Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль

Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Томашик, В.Н., Окрепка, Г.М., Томашик, З.Ф., Моравец, П., Гешл, П.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2008
Schriftenreihe:	Поверхность
Schlagworte:	Физико-химия поверхностных явлений
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-146921
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1469212019-02-13T01:23:15Z Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. Физико-химия поверхностных явлений Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после полирования методами металлографического и профилографического анализов. Определены концентрационные границы растворов для химико-динамического полирования рассмотренных полупроводников. Chemical etching of the ZnхCd₁-хTe solid solution single-crystals surfaces in the bromine emerging etchants based on HNO₃–HBr–С₃Н₆О₃ system has been studied. Crystal etching rate dependences has been studied on etchant composition, disc rotation speed and temperature as well as surface status after chemical polishing using metallography and profilography. The etchant optimum compositions have been found for the chemical-dynamic polishing of ZnхCd₁-хTe solid solutions. 2008 Article Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2617-5975 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921 621.794 4 : 546.47/48 24 ru Поверхность Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физико-химия поверхностных явлений Физико-химия поверхностных явлений
spellingShingle	Физико-химия поверхностных явлений Физико-химия поверхностных явлений Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П. Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль Поверхность
description	Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe бромвыделяющими травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверхности после полирования методами металлографического и профилографического анализов. Определены концентрационные границы растворов для химико-динамического полирования рассмотренных полупроводников.
format	Article
author	Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П.
author_facet	Томашик, В.Н. Окрепка, Г.М. Томашик, З.Ф. Моравец, П. Гешл, П.
author_sort	Томашик, В.Н.
title	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
title_short	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
title_full	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
title_fullStr	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
title_full_unstemmed	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
title_sort	формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов znxcd₁-xte травителями hno₃–hbr–этиленгликоль
publisher	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Физико-химия поверхностных явлений
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146921
citation_txt	Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль / В.Н. Томашик, Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, П. Моравец, П. Гешл // Поверхность. — 2008. — Вип. 14. — С. 186-192. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Поверхность
work_keys_str_mv	AT tomašikvn formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT okrepkagm formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT tomašikzf formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT moravecp formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ AT gešlp formirovaniepolirovannojpoverhnostimonokristallovtverdyhrastvorovznxcd1xtetravitelâmihno3hbrétilenglikolʹ
first_indexed	2025-07-11T00:55:10Z
last_indexed	2025-07-11T00:55:10Z
_version_	1837309962192158720
fulltext	Химия, физика и технология поверхности. 2008. Вып. 14. С. 186 – 192 186 УДК 621.794’4 : 546.47/48’24 ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ZnxCd1-xTe ТРАВИТЕЛЯМИ HNO3–HBr–ЭТИЛЕНГЛИКОЛЬ В.Н. Томашик1, Г.М. Окрепка1, З.Ф. Томашик1, П. Моравец2, П. Гешл2 1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины Проспект Науки 41, 03028 Киев, e-mail: okrepka@isp.kiev.ua 2Институт физики Карлового университета ул. Ке Карлову 5, 12116 Прага-2, Чехия Исследован процесс химического травления поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd1-xTe бромвыделяющими травителями HNO3–HBr–этилен- гликоль. Изучены зависимости скоростей растворения кристаллов от состава травителей, скорости перемешивания и температуры, а также состояние поверх- ности после полирования методами металлографического и профилографического анализов. Определены концентрационные границы растворов для химико-динамического полирования рассмотренных полупроводников. Введение Полупроводниковые соединения типа А2В6 и твердые растворы на их основе занимают особое место в современной оптоэлектронике, что связано с их уникальными свойствами. Твердые растворы ZnxCd1-xTe наиболее пригодны для применения при изготовлении детекторов ионизирующих излучений, что обусловлено их способностью работать при комнатных температурах с разрешением по энергии γ-квантов на уровне ≈ 1 % при энергии 662 кэВ [1]. Этот материал обладает лучшими характеристиками по сравнению с Si, Ge, GaAs, HgІ2, PbІ2 и CdTe вследствие сравнительно высокой подвиж- ности носителей заряда, увеличения более чем на порядок электросопротивления и улучшения стабильности спектральных характеристик [2]. Кроме того, монокристаллы ZnxCd1-xTe используются в качестве подложечного материала при изготовлении эпитак- сиальных слоев узкозонных твердых растворов CdxHg1-xTe, являющихся основным материалом для производства ИК-фотоприемников, работающих в спектральных диапа- зонах 1,0 ÷ 2,5 мкм, 3 ÷ 5 мкм и 8 ÷ 14 мкм – так называемых «окнах прозрачности» атмосферы [3]. Качество детекторов и подложек под эпитаксию находится в прямой зависимости от качества самого материала (дефектность структуры, чистота материала), а также от технологии их изготовления (резка слитка, шлифование, полирование поверхности кристалла и нанесение на нее металлических контактов). При создании детекторов и подготовке подложек важную роль играет химическая обработка поверхностей крис- таллов ZnxCd1-xTe, главная задача которой заключается в удалении нарушенного слоя, образующегося в результате предыдущих механических обработок, а также получении высокочистых, максимально совершенных по структуре и однородных по химическому составу поверхностей. С этой целью используют такие методы жидкофазного травления, как химико-динамическое (ХДП) и химико-механическое (ХМП) полирование. Целью настоящей работы является изучение процесса химико-динамического полирования поверхности монокристаллов твердых растворов Zn0,04Cd0,96Te, Zn0,1Cd0,9Te и Zn0,2Cd0,8Te бромвыделяющими водными растворами HNO3–HBr–этиленгликоль (ЭГ), mailto:okrepka@isp.kiev.ua 187 построение диаграмм «состав травителя – скорость травления», установление концен- трационных границ полирующих растворов, определение влияния содержания цинка в составе твердого раствора на процессы травления, исследование состояния поверхности после полирования методами металлографического и профилографического анализов, а также оптимизация составов полирующих травителей для формирования высококачест- венной полированной поверхности. Методика эксперимента Исследования проводили на монокристаллических пластинах Zn0,1Cd0,9Te и Zn0,2Cd0,8Te, выращенных методом Бриджмена, а также Zn0,04Cd0,96Te, полученных из газовой фазы. Для сравнения одновременно изучали также монокристаллы CdTe, выращенные методом Бриджмена, с целью определения влияния содержания цинка в составе твердых растворов ZnxCd1-xTe на их химическое травление водными смесями HNO3–HBr–ЭГ. Травильные смеси необходимого состава готовили из 70 %-ной HNO3 (ос.ч), 40 %-ной HBr (ос.ч) и этиленгликоля (хч.), смешивая их в определенном порядке, в количествах, которые соответствуют объемному соотношению компонентов в травиль- ной композиции, т.е. состав травителя выражали в об. %. После этого приготовленные растворы выдерживали два часа для протекания химического взаимодействия между исходными компонентами травителя: HNO3 + 3HBr = NOBr + Br2 + 2H2O, (1) 2NOBr = Br2 + 2NO. (2) После травления образцы промывали в 0,01 М растворе тиосульфата натрия для полного удаления остатков травителя, затем несколько раз ополаскивали деионизиро- ванной водой и высушивали на воздухе. Химическое травление пластин проводили на установке для ХДП с использова- нием методики вращающегося диска. Детально методика эксперимента описана в [4]. Скорость растворения образцов определяли по уменьшению их толщины с использова- нием многооборотного индикатора 1МИГП с точностью ± 0,5 мкм. Микроструктуру поверхностей ZnxCd1-xTe, полученных после химической обработки, исследовали с помощью универсального контрольного микроскопа Leitz/Laborlux 12HL с цифровой видеокамерой Leica DFC 320 при увеличении от ´50 до ´1500 . Для измерения шерохо- ватости полированной поверхности применяли бесконтактный оптический метод с применением трехмерного поверхностного профилографа “New View 5022S”, позволяю- щего количественно оценить шероховатость поверхности, высоту вертикальных отклонений от средней линии от 1 нм до 5000 мкм при скорости сканирования 10 мкм/с с разрешением 0,1 нм независимо от увеличения. Результаты и их обсуждение При изучении процесса ХДП монокристаллов ZnxCd1-xTe в растворах HNO3–HBr установлено, что наиболее перспективными для создания полирующих композиций со средними скоростями снятия материала (5–15 мкм/мин) являются растворы, содержащие 5 – 12 об. % HNO3. Такие травители обладают скоростью полирования 25 – 35 мкм/мин, однако путем введения в растворы HNO3–HBr растворителя, который способствует уменьшению концентрации активного компонента в травителе, можно достичь меньших значений скоростей полирования и значительного улучшения полирующих свойств. При формировании полирующих травителей HNO3–HBr–растворитель в качестве раствори- 188 теля был использован этиленгликоль, который характеризуется довольно большой вязкостью. Для исследований был выбран концентрационный интервал растворов, ограниченный треугольником АВС, где объемное соотношение компонентов HNO3 : HBr : ЭГ в вершинах АВС составляло соответственно (в об. %): А – 5 : 95 : 0, В – 20 : 20 : 60, С – 12 : 88 : 0. По данным изучения зависимостей скоростей травления от состава травильных композиций с использованием метода симплексных решеток Шеффе [5] построены диаграммы «состав травителя – скорость травления» CdTe и ZnxCd1-xTe в растворах HNO3–HBr–ЭГ при Т = 292 К и скорости вращения диска γ = 86 мин–1, а также определены концентрационные границы полирующих (I) и неполирующих (II) растворов (рис. 1). Как и предполагалось, минимальные скорости растворения CdTe и ZnxCd1-xTe наблюдаются в растворах, обогащенных этиленгликолем (угол В треуголь- ника АВС), а максимальные – в травителях, примыкающих к углу С. Диаграммы для ZnxCd1-xTe отличаются от диаграммы для CdTe размерами и расположением областей неполирующих растворов, а диаграммы для ZnxCd1-xTe отличаются между собой только размерами малой области неполирующих растворов, которая примыкает к углу В. а б в г Рис. 1. Концентрационные зависимости (Т = 293 К, γ = 86 мин–1) скорости травления (мкм/мин) CdTe (а), Zn0,04Cd0,96Te (б), Zn0,1Cd0,9Te (в) и Zn0,2Cd0,8Te (г) в растворах при объемном соотношении HNO3 : HBr : ЭГ в вершинах А, В, С : А – 5 : 95 : 0, В – 20 : 20 : 60, С – 12 : 88 : 0. (I – области полирующих и II – неполирующих растворов). 189 При этом выявлено, что с возрастанием содержания цинка в составе твердого раствора ZnxCd1-xTe наблюдается расширение областей полирующих растворов на соответствую- щих диаграммах и уменьшение скоростей травления в ряду: CdTe → Zn0,04Cd0,96Te → Zn0,1Cd0,9Te → Zn0,2Cd0,8Te. Для монокристаллов CdTe область полирующих травителей ограничена концентрациями (в об. %) (5–20)HNO3 : (20–95)HBr : (0–60)ЭГ за исключением области неполирующих растворов, содержащей (9–17)HNO3 : (34–91)HBr : (0–49)ЭГ. Для моно- кристаллов ZnхCd1-хTe область полирующих травителей ограничена составами (в об. %): (5–17)HNO3 : (44–95)HBr : (0–39)ЭГ, за исключением области, которую занимают непо- лирующие растворы (9–15)HNO3 : (63–91)HBr : (0–22)ЭГ. Следует отметить, что скорости полирования (vпол) в зависимости от природы полупроводникового материала изменяются по-разному: для CdTe в интервале от 4 до 36 мкм/мин, а для твердых раство- ров Zn0,04Cd0,96Te Zn0,1Cd0,9Te и Zn0,2Cd0,8Te − соответственно от 14 до 28, от 12 до 32 и от 10 до 32 мкм/мин. Установлено, что после ХДП растворами, обогащенными ЭГ (угол В треуголь- ника АВС), на поверхности наблюдается перепад высот по длине пластины 1–3 мкм, что, возможно, обусловлено высокой вязкостью травителей и разной доступностью реакционной поверхности в диффузионном отношении. Кроме того, в микромасштабе поверхность монокристаллов после обработки в таких растворах гладкая и зеркальная, тогда как в макромасштабе характеризируется волнистым рельефом, который можно объяснить турбулентным потоком жидкости по поверхности полупроводников [6]. При сравнении приведенных диаграмм (рис. 1) видно, что они похожи между собой, что может свидетельствовать об однотипном механизме взаимодействия выше- указанных полупроводников с изучаемыми растворами, который, вероятно, лимитирует- ся процессами растворения подрешетки теллура. Исследования зависимостей скоростей растворения (v) от температуры и скорос- ти вращения диска (g) проводили в полирующем растворе состава (об. %): 14,3 HNO3 + 55,7 HBr + 30,0 ЭГ. Эти исследования позволяют судить о лимитирующих стадиях процесса растворения [6]. Графические зависимости скоростей растворения от скорости вращения диска, построенные в координатах 211 -- - gn при 36 120g£ £ мин–1, и от температуры в интервале 288 – 308 К в координатах T-1lnn представлены на рис. 2. 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,055 0,060 0,065 0,070 0,075 V -1 , м ин /м км g-1/2, мин1/2 1 2 3 4 3,2 3,3 3,4 3,5 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 ln V [V , м км /м ин ] 103/T, K-1 1 2 3 4 а б Рис. 2. Зависимость скорости растворения (мкм/мин) CdTe (1), Zn0,04Cd0,96Te (2), Zn0,1Cd0,9Te (3) и Zn0,2Cd0,8Te (4) от скорости перемешивания травителя при Т = 293 К (а) и температуры при γ = 86 мин–1 (б) в растворе, содержащем (в об. %) 14,3 HNO3 + 55,7 HBr + 30,0 ЭГ. 190 Поскольку прямые 1 – 4 (рис. 2, а) отсекают отрезки на оси ординат, то согласно [7], можно утверждать, что процессы растворения монокристаллов CdTe и ZnxCd1-xTe в растворах HNO3–HBr–ЭГ лимитируются смешанной кинетикой. Однако значения кажущейся энергии активации (Ea) и логарифма передэкспоненциального множителя (ln CE), которые определены по результатам исследования зависимости v от температуры (рис. 2, б), указывают на лимитирование процесса растворения диффузионными стадиями, так как для всех изучаемых материалов значения Ea < 35 кДж/моль (таблица) [6, 7]. Такое несоответствие результатов можно объяснить преобладанием в смешанной кинетике диффузионных процессов или частичной пассивацией поверхности полупроводников с ростом температуры при их растворении. Таблица. Кажущаяся энергия активации (Еа) и логарифм предэкспоненциального множителя (ln СЕ) процесса растворения CdTe, Cd0,96Zn0,04Te, Cd0,9Zn0,1Te и Cd0,8Zn0,2Te в растворах системы HNO3–HBr–ЭГ Полупроводник Еа, кДж/моль ln CE CdTe 20,8 ± 1,5 11,21 ± 0,61 Zn0,04Cd0,96Te 12,8 ± 1,1 8,11 ± 0,45 Zn0,1Cd0,9Te 20,3 ± 0,7 11,12 ± 0,27 Zn0,2Cd0,8Te 14,5 ± 1,1 8,77 ± 0,44 При разработке полирующего травителя для формирования на его основе полирующих композиций для ХМП монокристаллов Zn0,1Cd0,9Te принято во внимание тот факт, что за счет действия механической составляющей скорость снятия полупро- водникового материала этим методом может быть в несколько раз больше по сравнению с использованием этого травителя для ХДП. По результатам исследований был выбран базовый полирующий травитель (Б), обладающий хорошими полирующими свойствами, состав которого находится в полирующей области треугольника АВС на изолинии, соот- ветствующей vпол = 16 мкм/мин (рис. 1, в). Для уменьшения скорости ХМП и улучшения качества обрабатываемой поверхности в базовый травитель Б непосредственно перед проведением процесса ХМП дополнительно вводили определенное количество ЭГ. Процесс ХМП осуществляли на стеклянном полировальнике, обтянутом тканью, при Т = 295 К и непрерывной подаче травителя со скоростью 2 мл/мин. Результаты металографического и профилографического анализов поверхности Zn0,1Cd0,9Te после ХМП раствором (травитель Б : ЭГ = 1 : 1) подтверждают высокое качество полирования (рис. 3), поскольку ее шероховатость не превышает критерия шероховатости полированных поверхностей полупроводниковых материалов (Ra – 6,6 нм, SRz – 30,1 нм, rms –15,5 нм). Выводы Исследованы процессы химического растворения монокристаллов твердых растворов Zn0,04Cd0,96Te, Zn0,1Cd0,9Te, Zn0,2Cd0,8Te в бромвыделяющих травителях HNO3– HBr–ЭГ. Построены соответствующие диаграммы «состав травителя – скорость травления», определены концентрационные границы полирующих растворов и кинети- ческие ограничения процесса растворения. Установлено незначительное уменьшение скорости травления ZnxCd1-xTe при увеличении содержания цинка в составе твердого раствора. Оптимизированы составы полирующих травителей HNO3–HBr–ЭГ и режимы проведения процесса ХДП. Металлографическими и профилографическими исследо- ваниями состояния поверхности монокристаллов Zn0,1Cd0,9Te после химической обработки методом ХМП разработанными травителями подтверждено высокое качество полученной поверхности. 191 а б Рис. 3. Шероховатость поверхности Zn0,1Cd0,9Te по плоскости (а) и по средней линии (б) после ХМП в травителе состава: (базовый раствор Б : ЭГ = 1 : 1). Литература 1. New compositions for chemical polishing of CdZnTe crystals / O.S. Galkina, N.N. Grebe- nyuk, M.V. Dobrotvorskaya, V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, O.N. Chugai // Functional Materials. – 2002. – V. 9, № 3. – P. 463 – 466. 2. Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В.Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. – 2003. – № 13. – С. 111 – 116. 3. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращи- вания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии: Автореф. дис. … канд. техн. наук: 05.17.01 / Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности ФГУП «Гиредмет». – Москва, 2007. – 24 с. 4. Характер химического взаимодействия монокристаллов CdTe и твердых растворов ZnхCd1-хTe с водными растворами Н2О2-НВr-лимонная кислота / З.Ф. Томашик, И.И. Гнатив, В.Н. Томашик, И.Б. Стратийчук // Журн. неорган. химии. – 2007. – Т. 52, №7. – C. 1234 – 238. 5. Новик Ф.С., Минц Р.С., Малков Ю.С. Применение метода симплексных решеток для построения диаграмм состав-свойство // Заводская лаборатория. – 1967. – Т. 29, № 7. – С. 840 – 847. 192 6. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А. Свердлин, К.Г. Марин. – М.: Радио и связь, 1982. – 136 с. 7. Перевощиков В.А.. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – C. 5 – 29. FORMATION OF THE ZnxCd1-xTe SOLID SOLUTION SINGLE CRYSTAL POLISHED SURFACES WITH THE HNO3–HBr–ETHYLENE GLYCOL ETCHANTS V.М. Tomashik1, G.M. Okrepka1, Z.F. Tomashik1, P. Moravec2, P. Höschl2 1 Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Science of Ukraine Nauky Prosp. 41, 03028 Kyiv-28, e-mail: okrepka@isp.kiev.ua 2Charles University, Faculty of Mathematics and Physics, Institute of Physics Ke Karlovu 5, 12116, Prague 2, Czech Republic Chemical etching of the ZnхCd1-хTe solid solution single-crystals surfaces in the bromine emerging etchants based on HNO3–HBr–С3Н6О3 system has been studied. Crystal etching rate dependences has been studied on etchant composition, disc rotation speed and temperature as well as surface status after chemical polishing using metallography and profilography. The etchant optimum compositions have been found for the chemical-dynamic polishing of ZnхCd1-хTe solid solutions. mailto:okrepka@isp.kiev.ua

Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль

Institution

Ähnliche Einträge