Рентгенофотоэлектронная и ОЖЕ-спектроскопия в исследованиях поверхности твердого тела
В статье описаны физические принципы фотоэлектронной рентгеновской и ультрафиолетовой спектроскопии и спектроскопии Оже-электронов. Рассмотрено распределение по кинетической энергии электронов, образующихся в результате внешнего фотоэффекта, и электронов, покидающих атом при релаксации начального с...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2016
|
| Schriftenreihe: | Поверхность |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148506 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Рентгенофотоэлектронная и ОЖЕ-спектроскопия в исследованиях поверхности твердого тела / М.И. Теребинская, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2016. — Вип. 8 (23). — С. 15-49. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | В статье описаны физические принципы фотоэлектронной рентгеновской и ультрафиолетовой спектроскопии и спектроскопии Оже-электронов. Рассмотрено распределение по кинетической энергии электронов, образующихся в результате внешнего фотоэффекта, и электронов, покидающих атом при релаксации начального состояния его остовной оболочки. Обсуждаются явления, определяющие форму, тонкую структуру, а также интенсивность спектральных линий. Подробно анализируются возможности качественного и количественного анализа атомного состава молекулярных систем, «ложные линии», химические сдвиги линий остовных уровней атомов, находящихся в различном химическом окружении. Анализ положения таких линий позволяет установить химический состав поверхности твердого тела и приповерхностной области. Надлежащее внимание уделено квантовохимическим методам нахождения энергии уровней остовных состояний и плотности одноэлектронных уровней валентных состояний, а также подходам, развитым для сравнения экспериментально полученных спектров фотоэлектронной рентгеновской и ультрафиолетовой спектроскопии и спектроскопии Оже-электронов с теоретически рассчитанными. |
|---|