторія напівпровідників у Інституті металокераміки і спецспла- вів АН УРСР. В доповідній записці АН УРСР до ЦК КПУ «Про заходи з виконання по- станови Ради Міністрів СРСР від 4.06.1957 «Про розвиток науково-дослідницьких і дос- лідно-конструкторських робіт з напівпровідникових матеріалів і приладів» від 6 лип ня 1957 р. містилась інформація про заходи щодо виконання вищезгаданої постанови та прохання сприяти передачі Академії наук УРСР приміщення механічного технікуму, що будується в Києві по вул. Ново-Тверській 17, та документації на житловий будинок для Інституту напівпровідників. Президія Академії наук УРСР в серпні 1957 року внесла до ЦК КПУ пропозиції щодо розширення наукових досліджень у галузі напівпровідників, зокрема про створення Інституту напівпровідників АН УРСР. У вересні 1957 р. це пи- тання розглядалось на Секретаріаті ЦК КПУ, і відділу науки і культури ЦК КПУ було доручено розробити і подати детальніші пропозиції з цього питання. Проте 7 жовт ня 1957 р. в листі до ЦК КПУ Президія Академії наук УРСР додатково розглянула питан- ня про створення Інституту напівпровідників і зробила висновок про практичну не- можливість його створення через відсутність приміщення і недостатню матеріальну базу, а також просила зняти з обговорення питання про створення Інституту на- півпровідників. На виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4 червня 1957 р. «Про розвиток науково-дослідницьких і дослідно-конструкторських робіт по напівпровідникових ма- теріалах і приладах» Президія АН УРСР вирішила в межах існуючих штатів АН УРСР організувати в Інституті металокераміки і спеціальних сплавів АН УРСР відділ мета- лургії напівпровідників, в інститутах загальної та неорганічної хімії, теплоенергетики та чорної металургії — відділи, які займатимуться дослідженнями напівпровідникових сировинних ресурсів, розширити матеріальну базу та штати відділу напівпровідників Інституту фізики АН УРСР з тим, щоб упродовж 2—3 років створити необхідні умови для організації Інституту напівпровідників. Тільки 7 жовтня 1960 р. постановою Пре- зидії АН УРСР на виконання постанови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня 1960 р. на базі відділів фізики напівпровідників і теоретичної фізики Інституту фізики АН УРСР організовано Інститут напівпровідників АН УРСР. Нижче наведено 6 архівних джерел із напівпровідникової тематики. ДЖЕРЕЛА 1. ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 137—139. 2. ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 44—91, 192—242. ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 141 З архівів України № 1 ДОПОВІДНА ЗАПИСКА Головного управління в справах літератури і видавництва при Раді міністрів УРСР до секретаря ЦК КП(Б)У А.Д. Назаренка про втручання цензури у видання Академії наук Української УРСР 31 травня 1956 р. В директивах ХХ съезда КПСС предусмотрено широкое внедрение научно-иссле- довательских работ по полупроводниковым приборам, а также расширение их прак- тического применения. Для выполнения этой задачи особое значение имеет проведение академичес- кими институтами и вузами совместно с НИИ и ОКБ министерств-производителей полупроводниковых приборов научно-исследовательских работ по разработке фи- зических основ и конструирования уже известных полупроводниковых приборов, а также изыскания новых. Не меньшее значение имеет параллельное проведение опытно-конструкторских разработок. Окончание научно-исследовательских работ и опытно-конструкторских разработок должно завершаться выпуском опытных партий полупроводниковых приборов. Для успешного выполнения этих работ не- маловажное значение имеет территориальная близость научно-исследовательского учреждения (академического типа), ведомственного НИИ или ОКБ и опытного за- вода, контролируемого НИИ (или непосредственно организованного при НИИ), позволяющая вести разработки с минимальными затратами времени в условиях максимального взаимопонимания между учеными и инженерами. Эти благоприятные условия для развития физики полупроводников и их изме- нений имеются в Москве и Ленинграде, где сосредоточено значительное число учреждений АН СССР, занимающихся полупроводниками, ведомственные НИИ и СКБ соответствующего профиля, а также полупроводниковые производства. В области разработки физики полупроводников наряду с Ленинградом и Мо- сквой многочисленные работы проводятся в Киеве в Институте физики АН УССР, в значительно меньшем масштабе, на кафедре полупроводников КГУ и на кафедрах технической электротехники и диэлектриков КПИ, а также, частично, в Институте электротехники АН УССР. Работы по отдельным вопросам физики полупроводников ведутся в настоящее время и в других местах на Украине в Черновицком, Одесском, Львовском госуни- верситетах. Между тем, в Киеве (как и вообще на Украине) нет ни предприятий, производящих новые полупроводниковые приборы, ни соответствующих НИИ или ОКБ, что заставляет украинских физиков искать связи с ведомственными учрежде- ниями из Ленинграда. Последнее обстоятельство затрудняет, с одной стороны, привлечение украин- ских физиков для участия в решении работ общегосударственного значения по раз- витию исследований и созданию полупроводниковых приборов и, с другой сторо- ны, тормозит развитие физики полупроводников на Украине, требующей самой тесной связи с производством. В Институте физики АН УССР физикой полупроводников занимается экс пе- риментальный отдел, руководимый академиком В.Е. Лашкаревым. Теоретические 142 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України работы по полупроводникам ведутся в отделе, руководимом проф. С.И. Пекарем, а также и в вышеуказанном экспериментальном отделе. За послевоенные годы в Институте физики АН УССР, кроме исследований, имеющих главным образом теоретическое значение, был выполнен ряд работ, важ- ных для применений в различных областях промышленности. К ним относятся: А. В области фотоэлектрических приборов 1. Разработка устойчивых сернисто-серебряных фотоэлементов высокой чув- ствительности к видимому свету и инфракрасным лучам. Производство этих фо то- элементов, производительностью 10000 шт. в год, поставлено при эксперименталь- ном производственном отделе Института физики АН УССР. Фотоэлементы при- меняются для измерительных целей в различных автоматических устройствах. Переход к крупномасштабному производству требует опытно-конструкторской доработки. 2 Разработка фотосопротивлений из монокристаллов сернистого и селенис то- го кадмия, высокочувствительных к видимым и ультрафиолетовым лучам. Мелко- се рийное производство фотосопротивлений из сернистого кадмия поставлено в экспериментальном производственном отделе Института физики АН УССР. Для организации массового производства фотосопротивлений требуется опытно- конст рукторские доработки. Б. В области германиевых точечно-контактных диодов и триодов Институт физики АН УССР выполнил ряд постановлений правительства СССР, в резуль- т ате чего: 1. Институтом физики АН УССР разработан состав германия, легированного микропримесями, пригодный для изготовления выпрямителей и усилителей раз- личных типов. Работа по изготовлению легированного германия внедрена в Госу- дарственном научно-исследовательском и проектном институте редкометалличес- кой промышленности Министерства цветной металлургии СССР. 2. Совместно с СКБ-245 Министерства приборостроения и средств автоматики СССР проведены научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, в результате которых разработаны типы и поставлено производство германиевых то- чечных диодов, а также точечных усилительных и генераторных триодов для мате- матических машин. 4. Институтом физики АН УССР разработаны точечные триоды для быстро- действующих схем переключения. В соответствии с договором о сотрудничестве с СКБ-245 внедрение этих образцов проводится в СКБ-245 с участием Института фи- зики АН УССР. В. По полупроводниковым термосопротивлениям и болометрам. 1. Разработан чувствительный и устойчивый полупроводниковый болометр. Мелкие партии болометров производятся в Институте физики АН лабораторным путем. В настоящее время, наряду с продолжением работ по германию и его примене- нию, а также по усовершенствованию фотосопротивлений и монокристаллов сер- нистого и селенистого кадмия для ультрафиолетовой области спектра, поставлены работы по получению чувствительных датчиков для радиоактивных излучений, а ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 143 З архівів України также исследования сплавов германия и кремния с целью повышения температуро- устойчивости и надежности выпрямителей и усилителей. В плане развития научных учреждений АН УССР предусмотрено создание в г. Киеве в системе АН УССР самостоятельного Института полупроводников. Одно- временно Министерство высшего образования проводит ряд мероприятий по уси- лению работ по полупроводникам в киевских и других вузах Украины. Вышеперечисленные обстоятельства указывают на срочную необходимость организации на Украине, в первую очередь в Киеве, ведомственного НИИ и опыт- ного завода полупроводниковых приборов. В настоящее время Министерство радиотехнической промышленности закан- чивает постройку завода по производству дозиметров, предусмотрев организацию при нем ОКБ. Институт физики АН УССР полагает, что этот завод мог бы служить базой для организации первого на Украине опытного производства полупроводниковых при- боров, на котором достижения физиков Украины могли бы испытываться и вне- дряться с минимальной затратой времени. Со своей стороны, ОКБ при этом заводе могло бы давать полезные рекоменда- ции, влияющие на выбор тематики для научно-исследовательских работ по физике полупроводников. На первых этапах деятельность ОКБ и опытного завода целесообразно напра- вить на производство приборов, основанных на взаимодействии излучений с полу- проводниками. К ним относятся: 1. Фотоэлементы с запорным слоем а. Сернисто-серебрянные (разработки Института физики АН УССР) б. Селеновые (централизованного производства в нашей стране нет. Отдель- ные учреждения выпускают небольшую партию) в. Германиевые (положение то же, что и с селеновыми) 2. Фотосопротивления а. Монокристаллические из сернистого кадмия. (Разработка Института физи- ки АН УССР.) б. Монокристаллические из селенистого кадмия В дальнейшем и из других веществ по мере окончания разработок. 3. Полупроводниковые болометры (Разработка Института физики АН УССР) 4. Полупроводниковые дозиметры и счетчики частиц. (По мере окончания соот- ветствующих разработок) 5. Разработка на полупроводниковых усилителях и выпрямителях различных схем для использования индикаторов излучений: например линейных и пересчетных схем. Один из удобных вариантов пересчетной схемы на германиевых точечных триодах разработан в Институте физики АН УССР. ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4375, арк. 88—94. 144 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України № 2 ДОВІДКА віце-президента АН УРСР О.Н. Щербаня відділу науки і культури ЦК КПУ про стан і заходи щодо подальшого розвитку дослідницьких робіт з напівпровідників 21 лютого 1957 р. Последнее время в развитии физики полупроводников и полупроводниковой тех- нической электроники отмечается большими и важными успехами, выдвинувшими эти области науки и техники в ряд наиболее важных, имеющих первостепенное зна- чение. В настоящее время полупроводники являются центральной проблемой фи- зики твердого тела, в области техники они, наряду с ядерной физикой, становятся определяющими технический прогресс в таких решающих областях, как энергетика, радиотехника, автоматика. Важную и многогранную роль полупроводников в современной технике мож- но оценить хотя бы по простому перечислению технических задач, разрешаемых промышленностью с их помощью. Так, полупроводниковые приборы и аппаратура, основанная на их использова- нии, позволяют осуществлять: а) преобразование переменного тока в постоянный; б) регенерирование и усиление высокочастотных колебаний, без использова- ния электровакуумных приборов; в) преобразование световой, тепловой и электрической энергии, а также энер- гии радиоактивных излучений в электрическую; г) создание с помощью электрического тока источников тепла и холода; д) измерение температуры и освещенности предметов; е) создание мощных потоков электронов в вакуумных приборах; ж) счет ядерных частиц; з) разрешение самых разнообразных задач автоматики и телеуправления; и) концентрацию электрической и магнитной энергии; к) выполнение роли катализаторов в химических производствах и много дру- гих применений. В настоящее время полупроводниковые выпрямители, диоды и триоды, фо то- элементы, фотосопротивления, термогенераторы, термисторы, тензометры, термо- и фотокатоды, люминофоры и другие полупроводниковые приборы и материалы получили широкое распространение и применение. С другой стороны, всестороннее изучение полупроводников в большой мере способствовало развитию теории твердых тел, установлению новых представле ний о закономерностях процессов, протекающих в твердом теле, важных для дальней- шего прогресса физики и техники. Во всех научных и технических успехах в области полупроводников значитель- ная роль принадлежит советским ученым и инженерам. Так, в области теоретических и экспериментальных исследований полупро- водников советскими учеными выдвинуты и разработаны, например, следующие прин ципиально новые идеи и теории: ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 145 З архівів України 1. Идея и теория поляронов и локальных состояний в полупроводниках и ди- электриках, являющиеся в настоящее время приобретением физики (Институт фи- зики АН УССР). 2. Идея и теория экситонного поглощения света (Ленинградский физико-тех- нический институт). 3. Основные идеи и теории выпрямления в контакте металл-проводник и n-p- переходах (Ленинградский физико-технический институт АН СССР, Институт фи- зики АН УССР). 4. Идеи и разработка многоэлектронной теории полупроводников (Уральский филиал АН СССР, ЛГУ, Институт физики АН УССР, МГУ, Черновицкий госуни- верситет и др.). 5. Развитие теории взаимодействия электронов с решеткой полупроводников при высоких температурах (метод шпуров) (Институт физики АН УССР, Институт полупроводников АН СССР). 6. Развитие учения о фотоэлектричестве и электродвижущих силах (Институт физики АН УССР). 7. Открытие явлений парамагнитного и циклотронного резонансов, откры ваю- щих новые пути для исследования свойств полупроводников (Казанский госуни- верситет, Институт радиофизики и электроники АН УССР). 8. Открытие и изучение титанатов бария, оказавших немалое влияние на раз- витие радиотехнических устройств (Физический институт АН СССР). 9. Открытие и исследование электронных состояний на поверхности полупро- водников (Физический институт АН СССР, Институт физики АН УССР). В области полупроводниковой технической электроники советскими физика- ми и инженерами разработаны: 1. Новые типы фотоэлементов и фотосопротивлений (Ленинградский физико- технический институт АН СССР, Институт физики АН УССР). 2. Тезоэлектрики из титанатов бария (Акустический институт АН СССР, Физи- ческий институт АН СССР). 3. Полупроводниковые термоэлементы и термогенераторы (Институт полупро- водников АН СССР) и др. Наряду с этим в нашей стране нашими учеными выполнена большая и трудная работа по созданию и организации производства полупроводниковых приборов из германия и кремния и ряда других полупроводников. К началу работ в нашей стране, в частности в АН УССР, США по работам с германием и кремнием выдвинулись далеко вперед и имели несколько типов таких приборов. Но американцы, по известным соображениям, своих материалов по вопросам технологии изготовления приборов либо совсем не печатали, либо публиковали материалы морально устаревшие. Поэтому в нашей стране всю работу в этой области приходилось строить за- ново и в значительной мере воспроизводить имевшееся в американцев. При этом советские ученые и инженеры вносили известные усовершенствования и разраба- ты вали новые типы диодов и триодов. Например, в Институте физики АН УССР разработаны триоды, а в СКБ-245 Министерства радиотехнической промышлен- ности СССР поставлено их производство для импульсных схем, существенно 146 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України отличающиеся от известных в США триодов подобного типа. Эти триоды позволи- ли построить в СКБ-245 первую в нашей стране быстродействующую вычис ли тель- ную математическую машину на одних полупроводниковых приборах. В настоящее время в нашей стране налажено производство ряда типов гер- маниевых и кремниевых диодов, триодов-выпрямителей, а также полностью разре- шена проблема получения германия, пригодного для изготовления из него любых типов приборов. Однако при таком важном и быстро возрастающем значении полупроводни- ков для прогресса народного хозяйства приходится отметить наличие серьезного отставания на важнейших участках в области физики и техники полупроводников в нашей стране от состояния в зарубежных странах, прежде всего в США. Масшта- бы и темпы развития исследований и производства полупроводниковых приборов, подготовка кадров исследователей в США значительно превышают темпы и масш- табы в нашей стране. Иллюстрацией к этому могут служить, например, следующие факты и данные: 1. Все известные современной технике виды и типы кристаллических диодов и триодов, выпрямителей, фотодиодов (германиевых и кремниевых) разработаны в США. 2. Масштабы и темпы производства полупроводниковых приборов, особенно германиевых и кремниевых кристаллических диодов, триодов, выпрямителей, пре- вышают масштабы в СССР. Так, например, по литературным данным за 1955 год в США возросло с 8612 тыс. штук в 1952 г. до 14150 тыс. штук в 1955 г. В 1956 году закуплено одних диодов 40 млн штук. В США начато производство триодов для работы на частоте до 1000 мегагерц, которые в СССР лишь разрабатываются. Се- рийным изготовлением полупроводниковых приборов занимается свыше 35 фирм, среди них такие крупнейшие корпорации: КСА, «Сильвания», «Райтеон», «Вестерн электрик», «Дженерал электрик» и др. Одновременно с ростом производства полупроводниковых приборов увели- чилось количество их типов; в номенклатуру поступающих в продажу полу про- вод никовых приборов входит более 200 типов; среди них плоскостных — 175, в том чис ле 46 типов на частоте 1,4—30 мегагерц и 23 типа мощных триодов. Вы- пускаются также полупроводниковые тетроды — 6 типов и фототриоды — 12 типов. По заявлению Междуведомственного совета по полупроводниковой технике при Министерстве радиотехнической промышленности СССР, наше отставание от США в этой области в 1955 году определялось в 4—5 лет. За истекшее время это от- ставание, если и сократилось, то не намного. 3. Имеет место отставание от США по производству таких материалов, как германий и кремний, являющихся в настоящее время важнейшими полупровод- ни ко выми веществами. Так, например, у нас на 1956 год предполагалось изгото- вить германия около 500 кг, а в США — 18 тонн (по литературным данным). Не лучше обстоит дело и с получением чистого монокристаллического кремния, крис- таллические изделия из которого по ряду важных характеристик превосходят из- делия из германия. 4. В меньшей мере имеется отставание по производству ряда других полу- проводниковых приборов, например, фотосопротивлений и болометров. В США изготовляются фотосопротивления из теллуристого свинца, пригодные для обна- ружения тепловых излучений, мощностью до 2,10—12 ватта. В США существует ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 147 З архівів України серийное производство полупроводниковых болометров для инфракрасной техни- ки, а у нас они изготовляются лабораторными партиями. Только в этом 1957 году Институтом физики АН УССР запланирована организация серийного произ- водства болометров, разработанных в Институте. 5. Хотя принципиально новых идей в области полупроводников и полу про- водниковых приборов в США пока не выдвинуто, но вследствие широкого разви- тия работ по разработке теорий и ее применения к эксперименту, быстрого роста численности теоретических групп, причем оснащенных вычислительной техни кой, ведущая роль в теории полупроводников начинает переходить к США. Так, прихо- дится отметить, что важные данные для теории полупроводников в США получа- ются с помощью явлений парамагнитного и циклотронного резонансов, открытых в нашей стране, но не получивших должной оценки, развития и применения. Толь- ко в самые последние годы эти исследования начинают получать должное развитие и применение в СССР. 6. Большое теоретическое и практическое значение имеют исследования свойств поверхности полупроводников, играющих большую роль, например, в работе таких важных приборов как кристаллические диоды, триоды, фотодиоды и в развитии ка- талитических реакций на полупроводниках. Хотя приоритет установления существования поверхностных состояний при- надлежит советским ученым Физического института АН СССР, Института физики АН УССР, в США, особенно в самые последние годы, работы в этом направлении развиваются с использованием больших научных сил. Этими исследованиями за- нимаются лаборатории ряда фирм: «Белл-телефон компании», КСА, «Сильвания» и ряд университетов. В нашей стране вопросы электроники поверхности раз ра- батываются лишь в Институте физики АН УССР, и в самые последние годы их на- чали развивать в Физическом институте АН СССР и МГУ. К основным причинам создавшегося отставания нашей науки и техники на ряде важных участков в области полупроводников могут быть отнесены следующие: 1. Трудности военных и первых послевоенных годов серьезно задержали раз- витие исследований в области полупроводников и полупроводниковых приборов. Поэтому в СССР позже, чем в США, смогли приступить к работе, например, в об- ласти физики и производства кристаллических приборов из германия и кремния. По этой причине потребовалось известное время на восстановление и организацию научных исследований и в других областях физики полупроводников. 2. Недостаточное внимание научно-исследовательских институтов к делу по- становки глубоких и перспективных поисковых научных исследований, направ- ленных на выявление и использование новых свойств известных полупроводни- ков, на изыскание и исследование свойств новых полупроводниковых веществ и разработку из них новых полупроводниковых приборов. 3. Совершенно недостаточно количество научных производственных учреж- дений, занятых решением основных проблем науки и техники полупроводников. Так, в УССР по физике полупроводников ведутся исследования в Институ те физики АН УССР, в ограниченных масштабах в Киевском госуниверситете и в весьма скромных масштабах во Львовском и Черновицком университетах. В УССР нет ни одного отраслевого научно-исследовательского института и предприятия по технике полупроводников. 148 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України Между тем уже разработанные в Институте физики АН УССР полупроводни- ковые приборы — фотоэлементы, фотосопротивления, болометры, кристалличес- кие диоды и триоды специальных типов могли бы составить программу для целого предприятия. Из-за отсутствия таких возможностей эти приборы либо совсем не изготовляются, либо изготовляются в виде мелких серий в экспериментально- производственном отделе Института физики АН УССР, которые не могут удовлет- ворить большого и все возрастающего спроса на них. 4. Сотрудничество между научными учреждениями, отраслевыми НИИ, СКБ и промышленными предприятиями не организовано таким образом, чтобы было обеспечено быстрое внедрение в народное хозяйство разработанных приборов. 5. Масштабы и темпы развития полупроводниковых материалов как для на- учных исследований, так и для производства из них приборов не обеспечивают быстрое их развитие. Так, например, Институту физики АН УССР для работ по исследованию гер- мания и разработки из него приборов вместо заявленных на 1957 год 6 кг выделено 2 кг (в 1956 г. было 8 кг), что не позволяет институту не только расширять свои работы в указанном направлении, но и проводить их в объеме прошлого года. Между тем, одним из основных поставщиков исходного сырья для изготовления гер мания является УССР, в частности Одесский филиал Государственного научно-исследо- вательского и проектного института редкометаллической промышленности CCCP. Поэтому организация в УССР производства по получению германия несо- мненно посильна и способствовала бы успеху в развитии работ по полупроводникам. 6. Малое количество физиков, инженеров и техников, занятых решением про- блем физики и техники полупроводников, а также неправильное распределение молодых специалистов в области полупроводников. В УССР подготовка специалистов по полупроводникам проводится в Киев- ском госуниверситете. Однако после окончания университета они далеко не все на- правляются на работу по специальности, и для привлечения нескольких молодых специалистов в Институт физики АН УССР в 1956 году потребовалось вмешатель- ство Совета Министров УССР. К числу важных научных и научно-технических работ, выполнение которых является особо актуальным для обеспечения дальнейшего развития физики и тех- ники полупроводников в нашей стране, включая и УССР, могут быть отнесены следующие: 1. Изыскание и исследование свойств новых полупроводников, которые могут оказаться обладающими новыми свойствами и позволят создавать новые виды и типы приборов. В Институте физики АН УССР ведутся работы в этом направлении. Наряду с изучением и практическим применением для фотосопротивлений и индикаторов радиоактивных излучений сульфидов кадмия, начаты работы по созданию и иссле- дованию селенида, теллурида, кадмия и их гибридов. 2. Развитие теории и практики полупроводников и полупроводниковых при- боров в направлении, обеспечивающем ее роль как одного из важнейших орудий научного исследования, ведущем также и к важным техническим выходам. В Институте физики АН УССР выполнены и ведутся в настоящее время важные по своей оригинальности и научной значимости работы по теории полупроводни- ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 149 З архівів України ков. Однако существующая теория полупроводников не применима для объяснения целого ряда явлений в полупроводниках и требует своего усовершенствования и дальнейшего развития. 3. Разработка и применение новых, более совершенных методов научных ис- следований, как, например, парамагнитный и ядерный резонансы, с использовани- ем более усовершенствованной аппаратуры (масс-спектрографы, электронные мик- роскопы и др.). Необходимо отметить, что специальная радиотехническая и оптическая аппа- ратура для реализации возможностей указанных выше методов выпускается в весь- ма ограниченном количестве и получение ее зачастую практически невозможно. 4. В области физики германия и кремния и изготовления из них приборов требуется: а) Расширение исследований по изучению влияния примесей и различных де- фектов кристаллов на электрические свойства германия и кремния с целью управ- ления их свойствами с помощью вводимых примесей. б) Расширение исследований и разработок методов дальнейшего повышения частотных пределов полупроводниковых приборов. в) Развитие исследований и разработок методов получения электронно- дырочных переходов с заданными свойствами. г) Развитие исследований и разработок, связанных с выпрямлением и усилени- ем при больших уровнях сигналов. д) Развитие работ по разработке схем и приборов с применением полу про вод- никовых приборов. Ряд работ в указанных направлениях ведутся в Институте физики АН УССР и Киевском госуниверситете. 5. В области физики и техники полупроводниковых преобразователей световой, тепловой энергии и энергии радиоактивных излучений в электрическую требуется: а) комплексное исследование фотопроводимости известных и выявленных новых полупроводников и разработка из них эффективных фотосопротивлений, чувствительных в широкой области излучения; б) изыскание, комплексное исследование и применение полупроводниковых веществ в качестве приемников теплового излучения — болометров, термисторов; в) исследования воздействия рентгеновского, гамма- и радиоактивных излуче- ний на полупроводники и разработка их индикаторов; г) исследования фотоэлектрических явлений на контактах явлений металл- полупроводник и электронно-дырочных переходах, в том числе германий и крем- ний, и разработка новых типов вентильных фотоэлементов; д) разработка теории перечисленных выше явлений и приборов — фотосопро- тивлений, фотоэлементов, термисторов, болометров. Работы по ряду перечисленных направлений проводятся в Институте физики АН УССР, КГУ и КПИ. 7.1 В области изучения свойств поверхностей полупроводника и их роли в про- текающих в полупроводнике электронных процессах необходимо: 1 Пункт 6 в тексті відсутній. 150 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України а) Исследование явлений рекомбинации носителей тока на поверхности полу- проводников в зависимости от различных воздействующих на нее факторов, как явления, играющего важную роль в различных полупроводниковых приборах. б) Исследование электроники явлений адсорбции и каталитической реакции на поверхности полупроводников, представляющих важный интерес для химии и катализа. Для улучшения состояния работ по физике и технике полупроводника в УССР и в первую очередь в учреждениях АН УССР, необходимо осуществление следую- щих мероприятий: 1. Расширение научных учреждений и увеличение в них состава физиков и инженеров для более широкой постановки экспериментальных и теоретических исследований и разработок по физике и техническим применениям полупро- водников. 2. Сокращение сроков организации в системе АН УССР Института полупро- водников на базе отдела полупроводников Института физики АН УССР, главной задачей которого должно быть: а) постановка глубоких и перспективных поисковых, экспериментальных и тео- ретических исследований в области физики полупроводников и полу про вод ни- ковых приборов и б) координация работ, ведущихся в этой области научными уч- реждениями и высшими учебными заведениями Украинской ССР. Актуальность и срочность этого мероприятия диктуется еще и тем обстоятель- ством, что с организацией союзного значения — Проектно-конструкторского ин- ститута по созданию приборов и средств автоматики, а также Института комплек- сной автоматизации металлургической, химической и горной промышленности г. Киев превращается в один из ведущих центров нашей страны по созданию при- боров и средств автоматизации, в которых большую роль будут играть разработки и применение полупроводниковых приборов. 3. Организовать в г. Киеве предприятие по изготовлению полупроводниковых приборов, в частности, уже разработанных и частично изготовляемых в Институте физики АН УССР. 4. Организовать в УССР производство полупроводниковых материалов, в пер- вую очередь германия и кремния, а также других, типа оксидов, сульфидов, селени- дов и интерметаллических соединений. 5. Организовать систематическое ознакомление ученых, работающих в УССР по полупроводникам, с работами, ведущимися в этой области в зарубежных странах и, в первую очередь, в странах народной демократии. До настоящего времени такие возможности ученым АН УССР не предоставля- лись. В то же время в течение 1956 г. свыше десятка делегаций, в том числе из стран народной демократии, подробно знакомились с работами, ведущимися по полу- проводникам в Институте физики АН УССР. 6. Улучшить работы по подготовке и распределению кадров специалистов по физике, в направлении их специальной научно-теоретической и практической под- готовки, и направлению на работы по специальности. Вице-президент АН УССР А. ЩЕРБАНЬ ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 132—147. ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 151 З архівів України № 3 ЛИСТ ПРЕЗИДІЇ АН УРСР до ЦК КПУ з обґрунтуванням доцільності організації в системі АН УРСР Інституту напівпровідників 5 березня 1957 р. Сучасна фізика і техніка за останнє десятиліття збагатились великими і важливими успіхами в розвитку фізики напівпровідників і напівпровідникової технічної елек- троніки, завдяки яким ці галузі науки і техніки стали належати до найбільш важли- вих, що мають першорядне державне значення. Зараз напівпровідники є централь- ною проблемою фізики твердого тіла, а в галузі техніки вони є визначальними для технічного прогресу таких важливих галузей техніки, як радіотехніка, автоматика, електротехніка і так звана мала енергетика. […] 2 Зараз в УРСР роботи з фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів провадяться лише в Інституті фізики АН УРСР колективом у 54 чол. Напівпровідниками займаються ще в декількох вузах УРСР (КДУ, КПІ, Львів- ський політехнічний інститут, ЧДУ, ОДУ), але в дуже обмежених обсягах і невели- кими групами співробітників. В УРСР зовсім відсутні галузеві науково-дослідницькі інститути і підприємства з розроблення та виготовлення напівпровідникових при- ладів і апаратури з їх використанням. Між тим, в УРСР при очевидній необхідності є і цілком реальні можливості для значного розширення робіт в галузі фізики і техніки напівпровідників. В теперішній час Інститут фізики АН УРСР має достатньо кваліфіковані кадри, що дозволяє значно розширити роботи з напівпровідників в АН УРСР. Роботи, які були виконані відділом напівпровідників Інституту фізики АН УРСР за останні роки (частина з них відзначена урядовими преміями), не тільки показали достатню кваліфікацію співробітників, а й накреслили перспективні пла- ни подальшого розвитку робіт з напівпровідників. Відділом напівпровідників уже розроблено низку напівпровідникових приладів — фотоелементи, фотоопори, на- півпровідникові болометри, германієві діоди і тріоди спеціальних типів, які змогли б стати програмою для окремого підприємства. Через відсутність можливостей ці прилади або зовсім не виготовляються, або виготовляються в дуже невеликій серії експериментально-виробничим відділом інституту, при наявності дуже великих за- мовлень на ці прилади. В Інституті фізики АН УРСР є група фізиків-теоретиків, якою виконані і ве- дуться важливі за своїм науковим значенням роботи з теорії напівпровідників і на- півпровідникових приладів. Актуальність, терміновість і реальність заходів з розширення робіт з напівпро- відників в АН УРСР диктується ще такими обставинами: Міністерство приладобу- дування і засобів автоматизації СРСР створює в м. Києві два великі інститути — Проектно-конструкторський інститут зі створення приладів і засобів автоматики з великим відділом напівпровідникових приладів і Інститут комплексної автоматиза- 2 Вилучено текст з загальною характеристикою напівпровідників і шляхами їх за сто- сування. 152 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України ції металургійної, хімічної і гірничої промисловості, в роботі якого також значне місце буде приділено напівпровідниковим приладам. Отже, з організацією цих ін- ститутів виникає очевидна необхідність в існуванні в Києві достатньо великого науково-теоретичного центру, який би працював у галузі фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів і розширення галузі їх застосування. Наявність в АН УРСР центру науково-експериментальних і теоретичних до- сліджень в галузі фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів та згада- них вище галузевих інститутів, при тісній взаємодії в їх роботі, а також вузів (КДУ, КПІ), які готують кадри в цій галузі, могла б служити сприятливою основою для створення в м. Києві крупного центру з теоретичного обґрунтування, розроблення та виробництва напівпровідникових приладів і основаних на їх використанні засо- бів автоматизації. Президією АН УРСР в п’ятирічному плані на 1956—1960 рр., схваленому Ра- дою з координації робіт академій союзних республік, заплановано організацію Ін- ституту на базі відділу напівпровідників Інституту фізики АН УРСР, проектування якого зараз провадиться. На Інститут напівпровідників може бути покладено вико- нання таких наукових завдань: 1. Розвідування і дослідження нових напівпровідникових матеріалів для ство- рення: а) нових і більш досконалих перетворювачів електричного струму (випростува- чі, підсилювачі та ін.), б) чутливих індикаторів для різних випромінювань, як корпускулярних, так і електромагнітних, в) ефективних перетворювачів промінястої енергії, а також енергії ядерних пе- ретворювань в електричні. 2. Дослідження дії на напівпровідники потоків часток, утворюваних прискорю- вачами, а також що виникають при ядерних перетвореннях з метою одержання но- вих напівпровідникових матеріалів і управління фізичними властивостями відомих. 3. Теоретичні дослідження електронних процесів у напівпровідниках та на їх поверхні, а також в напівпровідникових приладах та їх експериментальне обґрун- тування. До складу Інституту напівпровідників, поруч із науковими відділами, повинен входити і експериментально-виробничий відділ, який повинен забезпечувати по- точні потреби відділів, а також дослідне серійне виробництво напівпровідникових приладів, що розроблюються в інституті. За першим проектом плану побудови інституту передбачалось здійснити це на протязі поточної п’ятирічки, що відсуває початок його роботи, у кращому випадку, до 1960 року. Значне розширення роботи з напівпровідників у відповідному відділі Інсти- туту фізики АН УРСР, через нестачу приміщень в теперішній час вже є трудним, а через невеликий час стане зовсім неможливим, у зв’язку з запланованим значним розширенням в Інституті фізики АН УРСР робіт з ядерної фізики та будівництвом реактора. У зв’язку з викладеним вище, враховуючи швидкий розвиток фізики і техніки напівпровідників у зарубіжних країнах і недопустимість подальшого відставання в цій галузі науки і техніки, Президія АН УРСР вважає необхідним прискорити ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 153 З архівів України організацію Інституту напівпровідників АН УРСР і просить Вашого сприяння в передачі для Інституту напівпровідників приміщення, яке призначалось для Ме- ханічного технікуму Міністерства місцевої і паливної промисловості УРСР (вул. Но- во-Тверська, 17). Для створення Інституту напівпровідників буде потрібно залучення до його складу значної кількості фізиків і інженерів не тільки тих, що проживають в Києві, але і з різних міст УРСР та за її межами, оскільки наявний склад співробітників від- ділу недостатній для значного розширення робіт у відповідності з названими вище завданнями Інституту напівпровідників. У зв’язку з цим потрібно ще в будівельному сезоні розпочати будівництво жит- лового будинку для запрошуваних співробітників. Надання приміщення і побудова житлового будинку дозволить розпочати ро- боти з фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів за розширеною про- грамою починаючи з 1958 року. Президент Академії наук УРСР академік О.В. ПАЛЛАДІН Головний учений секретар Президії АН УРСР член-кореспондент АН УРСР І.М. ФЕДОРЧЕНКО ЦДАГО України, ф. 1, оп. 31, спр. 685 арк. 70—76. № 4 ПОСТАНОВА ПРЕЗИДІЇ АН УРСР «Про виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4.06.1957 р. «Про розвиток науково-дослідницьких і дослідно-конструкторських робіт з напівпровідникових матеріалів і приладів» 15 червня 1957 р. Рада Міністрів СРСР у своїй постанові від 4 червня 1957 р. «Про розвиток науко- во-дослідницьких і дослідно-конструкторських робіт з напівпровідникових мате- ріалів і приладів» з метою подальшого розвитку науково-дослідницьких і дослідно- конструкторських робіт в галузі напівпровідникових матеріалів і приладів і широ- кого застосування напівпровідникової техніки в народному господарстві встанови- ла завдання на проведення в 1957—1960 рр. важливіших науково-дослідницьких і дослідних робіт в напрямі: а) винайдення і освоєння сировинних ресурсів; б) розроблення методів, технології і приладів для одержання напівпровідни- кових матеріалів і необхідних для їх виготовлення особливо чистих матеріалів і речовин; в) застосування нових напівпровідникових приладів і пристроїв на їх основі. На виконання постанови Президія АН УРСР постановляє: Зобов’язати бюро Відділів — фізико-математичних, технічних та хіміко-геоло- гічних наук та директорів Інститутів — фізики, теплоенергетики, метелокераміки та спецсплавів, загальної та неорганічної хімії, геологічних наук, чорної металургії, Фізико-технічного інституту, які включені в число виконавців рішень Ради Міні- 154 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України стрів СРСР, до 1.07.1957 р. переглянути тематичні плани на 1957—1960 рр. з метою включення відповідних тем з постанови Ради Міністрів СРСР згідно з додатком. 2. З метою виконання постанови Ради Міністрів СРСР та більш широкого роз- витку наукових досліджень в галузі фізики напівпровідників в УРСР створити в 1957 р. Інститут напівпровідників на базі відділу напівпровідників Інституту фізики АН УРСР. З цією метою поставити питання перед Радою Міністрів УРСР про передачу приміщення механічного технікуму, що будується по вул. Ново-Тверській, 17. 3. Для розвитку досліджень в галузі одержання германію із енергетичного ву- гілля в УРСР утворити групи з германію в інститутах: 1) загальної і неорганічної хімії, 2) теплоенергетики, 3) чорної металургії (група чл.-кор. АН УРСР Широкова О.З.). 4. Створити лабораторію напівпровідників в Інституті металокераміки і спец- сплавів АН УРСР. 5. Зобов’язати директорів інститутів фізики, теплоенергетики, металокераміки та спецсплавів, загальної та неорганічної хімії, геологічних наук, чорної металургії, Фізико-технічного інституту, які включені в число виконавців постанови Ради Мі- ністрів СРСР, до 1.07.1957 р. подати відповідні заявки на необхідні штати, облад- нання та матеріали. 6. З метою розширення площі Інституту загальної та неорганічної хімії необхід- но зробити надбудову виробничого корпусу. Звернутися до Ради Міністрів УРСР з просьбою про виділення АН УРСР додатково в Ш кварталі 1957 р. 300 тис. крб. 7. Для розвитку робіт з вивчення селену, телуру та стронцію в Карпатській сму- зі виділити Інституту геології корисних копалин АН УРСР 4 штатні одиниці. 8. Контроль за виконанням цієї постанови покласти на науково-організацій- ний відділ Президії АН УРСР (тов. С.М.Бухало). Віце-президент АН УРСР академік М. СЕМЕНЕНКО В. о. вченого секретаря Президії АН УРСР доктор технічних наук О. МІЛЯХ ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 337—338. № 5 ДОПОВІДНА ЗАПИСКА АН УРСР до ЦК КПУ «Про заходи з виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4.06.1957 «Про розвиток науково-дослідницьких і дослідно- конструкторських робіт з напівпровідникових матеріалів і приладів» 6 липня 1957 р. Постановою Ради Міністрів СРСР від 4.06.1957 р. «Про розвиток науково-до слід- ницьких і дослідно-конструкторських робіт з напівпровідникових матеріалів і при- ладів» на установи Академії наук УРСР покладено ряд надзвичайно важливих за- вдань у галузі напівпровідникових матеріалів і приладів. ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 155 З архівів України Установи Академії наук УРСР у відповідності до цієї постанови будуть вести дослідження більш як за 20 темами в напрямках: а) винайдення і освоєння сировинних ресурсів; б) розроблення методів, технологій і приладів одержання напівпровіднико- вих матеріалів і необхідних для їх виготовлення особливо чистих матеріалів і речовин; в) теоретичних і комплексних досліджень напівпровідників і напівпровідни- кових приладів; г) застосування напівпровідникових приладів і пристроїв на їх основі. Внаслідок виконання цієї постанови наша промисловість і військова техніка збагатяться новими напівпровідниковими матеріалами і приладами, що сприяти- муть в цілому подальшому технічному прогресу і посиленню обороноспроможнос- ті Радянського Союзу. У виконанні постанови Ради Міністрів СРСР від 4.06.1957 р. велику роль пови- нен відіграти Інститут фізики АН УРСР, зокрема його напівпровідниковий відділ. Із 21 теми, які будуть виконуватися установами Академії наук УРСР, 13 тем припадає на Інститут фізики. Відділ напівпровідників цього інституту в своєму складі налічує лише 50 чоловік. При наявній матеріально-технічній базі і чисельності співробітни- ків напівпровідникового відділу Інституту фізики виконати завдання, яке на нього покладається постановою Ради Міністрів СРСР, неможливо. Щоб забезпечити не лише виконання завдань, покладених на АН УРСР поста- новою Ради Міністрів, а також створити умови для більш широкого розвитку до- сліджень в галузі напівпровідників, необхідно розширити матеріально-технічну базу відділу напівпровідників Інституту фізики АН УРСР, Президія АН УРСР на своєму засіданні від 15.06.1957 р. прийняла рішення про створення в 1957 р. Інсти- туту напівпровідників АН УРСР. Академія наук СРСР схвалила нашу ініціативу щодо створення Інституту напівпровідників в УРСР. Значні завдання з розроблення методів одержання особливо чистих, жаростій- ких напівпровідникових матеріалів покладено на Інститут металокераміки і спец- сплавів АН УРСР. Президія АН УРСР прийняла рішення про створення в цьому інституті напівпровідникового відділу металургії. Із 130 тисяч тонн запасу германію у вугіллях Радянського Союзу 90 тисяч тонн його знаходиться в вугіллях України. Тому на установи республіки покладено за- вдання вишукання і освоєння сировинних ресурсів германію за рахунок викорис- тання багатого германієм енергетичного вугілля Донбасу та інших родовищ. Для розроблення цих питань Академія наук організує групи з германію в інсти- тутах неорганічної хімії, теплоенергетики та чорної металургії, комплексуючи одно- часно цю роботу з ВУХІНом та одеським Державним науково-дослідним і проек- тним інститутом рідкіснометалевої промисловості. Будуть також організовані роботи з вивчення інших джерел сировини, розшуку селену, телуру в Карпатській зоні. Щоб забезпечити завдання, покладені постановою Ради Міністрів СРСР, Пре- зидія АН УРСР звернулася до Ради Міністрів УРСР з проханням прийняти рішен- ня, які передбачені проектом постанови, щодо цього додається. Президія АН УРСР просить прийняти рішення про: 1) створення в 1957 році Інституту напівпровідників АН УРСР; 156 ISSN 0374-3896. Science and Science of Science 2018. № 1 (99) З архівів України 2) передачу Академії наук УРСР приміщення механічного технікуму, що буду- ється в м. Києві по вул. Ново-Тверській, 17, передачу документації на житловий будинок, будівництво якого було заплановано на площі механічного технікуму, та про дозвіл Академії наук збудувати цей будинок в 1958 році. Віце-президент АН УРСР Головний учений секретар О. ЩЕРБАНЬ Президії АН УРСР член-кореспондент АН УРСР І.М. ФЕДОРЧЕНКО ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 331—333. № 6 ЛИСТ АКАДЕМІЇ НАУК УРСР до відділу науки і культури ЦК КПУ про неможливість створення Інституту напівпровідників через відсутність приміщення і недостатню матеріальну базу 7 жовтня 1957 р. Президія Академії наук УРСР додатково розглянула питання про створення Інс- титуту напівпровідників і вважає, що створення такого інституту в теперішній час практично неможливе через відсутність приміщення і недостатню матеріальну базу. До створення такої бази наукові дослідження будуть провадитись в Інституті фізики АН УРСР в можливих за наявних умов обсягах. У зв’язку з вищенаведеним просимо не розглядати нашого попереднього листа від 5.03.1957 р. з цього питання. Президент Академії наук УРСР академік О. ПАЛЛАДІН Головний вчений секретар Президії АН УРСР І. ФЕДОРЧЕНКО ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 329. № 7 ДОПОВІДНА ЗАПИСКА відділу науки і культури ЦК КПУ до ЦК КПУ про розвиток наукових досліджень в Академії наук УРСР у галузі напівпровідників 9 грудня 1957 р. Президія Академії наук УРСР в серпні цього року внесла до ЦК КП України про- позиції щодо розширення наукових досліджень у галузі напівпровідників, зокрема про створення Інституту напівпровідників АН УРСР. У вересні 1957 р. це питання розглядалось на секретаріаті ЦК КП України, де було доручено відділу науки і куль- тури розробити і подати більш детальні пропозиції з цього питання. За дорученням відділу науки і культури ЦК КП України Президія АН УРСР детально вивчила і розглянула стан наукових досліджень в галузі напівпровідників ISSN 0374-3896. Наука та наукознавство 2018. № 1 (99) 157 З архівів України та перспективи їх розвитку і прийшла до висновку, що через відсутність необхідної матеріальної бази і наукових кадрів розглядати питання про створення Інституту на півпровідників АН УРСР в теперішній час є недоцільним. З метою виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4 червня 1957 року «Про розвиток науково-дослідницьких і дослідно-конструкторських робіт з напів- провідникових матеріалів і приладів» Президія АН УРСР вирішила в межах існую- чих штатів Академії: 1) Організувати в Інституті металокераміки і спеціальних сплавів відділ мета- лургії напівпровідників, в інститутах загальної та неорганічної хімії, теплоенергети- ки та чорної металургії — відділи, які вестимуть дослідження напівпровідникових сировинних ресурсів; 2) розширити матеріальну базу та штати відділу напівпровідників Інституту фі- зики АН УРСР з тим, щоб на протязі двох-трьох років створити необхідні умови для організації Інституту напівпровідників. В зв’язку з цим Президія АН УРСР просить питання про створення Інституту напівпровідників зараз зняти з розгляду ЦК КП України. Відділ науки і культури ЦК КП України вважає заходи Президії АН УРСР із за- безпечення виконання постанови Ради Міністрів СРСР від 4 червня 1957 року недоцільними. Заст. зав. відділом науки і культури ЦК КП України М. ПОЗДНЯКОВ Зав. сектором відділу науки і культури ЦК КП України В. ПЕЛИХ ЦДАГО України, ф. 1, оп. 24, спр. 4491, арк. 330 Вступ і документи до друку підготував науковий співробітник відділу історії та со- ціології науки ДУ «Інститут досліджень науково-технічного персоналу та історії науки ім Г.М. Доброва НАН України», канд. іст. н. О.Г. ЛУГОВСЬКИЙ.

З історії створення Інституту фізики напівпровідників у 1956–1957 рр.

Institution

Ähnliche Einträge