Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium

he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and I...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
Hauptverfasser: Madatov, R.S., Gadzhieva, N.N., Asadov, F.G., Asadova, Z.I.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2018
Schriftenreihe:Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147670
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-147670
record_format dspace
fulltext
spelling irk-123456789-1476702019-02-16T01:26:32Z Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Asadov, F.G. Asadova, Z.I. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of gallium sulphide. Досліджена радіаційна модифікація структури шаруватого кристала GaS методом фур'є-раманспектроскопії в області поглиненої дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад). Встановлено, що при дозах опроміненні Фγ ≤ 50 крад напівширина і інтенсивності раман-ліній, що характеризують шарові коливання, не змінюються, що пов'язано зі стабільністю кристалічної решітки. При поглинених дозах Фγ ≥ 50 крад спостерігаються зміни цих параметрів, що викликано зміною ступеня структурного безладу і, отже, радіаційною структурною модифікацією шаруватого кристала. За фур'є-ІЧ-спектрами відображення виявлено, що гамма-опромінення при дозах Фγ ≥ 50 крад призводить до погіршення поверхневого стану сульфіду галію. Исследована радиационная модификация структуры слоистого кристалла GaS методом фурье-раманспектроскопии в области поглощенной дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад). Установлено, что при дозах облучении Фγ ≤ 50 крад полуширина и интенсивности раман-линий, характеризующие слоевые колебания, не изменяются, что связано со стабильностью кристаллической решетки. При поглощенных дозах Фγ ≥ 50 крад наблюдаются изменения этих параметров, что вызвано изменением степени структурного беспорядка и, следовательно, радиационной структурной модификацией слоистого кристалла. По фурье-ИКспектрам отражения выявлено, что гамма-облучение при дозах Фγ ≥ 50 крад приводит к ухудшению поверхностного состояния сульфида галлия. 2018 Article Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 78.30.Fs; 61.80.Ed; 61.82.Fk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147670 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
Вопросы атомной науки и техники
description he radiation modification of the structure of a layered GaS crystal by the Fourier-IR and Raman spectroscopy methods in the absorbed dose (Фγ = 30…200 krad) of gamma-irradiation was studied. It was established that at irradiation doses of Фγ ≤ 50 krad a half-width and intensities Raman lines and IR adsorption bands the characterizing the layer oscillations does not change, which is due to the stability of the crystal lattice. At absorbed doses of Фγ ≥ 50 krad, changes in these parameters are observed, which lead to a change in the degree of structural disorder and, consequently, of the radiation structural modification of the layered crystal. Fourier-IR reflection spectra revealed that gamma-irradiation at doses of Фγ ≥ 50 krad leads to a deterioration of the surface state of gallium sulphide.
format Article
author Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
author_facet Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Asadov, F.G.
Asadova, Z.I.
author_sort Madatov, R.S.
title Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_short Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_full Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_fullStr Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_full_unstemmed Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
title_sort radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2018
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/147670
citation_txt Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium / .S. Madatov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov, Z.I. Asadova // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 5. — С. 116-120. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT madatovrs radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT gadzhievann radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovfg radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
AT asadovazi radiationmodificationofthestructureoflayercrystalsofsulfidegallium
first_indexed 2025-07-11T02:38:07Z
last_indexed 2025-07-11T02:38:07Z
_version_ 1837316427584897024