Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"

Виробництво високотехнологічної конкурентоспроможної продукції не має сенсу, якщо при цьому не враховувати прийняті у світі технічні стандарти та стандарти якості. Більш того, інтеграція України у світове товариство неможлива без вирішення всіх питань в галузі стандартизації, сертифікації і захи...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2009
Теми:	Інформаційний розділ
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14855
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" // Наука та інновації. — 2009. — Т. 4, № 1. — С. 91-103. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-14855
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-148552017-02-23T13:39:18Z Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" Інформаційний розділ Виробництво високотехнологічної конкурентоспроможної продукції не має сенсу, якщо при цьому не враховувати прийняті у світі технічні стандарти та стандарти якості. Більш того, інтеграція України у світове товариство неможлива без вирішення всіх питань в галузі стандартизації, сертифікації і захисту прав споживачів. В повній мірі ці вимоги відносяться також до одного із найбільш перспективних науково- технічних напрямів по створенню вітчизняної сенсорної продукції. 2009 Article Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" // Наука та інновації. — 2009. — Т. 4, № 1. — С. 91-103. — укр. 1815-2066 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14855 uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Інформаційний розділ Інформаційний розділ
spellingShingle	Інформаційний розділ Інформаційний розділ Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
description	Виробництво високотехнологічної конкурентоспроможної продукції не має сенсу, якщо при цьому не враховувати прийняті у світі технічні стандарти та стандарти якості. Більш того, інтеграція України у світове товариство неможлива без вирішення всіх питань в галузі стандартизації, сертифікації і захисту прав споживачів. В повній мірі ці вимоги відносяться також до одного із найбільш перспективних науково- технічних напрямів по створенню вітчизняної сенсорної продукції.
format	Article
title	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
title_short	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
title_full	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
title_fullStr	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
title_full_unstemmed	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
title_sort	інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів"
publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Інформаційний розділ
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14855
citation_txt	Інформаційні матеріали про підсумки виконання науково-технічної програми "Розробка науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" // Наука та інновації. — 2009. — Т. 4, № 1. — С. 91-103. — укр.
first_indexed	2025-07-02T16:22:44Z
last_indexed	2025-07-02T16:22:44Z
_version_	1836553107602931712
fulltext	91 КОНЦЕПЦІЯ ПРОГРАМИ Виробництво високотехнологічної конкурентосп� роможної продукції не має сенсу, якщо при цьому не враховувати прийняті у світі технічні стандарти та стандарти якості. Більш того, інтеграція України у світове товариство неможлива без вирішення всіх питань в галузі стандартизації, сертифікації і захисту прав споживачів. В повній мірі ці вимоги відносяться також до одного із найбільш перспективних науково� технічних напрямів по створенню вітчизняної сен� сорної продукції. Аспект сертифікації набуває особливого значення в останній час, оскільки розвиток вітчизняних серти� фікованих технологій є єдиною можливістю уникну� ти зайвих витрат на адаптацію продукції до світових ринків, захисту власних споживачів та товаровироб� ників. Проте в Україні на сьогодні відсутня міжна� родна система контролю сертифікації в електронній промисловості, а використання старих стандартів не відповідає вимогам міжнародного ринку напівпро� відникових матеріалів і приладів. Суть сертифікації полягає в тому, що якість про� дукції незалежно від місця та часу її виготовлення визначається за єдиною процедурою з допомогою спеціальних засобів (еталонів та мір), параметри яких суворо контролюються державними органами. Створення в державі, наприклад, декількох сертифіка� ційних центрів для визначення якості напівпровідни� кових матеріалів, оптоелектронних виробів, сенсорів та сенсорних систем дозволить досягнути міжнарод� ного рівня якості, що значно підвищить конкуренто� спроможність вітчизняних виробів. В економічно розвинених країнах світу система контролю параметрів матеріалів та сертифікації про� дукції є важливою складовою виробництва, яка за� безпечує високу якість виробів, їх конкурентоспро� можність і відповідну ціну. Зокрема, система серти� фікації напівпровідникових матеріалів та виробів електронної техніки базується на міжнародних стан� дартах і реалізується розгалуженою структурою вип� робувальних лабораторій, що існують при провідних наукових та виробничих центрах. З розвитком нау� ково�технічного прогресу розширюється номенкла� тура матеріалів, що потребують точного контролю параметрів і, як наслідок, розробки нових методик, унікального атестованого обладнання. Нагальною проблемою на сьогодні є розробка експресметодик для параметричного моніторингу в екології та про� мисловості. Крім того, випробування і сертифікація потребу� ють наявності висококваліфікованого персоналу. Програма "Розробка науково�технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю парамет� рів напівпровідникових матеріалів, структур і прила� дів" має науково�прикладний характер і орієнтована на розробку та створення систем контролю параметрів матеріалів, електронної техніки, устаткування, засобів сертифікації і метрології в галузі сенсорної техніки. Мета програми знаходиться у руслі світових науково� технічних тенденцій: створення інтелектуальних тех� нологій та міжнародна уніфікація виробництва про� мислових виробів, оптимізація технологічних проце� сів у промисловості та сільському господарстві. Державний замовник програми — Національна ака� демія наук (НАН) України. Орган управління вико� нанням програми — Інститут фізики напівпровідни� ків ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (ІФН НАНУ). Основні виконавці програми — ІФН НАНУ та Інсти� тут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України (ІМФ НАНУ). У виконанні більшої частини проек� тів брали участь 6 академічних установ, 4 університе� ти та близько 15 галузевих установ. ІНФОРМАЦІЙНІ МАТЕРІАЛИ про підсумки виконання науково"технічної програми "Розробка науково"технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" Наука та інновації. 2009. Т 5. № 1. С. 91–103. Інформаційний розділ Керівник програми — директор Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України чл.�кор. НАН України В.Ф. Мачулін, координатор програми — керівник Відділення технологій і мате� ріалів сенсорної техніки Інституту фізики напівпро� відників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України чл.�кор. НАН України Є.Ф. Венгер. Фактичні обсяги фінансування програми склада� ли 16 723,9 тис. грн., в тому числі на першому етапі (2001—2005 рр.) — 9 854,9 тис. грн.; на другому етапі (2006—2007 рр.) — 6 869,0 тис. грн. По программі виконано 26 проектів (Етап 1) і 22 проекти (Етап 2) за трьома основними напрямами� розділами. Нижче наведено основні результати, от� римані за роки виконання проектів. Р Е З У Л Ь Т А Т И Р о з д і л 1 РОЗРОБКА ДІАГНОСТИЧНИХ МЕТОДІВ, УСТАТКУВАННЯ ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ СТРУКТУРНИХ, ОПТИЧНИХ ТА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ВИХІДНИХ МАТЕРІАЛІВ СЕНСОРНОЇ ТЕХНІКИ Е Т А П 1 Проект "Розробка комплексу методів сертифі� кації кремнію та напівпровідникових структур на його основі в технологіях мікроелектроніки та пе� ретворювачів сонячної енергії" (ІФН НАНУ; керів� ники — чл.�кор. НАН України В.Г. Литовченко, І.П. Лі� совський). Розроблена методика визначення концентрації кис� ню, що є преципітованим у Si—O�фазі пластин Cz— Si. Розроблена і створена установка для визначення довжини дифузії та часу життя нерівноважних носіїв заряду в кремнії. Проведена атестація зразків крем� нію різного типу (монокристалічний, полі� та муль� тикристалічний), в тому числі, підданих обробкам, які є типовими для технології виготовлення перетво� рювачів сонячної енергії. За проектом отримано експериментальний зразок приладу; опубліковано статей — 7, в тому числі в за� рубіжних виданнях — 3; результати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка неруйнівних методів і засобів визначення і контролю основних параметрів фото� чутливості інфрачервоних напівпровідникових ма� теріалів і структур та приладів на їх основі" (ІФН НАНУ; керівник — О.І. Власенко). Створено макет установки для визначення та конт� ролю оптичних і фотоелектричних параметрів напів� провідників і приладних структур інфрачервоної фо� тоелектроніки. Розроблено методику вимірювання їх спектральних, температурних, електропольових, інтен� сивністних, кінетичних і стаціонарних характеристик фоточутливості, а також відбивальної здатності та не� лінійного поглинання при дії імпульсного лазерного випромінювання. Визначено функціональні парамет� ри багатокомпонентних вузькощілинних напівпро� відників. По проекту виготовлено експериментальний ма� кет установки; опубліковано статей — 14, в тому чис� лі в зарубіжних виданнях — 3; результати обговорено на 6 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів контролю локально� го розподілу домішок і дефектів та їх впливу на властивості у складних сполуках А3В5 і А2В6" (ІФН НАНУ; керівники — К.Д. Глинчук, О.Г. Коллюх). Вдосконалено фотолюмінісцентний метод контро� лю вмісту домішок і дефектів в сполуках А3В5, А2В6 та визначення складу потрійної сполуки Cd1—xZnxTe. Досліджено вплив ряду різних дефектів, домішок на властивості кристалів GaAs та СdTe. Визначено вплив різних термообробок на стан домішок та де� фектів в таких кристалах. Запропоновано методику оцінки якості кристалів СdTe та Cd1–xZnxTe по їх опору і фоточутливості (добутку рухливості на час життя носіїв струму). За проектом отримано патентів — 1; опубліковано статей — 12, в тому числі в зарубіжних виданнях — 11; результати обговорено на 6 міжнародних конфе� ренціях. Проект "Розробка методики діагностики якос� ті об'ємних монокристалів оптичного германію по величині розсіювання інфрачервоного випроміню� вання" (ІФН НАНУ; керівник — Г.С. Пекар). Вирішено проблему експресної діагностики якості об'ємних оптичних матеріалів за величиною розсію� вання інфрачервоного випромінювання на локаль� них ділянках, а саме розроблено оригінальну методи� ку та апаратуру для вимірювань величини розсіюван� ня. За ступенем інформативності та експресності розроблена методика набагато перевищує раніше зас� тосовувані способи діагностики оптичних матеріалів для інфрачервоної оптики і рекомендується для ви� користання у лабораторних та промислових умовах з метою діагностики різних оптичних матеріалів. Роз� роблені методику та апаратуру впроваджено для діаг� ностики монокристалів оптичного германію. Загаль� ний обсяг експортованих кристалів оптичного гер� манію з визначеною за розробленою методикою величиною розсіювання інфрачервоного випроміню� вання становить 500,0 тис. гривень. Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 200992 Проект "Розробка експресної методики неруй� нівної діагностики якості напівпровідникових лю� мінесцентних матеріалів" (ІФН НАНУ; керівник — О.Ф. Сингаївський). Розроблено експресну методику та апаратуру для неруйнівної діагностики якості напівпровідникових люмінесцентних матеріалів, таких, як матеріали груп А2В6, А3В5, германій, кремній тощо. Високий ступінь експресності, а також конструктивна компактність ус� тановки дозволяють рекомендувати розроблені мето� дики та апаратуру для використання у лабораторних та промислових умовах. Система реєстрації та цифро� вої обробки відеозображень є інваріантною стосовно джерела світіння і може бути використана при роз� робці методів вимірювань інших оптичних характе� ристик об'єктів, таких, як однорідність оптичного про� пускання, відбивання, розсіювання тощо. Методику та апаратуру впроваджено для неруйнівної діагностики монокристалів оптичного германію оригінального хімічного складу, дрібносерійне виробництво яких на� лагоджено у інституті. Загальний обсяг експортованих кристалів оптичного германію з визначеним за розроб� леною методикою ступенем однорідності становить 200 тис. гривень. Проект "Розробка технології виробництва висо� коомних монокристалів твердих розчинів CdZnTe методом Бріджмена під високим тиском (БВТ)" (ІФН НАНУ; керівник — В.М. Томашик). Запропонована методика синтезу однорідних за хімічним складом твердих розчинів Cd1–xZnxTe із ви� хідних елементів, встановлено технологічні режими синтезу шихти твердих розчинів. Розроблено метод вирощування монокристалів Cd1–xZnxTe (х = 0,04) із власних розплавів під високим тиском інертного га� зу. Підібрано хімічні склади поліруючих і селектив� них травників для дослідження мікроструктури кристалів Cd1–xZnxTe. Розроблено аналітичну мето� дику визначення концентрації Zn в твердих розчинах Cd1–xZnxTe. Створена установка для хімічної різки зливків Cd1–xZnxTe на пластини. За проектом опубліковано 7 статей, в тому числі в зарубіжних виданнях — 4; результати обговорено на 2�х міжнародних конференціях. Проект "Розробка експериментальної установ� ки для оптичної діагностики випромінюючих се� редовищ у ближній ІЧ�області спектру на основі напівпровідників А2В6 з домішками перехідних ме� талів" (ІФН НАНУ; керівник — чл.�кор. НАН України М.Я. Валах). Створена установка для дослідження спектрів вип� ромінювання в ближній інфрачервоній області 0,9— 4 мкм на основі монохроматора МДР�12. Оптична частина розробки включає систему збираючих дзер� кал для фокусування випромінювання протяжних об'єктів на малі площадки напівпровідникових фо� топриймачів Ge, PbS та PbSe. В системі реєстрації використано термоелектричне охолодження фотоп� риймачів та розроблений мініатюрний попередній підсилювач синхро�нно детектуємих сигналів. Апро� бація установки реалізована під час діагностики ма� теріалів А2В6, легованих перехідними металами, які випромінюють в спектральній області 1,5—3 мкм. Отримані результати свідчать про високу чутливість та роздільну здатність виготовленої установки в да� ному діапазоні. Проект "Розробка методів контролю парамет� рів напівпровідникових детекторів іонізуючого вип� ромінювання" (ІФН НАНУ; керівник — Д.В. Корбутяк). Розроблений і введений в дію високочутливий лю� мінесцентний метод діагностики напівпровідникових матеріалів з точки зору їх придатності для виготовлен� ня детекторів іонізуючого випромінювання та методи контролю параметрів детекторів в процесі їх експлуа� тації в дозиметричних приладах. Запропонований ме� тод є безконтактним, експресним і може бути викорис� таний для відбраковки "некондиційних" заготовок де� текторів на початковій стадії їх виготовлення. За проектом опублікована монографія; виготовлено експериментальний зразок установки; опубліковано статей — 21, в тому числі в зарубіжних виданнях — 3; ре� зультати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів та обладнання для безконтактного вимірювання мікрохвильової фо� топровідності у напівпровідникових матеріалах у Q�діапазоні" (ІФН НАНУ; керівник — С.М. Лукін). Розроблено, виготовлено та захищено патентом на корисну модель НВЧ�резонатор для вимірювання ЕПР та фотопровідності. Розроблено та виготовлено дже� рело НВЧ�випромінювання 8 мм діапазону підвище� ної потужності для вимірювання фотопровідності на� півпровідників. Створена установка для реєстрації фотопровідності безконтактним методом. Обладнан� ня апробовано при вимірюванні часових залежностей фотопровідності у високочистих зразках карбіду кремнію. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальних зразків приладів — 2; опублікова� но статей — 4, в тому числі в зарубіжних виданнях — 4; результати обговорено на 4 міжнародних конфе� ренціях. Проект "Розробка високоенергетичних спект� ральних методів сертифікації неупорядкованих структур" (ІМФ НАНУ; керівник — акад. НАН Ук� раїни А.П. Шпак). Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 93 Адаптовано методику EXAFS�експерименту за до� помогою Фур'є�перетворення для виділення внеску окремих координаційних сфер для обробки експери� ментальних спектрів. Розроблена методика дозволить вивчати структуру невпорядкованих систем та нано� систем, що іншими методами зробити неможливо. Створено нову методику обробки рентгенівських плі� вок та пластин з використанням сучасної комп'ютерної техніки, що дозволяє істотно скоротити витрати часу на метрування плівки. Методика може бути використа� на у рентгенівській емісійній спектроскопії, дифрак� тометрії, структурному аналізі і для будь�якого су� часного фізичного експерименту, де необхідно про� водити метрування плівок та пластин. За проектом виготовлено експериментальних зраз� ків приладів — 2; опубліковано статей — 2; результати обговорено на 4 міжнародних конференціях. Проект "Створення вимірювального комплексу для електрофізичної діагностики матеріалів для напівпровідникових сенсорів іонізуючого випромі� нювання" (ІФН НАНУ; керівник — В.М. Бабіч). Створено вимірювальний комплекс для визначення основних електрофізичних параметрів напівпровідни� кових матеріалів, що базується на методиці ефекту Холла при поєднанні з методикою вивчення пєзогаль� ваномагнітних ефектів в умовах одновісної механічної деформації. Вимірювальний комплекс дозволяє прово� дити дослідження в магнітних полях 0…2 Тл при вико� ристанні широкого діапазону температур 4,2…300 К та механічних напружень в межах 0…1,5 ГПа, а також в умовах освітлення зразка. За проектом виготовлено експериментальний комплекс; опубліковано статей — 6, в тому числі в за� рубіжних виданнях — 2; результати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Е Т А П 2 Проект "Одержання та паспортизація еталон� ного ряду монокристалічних зразків і реалізація методики експрес�вимірювань величини інтег� рального розсіювання випромінювання в криста� лах германію" (ІФН НАНУ; керівник — Г.С. Пекар). За допомогою розробленого оригінального техно� логічного методу вирощування кристалів оптичного германію виготовлено еталонний ряд зразків діа� метром 30 мм з питомим електричним опором від 4 до 40 Ом·см при дискретності опору 4 Ом·см. Прове� дено паспортизацію еталонних зразків за значеннями 8 фізичних параметрів. Розроблено експресну методи� ку діагностики якості об'ємних монокристалів оптич� ного германію за величиною розсіювання інфрачерво� ного випромінювання з довжиною хвилі, що лежить у діапазоні практичного застосування оптичного гер� манію (2—11 мкм). Створені еталонний ряд і методи� ка експрес�вимірювань впроваджено для неруйнівної діагностики пластин оптичного германію, який екс� портовано за міжнародним контрактом на загальну суму 375,0 тис. гривень. Проект "Розробка люмінесцентних методів діаг� ностики поверхні та мікронеоднорідностей нано� структур на основі напівпровідникових сполук А2В6, А3В5" (ІФН НАНУ; керівник — Д.В. Корбутяк). Розроблено метод діагностики мікронеодноріднос� тей квантових ям в напівпровідникових надгратках ме� тодом поляризованої фотолюмінісценції. Метод ґрун� тується на вимірюванні кутової залежності ступеня лі� нійної поляризації екситонної фотолюмінісценції та узгодження експериментальних залежностей з розра� хованими теоретично. Встановлено, що лінійна поля� ризація, викликана коругованістю інтерфейсу, спос� терігається при детектуванні фотолюмінісценції навіть в напрямку, перпендикулярному до поверхні зразка, коли дія інших механізмів поляризації відсутня. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальний зразок установки; опубліковано статей — 8, в тому числі в зарубіжних виданнях — 2; ре� зультати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка лазерного віброметра для ви� мірювання коливань поверхні з надвисокою чутли� вістю" (ІФН НАНУ; керівник — Ю.Г. Серьожкін). Розроблено та створено макетний зразок лазерного віброметра з енергетичною чутливістю 2·10–17 Вт/Гц та рівнем шуму менше 0,01 нм для смуги частот 0 Гц < f < < 10 КГц. За допомогою віброметра досліджено коли� вання суцільних поверхонь, ансамблів частинок нано� мікронних розмірів та поверхонь біологічних об'єктів. За такими параметрами, як енергетична чутливість і відношення сигнал/шум, розроблений віброметр пе� ревершує зарубіжні аналоги (рис. 1). За проектом виготовлено експериментальний зра� зок віброметра; опублікована 1 стаття в зарубіжному виданні; результати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка експресної методики неруйнів� ної діагностики величини направленого пропускан� ня інфрачервоного випромінювання в кристалах германію" (ІФН НАНУ; керівник — О.Ф. Сингаївський). Створено оригінальну методику експресної діагнос� тики якості об'ємних монокристалів оптичних матеріа� лів по величині направленого пропускання інфрачер� воного випромінювання, розроблено та виготовлено апаратуру для вимірювань направленого пропускання інфрачервоного випромінювання у оптичному герма� нії. За ступенем точності та експресності розроблена Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 200994 методика вимірювань набагато перевищує раніше зас� тосовувані способи діагностики оптичних матеріалів для інфрачервоної оптики. Розроблені методику та апаратуру впроваджено для неруйнівної діагностики монокристалів оптичного германію, дрібносерійне ви� робництво яких налагоджено у інституті. Загальний обсяг експортованих кристалів оптич� ного германію з визначеною за розробленою методи� кою величиною світлорозсіювання становить 1,5 млн. гривень. Проект "Розробка високочутливих методів рен� тгеноакустичної та АСМ�діагностики пружно�де� формованого стану кристалів та гетерострук� тур" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. НАН України В.Ф. Мачулін, В.П. Кладько). Розроблені комплексні методи контролю струк� турних параметрів як матеріалів, так і виробів мікро� та наноелектроніки. Розроблено методики Х�дифрак� тометрії, тензометрії кристалів та гетеросистем, алго� ритми та програмне забезпечення для розрахунку та графічного представлення результатів. Такі методи є першими не лише в Україні, але й за кордоном. За проектом виготовлено експериментальних зраз� ків приладів — 2; опубліковано статей — 13, в тому числі в зарубіжних виданнях — 8; результати обгово� рено на 9 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів сертифікації та атес� тації кальцій�фосфатних матеріалів для імплан� татів" (ІФН НАНУ; керівник — К.М. Калабухова). Розроблено вимоги та технічну базу для сертифіка� ції та атестації матеріалів перспективних для імплан� татів методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та інфрачервоної (ІЧ) спектроскопії. Отримані дані з сертифікації та атестації кальцій�фосфатних ма� теріалів і біоморфного карбіду кремнію методами ЕПР� та ІЧ�спектроскопії дозволили встановити залежність структури, домішкового та політипного складу матеріа� лу від технології його отримання. За проектом опубліковано статей — 2; результати обговорено на 3 міжнародних конференціях. Проект "Розробка та створення приладу для контролю внутрішніх напружень в непрозорих ма� теріалах та конструкціях" (ІФН НАНУ; керівник — Б.К. Сердега). Розроблений та виготовлений лазерний тензометр — прилад для реєстрації лінійної та циркулярної анізот� ропії в прозорих та непрозорих середовищах, функціо� нування якого здійснюється на основі оригінальної технології модуляції поляризації електромагнітного випромінювання. Проведено функціональне випробу� вання приладу на вимірюванні внутрішніх механічних напружень у матеріалах та конструкціях у зразках з контрольованими величиною та просторовим розподі� лом величини механічного напруження (рис. 2). За проектом отримано патентів — 2; виготовлено експериментальних зразків приладів — 2; опубліковано статей — 9, в тому числі в зарубіжних виданнях — 2; ре� зультати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка комплексних методів оптичної та магніторезонансної діагностики опто� та спін� електронних наноструктур Ge/Si та A3B5, сфор� мованих методами самоорганізації" (ІФН НАНУ; керівник — чл.�кор. НАН України М.Я. Валах). Розроблено метод комплексного визначення компо� нентного складу та пружної деформації з точністю до 2 % в напівпровідникових наноструктурах Ge/Si, A2B6 та A3B5 та кристалах SiC на основі аналізу спектрів ком� бінаційного розсіювання світла, фотолюмінесценції та електронного парамагнітного резонансу. Перевагами розробки є висока локальність діагностики (~ 1мкм), порівняно, наприклад, з визначенням напружень мето� Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 95 Рис. 1. Лазерний віброметр для вимірювання коливань поверхні з надвисокою чутливістю Рис. 2. Лазерний тензометр для вимірювання просторо� вого розподілу та величини механічних напружень в матеріалах дом традиційної рентгенівської дифракції, та неруйнів� ний характер вимірювань компонентного складу. За проектом опубліковано статей — 4; результати обговорено на 5 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів та устаткування оп� тичної діагностики нанорозмірного Si" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. В.Г. Литовченко, І.П. Лісовський). Розроблена методика визначення структурних ха� рактеристик оксидної матриці з вбудованими nc�Si час� тинками на базі ІЧ�спектроскопії. Виготовлена уста� новка для вимірів фотолюмінісценції зразків з нанороз� мірним Si. Розроблено метод визначення розмірів та їх розкиду для nc�Si частинок за результатами вимірів спектрів фотолюмінісценції. Проведена атестація на� нокристалічного кремнієвого матеріалу різного типу. За проектом отримано експериментальний зразок приладу; опубліковано статей 5, в тому числі в зару� біжних виданнях — 2; результати обговорено на між� народній конференції. Проект "Розробка комплексних методів діагнос� тики властивостей кисень� та халкогенмісних сис� тем зі змінним типом провідності" (ІМФ НАНУ; ке� рівник — В.М. Уваров). Створено діагностичний комплекс для досліджень електронної структури складних кисень� і халькоген� вмісних з'єднань. Комплекс складається з автоматизо� ваного спектрометру реєстрації флуоресцентних рент� генівських спектрів і створеного обчислювального кластеру на базі декількох персональних комп'ютерів підвищеної потужності з метою розподілу обчислень зонної структури кристалів, що істотно підвищило якість досліджень електронної будови кристалів і зак� лало основу для розрахунків з'єднань складної струк� тури й складу, включаючи наноплівки й нанопорошки. З використанням нових можливостей експеримен� тально й теоретично вивчена електронна структура з'єднань LnNі3 (Ln= Nd, Gd) і Cu2MGe4 (M= Mn, Cd). Отримано відомості про зонну структуру, зарядові та спінові стани атомів у складі цих з'єднань. За проектом виготовлено експериментальних зразків приладів — 2; опубліковано статей — 1, результати обговорено на міжнародній конференції. Р о з д і л 2 РОЗРОБКА ФІЗИКО"ХІМІЧНОГО АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ, ЗАСОБІВ АТЕСТАЦІЇ, СЕРТИФІКАЦІЇ І МЕТРОЛОГІЇ МІКРО" ТА ОПТОЕЛЕКТРОННИХ СЕНСОРІВ, ПРИЛАДІВ ТА СЕНСОРНИХ СИСТЕМ Е Т А П 1 Проект "Автоматизований пристрій для вимі� рювання вольт�амперних характеристик та їх по� хідних субмікронних напівпровідникових приладних структур" (ІФН НАНУ; керівник — Р.В. Конакова). Створено автоматизований пристрій для вимірю� вання вольт�амперних характеристик (ВАХ) та їх по� хідних субмікронних напівпровідникових структур (p—n�переходів, діодів Шотткі, польових транзисто� рів типу HEMT, омічних контактів) в інтервалі тем� ператур 77—1 000 К при підтримці температури не гірше ±1 °С. Розроблено та апробовано в експери� менті методику обробки ВАХ діодних структур та омічних контактів. За проектом виготовлено експериментальний зра� зок пристрою; опубліковано статей — 6, в тому числі в зарубіжних виданнях — 3; результати обговорено на 8 міжнародних конференціях. Проект "Розробка технології і створення зраз� кового датчика ультрафіолетової радіації для метрологічних контрольно�вимірювальних засо� бів" (ІФН НАНУ; керівник — С.Ю. Павелець). Вперше в Україні створені фізичні, технологічні та конструкторські засади виготовлення зразкового датчика ультрафіолетової радіації на основі сполук СdS. Більш жорсткі вимоги до експлуатаційних пара� метрів метрологічних датчиків поставили вимогу розробки принципово нової технології по їх виготов� ленню. Розроблена технологія дозволила отримати датчики з високою чутливістю та стабільністю, що засвідчено головною метрологічною організацією Ро� сії — ГНМЦ ВНИИ ОФИ (м. Москва). Створені мет� рологічні датчики необхідні для вимірювання дози ультрафіолетового випромінювання і відповідають рівню світових стандартів. За проектом виготовлено експериментальних зраз� кових датчиків — 30; опубліковано статей — 4, в тому числі в зарубіжних виданнях — 1; результати обгово� рено на 3 міжнародних конференціях. Проект "Розробка нових методик атестації і сертифікації оптоелектронних та мікроелектрон� них біосенсорів з застосуванням растрової елект� ронної мікроскопії та рентгенівської фотоелект� ронної спектроскопії" (ІФН НАНУ; керівники — Ю.М. Ширшов, І.А. Кошиц). Розроблено, виготовлено та протестовано аналі� тичні газові системи, на основі яких створено лабора� торний стенд 8�канальної газоаналізаторної сенсор� ної системи типу "електронний ніс". Для керування експериментом та для розпізнавання хімічних обра� зів сумішей газів розроблено оригінальне програмне забезпечення на основі алгоритмів математичної ста� тистики. Прилад дозволяє створити бази даних для широкого спектру запахів і провести їх ідентифіка� цію. Тестування сенсорної системи на базах даних Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 200996 летких органічних сполук таких, як толуол, бензол, хлорбензол, хлороформ, ацетон, бутилацетат, аліфа� тичні спирти показало, що загальний результат "вда� лого" розпізнавання програмою�класифікатором складає 92—95 %. Сенсорна система може бути засто� сована службами екологічного контролю, в медицині, парфумерії, хімічній та харчовій промисловості та в інших сферах. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальних зразків приладів — 4; опублікова� но статей — 8, в тому числі в зарубіжних виданнях — 3; результати обговорено на 7 міжнародних конфе� ренціях. Проект "Рентгеноспектральна методика і апа� ратура для контролю хімічного складу в ході тех� нологічного процесу" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. НАН України В.Ф. Мачулін, І.В. Прокопенко). Розроблено та виготовлено універсальний блок комп'ютерного управління рентгенівським дифракто� метром типу ДРОН�3, що дозволяє створювати завер� шені апаратно�програмні рентгено�дифрактометричні комплекси з повним комп'ютерним управлінням. Ре� алізовано методики скануючої зондової мікроскопії для картографування змін локального хімічного скла� ду (роздільна здатність ~0,1 нм) на поверхні напівпро� відникових наноструктур. Дані методики є експресни� ми, неруйнівними і не мають аналогів в Україні. За проектом виготовлено експериментальний зра� зок приладу; опубліковано статей — 7, в тому числі в зарубіжних виданнях — 4; результати обговорено на 7 міжнародних конференціях. Проект "Розробка медичного терморадіометра для офтальмології та хірургії" (ІФН НАНУ; керів� ник — А.І. Ліптуга). Розроблено радіометр, який дозволяє без засто� сування холодоагентів проводити термодіагностику об'єктів, що мають температуру на рівні температури людського тіла. Це дає можливість використання йо� го в біології та медицині, особливо в таких її напрям� ках, як офтальмологія та лазерна хірургія. На основі застосування напівпровідникових модуляторів роз� роблено принципово новий підхід до реєстрації низь� котемпературного теплового випромінювання, що відкриває нові перспективи побудови високонадій� них систем безконтактної температурної діагностики з неселе�ктивною електронною модуляцією ІЧ�вип� ромінювання, їх роботу в реальному масштабі часу, сучасний рівень автоматизації та високу точність ви� мірювань (на рівні �0,15 °С). За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальний зразок приладу; опубліковано статей — 2. Проект "Розробка багатоканального фотомет� ра для діагностики інфекційних захворювань люди� ни" (ІФН НАНУ; керівники — О.Г. Коллюх, В.М. Шапар). Розроблено та виготовлено макет багатоканального фотометра для оптоелектронних і аглютаційних ви� мірювань при проведенні експрес�аналізів крові люди� ни: розроблені основні електронні та оптичні модулі фотометру. При розробці відповідних тестових хіміч� них реагентів створені модулі дозволяють налагодити випуск високоякісної вітчизняної медичної апаратури на рівні кращих світових зразків для експресного дос� лідження інфекційних захворювань людини. За проектом опубліковано статей — 1. Проект "Розробка методу та створення дослід� ного зразка приладу для сертифікації деформова� ного стану в напівпровідникових матеріалах та приладах" (ІФН НАНУ; керівник — Б.К. Сердега). Розроблено новий спосіб аналізу стану поляри� зації випромінювання, що базується на принципі мо� дуляції його поляризації. Спосіб базується на вико� ристанні циркулярно поляризованої компоненти випромінювання, яка за своїми динамічним діапазо� ном, лінійністю та чутливістю до величини анізот� ропії є найбільш інформативною з точки зору вико� ристання в практичних розробках. Розроблено та створено експериментальний зразок приладу для ви� мірювання величини та просторового розподілу ме� ханічних напружень в матеріалах. За проектом отримано патент; виготовлено експе� риментальний зразок приладу; опубліковано статей — 2, в тому числі в зарубіжних виданнях — 2; результа� ти обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка конструкції та технології виготовлення високотемпературних КМОП ІС на КНІ�структурах для систем збирання та обробки інформації" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. НАН України В.С. Лисенко, О.М. Назаров). Розроблено технологію отримання пластин крем� ній�на�ізоляторі з одношаровими та багатошаровими SiO2—Si3N4 внутрішніми діелектриками методом зонної лазерної рекристалізації шарів полікремнію. Виготовленні КМОН інтегральні схеми, здатні пра� цювати при температурах до 250 °С. За проектом отримано: патентів — 1; виготовлено експериментальних зразків КМОН ІС — 5; опублікова� но статей — 8, в тому числі в зарубіжних виданнях — 5; результати обговорено на 5 міжнародних конфе� ренціях. Проект "Розробка методів дослідження енерге� тичної структури, зарядових і спінових станів ато� мів в оксидних системах" (ІМФ НАНУ; керівник — В.М. Уваров). Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 97 Розроблена прецизійна методика сканування рент� генівських флуоресцентних спектрів. Створено керу� ючі модулі й програми для персонального комп'юте� ра, що керує експериментом. Оптимізовано обчислю� вальний комплекс й обчислювальні процедури для проведення розрахунків зонної електронної структу� ри складних оксидних сполук. З використанням нових обчислювальних й експе� риментальних можливостей вперше виконано зонні розрахунки й досліджено електронну структуру ніке� латів та ванадитів лантаноїдів. За проектом виготовлено експериментальних зразків приладів — 2; опубліковано статей — 3; резуль� тати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Е Т А П 2 Проект "Розробка технології і створення вари� зонних датчиків ультрафіолетової і видимої ра� діації для метрологічних контрольно�вимірюваль� них засобів" (ІФН НАНУ; керівник — С.Ю. Павелець). Розроблена технологія виготовлення датчиків з роз� ширеною областю спектральної чутливості (до довжи� ни хвилі γ = 720 нм) на основі фотоелектричних перет� ворювачів Сu1.8SCdSе з варизонними шарами. Високо� го рівня фоточутливості, порогових характеристик, рівномірного розподілу фоточутливості по поверхні датчика збільшеної площини (120 мм2) і стабільності параметрів досягнуто завдяки розробці технології виготовлення нових матеріалів: варизонних шарів на основі сполук А2В6. Створений метрологічний датчик на основі тестування в ГНМЦ ВНИИ ОФИ (м. Моск� ва) визнаний придатним до застосування в якості за� собу вимірювання ультрафіолетової і видимої радіа� ції в медицині, сільському господарстві, екології, аст� ронавігації і т. ін. За проектом виготовлено експериментальних дат� чиків — 8; опубліковано статей — 2, в тому числі в за� рубіжних виданнях — 1; результати обговорено на міжнародній конференції. Проект "Розробка багатофункціонального вимі� рювального метрологічного комплексу" (ІФН НАНУ; керівник — чл.�кор. НАН України П.Ф. Олексенко). Згідно з вимогами державного стандарту ДСТУ� 3215 виконано державну метрологічну атестацію ав� томатизованого вимірювального комплексу парамет� рів оптронних приладів і сенсорів АВК�ПОС. Роз� роблені та затверджені державною метрологічною службою методи та засоби повірки АВКПОС, отри� мані Акт�висновок метрологічної експертизи, прото� кол та програма метрологічної атестації, свідоцтво про метрологічну атестацію АВКПОС за № 06�273 від 24.12.2007 р. За проектом атестовано експериментальний зра� зок комплексу; результати обговорено на міжнарод� ній конференції. Проект "Розробка методів та пристроїв діагнос� тики магніточутливих сенсорних систем" (ІФН НАНУ; керівник — А.І. Ліптуга). Розроблено метод та створено прилад для тестуван� ня інформації, записаної на магнітних носіях. Прилад дозволяє відновлювати інформацію із зіпсованих маг� нітних носіїв навіть при сильному їх термічному або механічному пошкодженні (коли сигнал, що тестуєть� ся, знаходиться на рівні шумів магнітного поля). Прилад може використовуватись в системах дешиф� ровки інформації, яка записується в навігаційних при� ладах авіа� або космічних апаратів. За проектом отримано експериментальний зразок приладу. Проект "Розробка дозиметричних систем високої точності з використанням нового класу парамаг� нітних сенсорів іонізуючого випромінювання" (ІФН НАНУ; керівники — О.А. Бугай, В.М. Максименко). Запропоновано нові технологічні засоби виготов� лення однорідних і ізотропних таблеток для ЕПР�до� зиметрії. Найбільш перспективною виявилася техно� логія ультразвукового подрібнення і перемішування розчину аланіну і парафіну у бензині, з якого пресу� ються таблетки. Цей технологічний процес може бу� ти вибрано для виробництва дозиметричних датчи� ків для застосування у ЕПР�дозиметрії середніх доз (1—10 Gy) опромінення. Визначено основні власти� вості і параметри дозиметричних таблеток. За проектом виготовлено 198 дозиметричних таб� леток. Результати обговорено на міжнародній конфе� ренції. Проект "Розробка біосенсорної системи серти� фікації зерна та зернопродуктів щодо вмісту заб� руднювачів мікробіологічного та хімічного поход� ження" (ІФН НАНУ; керівник — Б.А. Снопок). Розроблено і виготовлено прототип інтелектуаль� ної системи активного моніторингу стану зернопро� дуктів "GRAINOSE", що поєднує модуль активної термометрії (масив розподільних датчиків темпера� тури з системою формування температурного профі� лю) та блок хімічного аналізу на основі сенсорного масиву п'єзо�кварцових резонаторів (рис. 3). Резуль� тати тестування зразків щодо відхилень від еталон� них зразків свідчать про можливість надійно вста� новлювати стадію самозігрівання та його причини й вчасно вжити необхідних заходів щодо подальшої об� робки й зберігання зерна. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальний зразок приладу; опубліковано Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 200998 статей — 1; результати обговорено на 3 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів та апаратно�прог� рамного комплексу для прогнозування надійності НВЧ напівпровідникових приладів" (ІФН НАНУ; ке� рівник — Р.В. Конакова). Розроблені методика та апаратно�програмовий комплекс для вимірювання параметрів НВЧ напівп� ровідникових приладів. Розроблені інформативні па� раметри для прогнозування відмов діодів Ганна. Ме� тод прогнозування надійності контактів до діодів Ган� на, впроваджений в ДП НДІ "Оріон", дозволив на 1,5—2 порядки підвищити надійність роботи діодів Ганна. За проектом виготовлено експериментальний зра� зок комплексу; опубліковано статей — 5, в тому числі в зарубіжних виданнях — 2; результати обговорено на 6 міжнародних конференціях. Проект "Розробка та виготовлення контрольо� ваних наноструктурних зборок для екоаналітич� ного моніторингу" (ІМФ НАНУ; керівник — акад. НАН України А.П. Шпак). Розроблено серію контрольованих наноструктур� них зборок на основі апатитів кальцію. Вперше дослі� джено вплив переходу кристала в ультрадисперсний стан на фізичні властивості, зокрема рентгенівські спектри. Встановлено, що нанорозмірні кристали апа� титу мають високу сорбційну здатність. Запропонова� но методику селективного видалення радіонуклідів та важких металів з водних розчинів та створення сен� сорних пристроїв для екоаналітичного моніторингу. Досягнуто домовленість з представниками підпри� ємства "УКРЫТИЕ" про використання запропоно� ваної методики у зоні відчуження (Чорнобиль). За проектом опубліковано статей — 3, в тому числі в зарубіжних виданнях — 1; результати обговорено на 6 міжнародних конференціях. Р о з д і л 3 СТВОРЕННЯ ВИПРОБУВАЛЬНИХ ЦЕНТРІВ ДІАГНОСТИКИ, СЕРТИФІКАЦІЇ І МЕТРОЛОГІЇ МАТЕРІАЛІВ, СЕНСОРІВ, ПРИЛАДІВ ТА СЕНСОРНИХ СИСТЕМ ЕТАП 1 Проект "Розробка методик та створення вимірю� вальних засобів для контролю та сертифікації опт� ронних приладів і сенсорів на їх основі" (ІФН НАНУ; керівник — чл.�кор. НАН України П.Ф. Олексенко). Вперше в Україні створено автоматизований вимі� рювально�аналітичний комплекс для оперативного метрологічного забезпечення серійного виробництва, розробки та дослідження оптронних приладів широкої номенклатури. Комплекс забезпечує високопродук� тивне виконання операцій широкодіапазонних вимі� рювань, збору, візуального представлення і спостере� ження трьох груп основних параметрів оптронних приладів (статичних, диференційних, часових), за су� купністю показників не має аналогів в країнах СНД і суттєво перевищує відомі вузькоспеціалізовані вимі� рювальні засоби подібного призначення (рис. 4). За проектом виготовлено експериментальних зраз� ків комплексу — 2; опубліковано статей — 3; резуль� тати обговорено на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка метрологічного забезпечення напівпровідникових сенсорів. Розробка і створен� ня автоматизованого стенду для градуювання, перевірки, метрологічної атестації і сертифікації термодіодних сенсорів температури на діапазон температур 4,2—473 К" (ІФН НАНУ; керівник — В.Ф. Мітін). Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 99 Рис. 3. Біосенсорна система контролю якості зерна Рис. 4. Багатофункціональний вимірювально�аналітич� ний комплекс для контролю та атестації оптронних при� ладів Розроблено, виготовлено та налагоджено автомати� зований метрологічний комплекс для прецизійного тес� тування та калібрування сенсорів температури в діа� пазоні 1,5—350 К. Проведені комплексні дослідження похибок вимірювання та калібрування. Досліджено метрологічні характеристики різноманітних термо� метрів опору, діодних сенсорів, температури та багато� функціональних сенсорів, призначених для одночас� ного вимірювання температури і магнітного поля. За проектом виготовлено метрологічне обладнан� ня — 1; опубліковано статей — 6, в тому числі в за� рубіжних виданнях — 5; результати обговорено на 10 міжнародних конференціях. Проект "Розробка комплексу сертифікації фо� тоелектричних перетворювачів сонячної енергії (ФПСЕ)" (ІФН НАНУ; керівники — А.П. Горбань, Б.М. Романюк). Вперше в Україні створено Центр випробувань фо� топеретворювачів та батарей фотоелектричних, акре� дитований Державним комітетом України з питань технічного регулювання та споживчої політики на право здійснення випробувань електричних і фото� технічних параметрів фотоелектричних перетворю� вачів сонячної енергії (елементів, модулів, батарей). Основою Центру є розроблена в рамках проекту уні� кальна стендова база, атестована Національним нау� ковим центром "Інститут метрології" Держспоживс� тандарту України (рис. 5). За проектом розроблені і виготовлені три автома� тизовані вимірювальні установки з комплектами від� повідної технічної і програмно�методичної докумен� тації; опубліковано статей — 8, у тому числі в зару� біжних виданнях — 3; результати обговорені на 3 міжнародних конференціях. Проект "Розробка автоматизованих вимірю� вально�обчислювальних комплексів діагностики па� раметрів плоских засобів відображення інформа� ції" (ІФН НАНУ; керівник — В.М. Сорокін). Розроблено ефективні методи, методики і алгорит� ми вимірювання електрооптичних, спектральних, ку� тових, температурних характеристик рідкокриста� лічних дисплеїв та інших плоских засобів відображення інформації і на їх основі створено сучасний автоматизо� ваний комплекс. Використання розробленого комп� лексу для дослідження параметрів і характеристик як нових рідкокристалічних речовин, так і приладів на їх основі дало змогу отримати нові результати і показати шляхи оптимізації параметрів засобів відображення інформації, що працюють на різних електрооптичних ефектах в рідких кристалах. Результати проекту Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009100 Рис. 5. Центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей впроваджено в виробництво вимірювально�обчислю� вальних комплексів на технологічній базі СКТБ Інс� титуту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ. Створено 3 комплекси, які передані за конт� рактами в Swedish LCD Center (Швеція) та BONA FIDE Instruments Co., Ltd (Гонконг) на загальну су� му 375,0 тис. гривень. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальних зразків вимірювально�обчислю� вальних комплексів — 4; опубліковано статей — 17, в тому числі в зарубіжних виданнях — 10; результати обговорено на 7 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методик сертифікації мате� ріалів електронної техніки за концентрацією до� мішок з використанням методів масспектромет� рії" (ІФН НАНУ; керівник — Б.М. Романюк). Вперше в Україні розроблено технологію виготов� лення тестових зразків з використанням іонної імп� лантації для калібровки масспектрометра та виготов� лено тестові зразки. Проведено налагодження масс� пектрометра, розроблено програмне забезпечення для керування приладом. Розроблено методику вимірів концентрації та просторової локалізації домішок в ма� теріалах електронної техніки, включаючи шаруваті структури типу SiO2—Si, Si3N4—Si, Al2O3, SiGe—Si та ін. Розроблено та виготовлено спеціальний високо� частотний генератор для забезпечення пошарового травлення діелектричних матриць в методі SNMS. За проектом виготовлено експериментальних зразків приладів — 1; опубліковано статей — 4, в тому числі в зарубіжних виданнях — 2; результати обгово� рено на двох міжнародних конференціях. Проект "Розробка високочутливих методів рен� тгеноакустичної та атомно�силової діагностики структурних параметрів приповерхневих облас� тей кристалів для завдань сенсорної технології" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. НАН України В.Ф. Мачулін, В.П. Кладько). Вперше методом числового розв'язку дисперсійно� го рівняння для багатохвильового випадку проведе� ний розрахунок впливу резонансних умов фотон�фо� нонної взаємодії на форму кривих дифракційного відбиття Х�променів. Створено програмне забезпе� чення для аналізу кривих дифракційного відбиття з метою отримання кількісної інформації про парамет� ри структур. За проектом виготовлено експериментальний зра� зок приладу (рис. 6); опубліковано статей — 9, в тому числі в зарубіжних виданнях — 5; результати обгово� рено на 6 міжнародних конференціях. Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 101 Рис. 6. Дифрактометр для вимірювання рентгено�акустичного резонансу Е Т А П 2 Проект "Розробка метрологічного обладнання та методів калібрування кріогенних багатофунк� ціональних сенсорів температури та магнітного поля" (ІФН НАНУ; керівник — В.Ф. Мітін). Розроблено та виготовлено кріогенний комплекс на базі надпровідної магнітної системи (0—8 Т) для дослі� дження і калібрування багатофункціональних сенсо� рів, що призначені для одночасного і локального вимі� рювання температури та магнітного поля. Досліджено термометричні та магнітометричні характеристики для різних типів багатофункціональних сенсорів у діапа� зоні температур 2,5—300 К та магнітних полях до 8 Тл. За проектом виготовлено експериментальне об� ладнання — 1; опубліковано статей — 5, в тому числі в зарубіжних виданнях — 3; результати обговорено на 3 міжнародних конференціях. Проект "Розробка багатоканальних сенсорних аналізаторів визначення якості продуктів хар� чування" (ІФН НАНУ; керівники — Ю.М. Ширшов, О.Л. Кукла). Вперше створено та випробувано прецизійний бага� токанальний біохімічний аналізатор "ІСПТ�2" для ре� єстрації найменших кількостей токсичних елементів в водному середовищі. Аналізатор побудовано на прин� ципі польового транзистора, на поверхні якого іммобі� лізовано чутливі біомолекули. Руйнування цих моле� кул під дією токсичного агента реєструється з чутли� вістю до тисячної долі відсотка. Одночасно прилад мо� же вимірювати концентрацію ряду вуглеводів у розчи� нах метаболітів людини (кров, сироватка, плазма крові чи сеча). Поява приладу відкриває шлях до створення принципово нових аналітичних технологій в медицині. Випробувано аналізатор соматичних клітин в нез� бираному молоці з метою впровадження нових техно� логій аналізу мікробіологічного складу сировини в молочну промисловість. Продемонстровано високу ефективність приладу. За проектом отримано патентів — 1; виготовлено експериментальних зразків приладів — 6; опубліко� вано статей — 4; результати обговорено на 4 міжнарод� них конференціях. Проект "Створення діагностичного комплексу рентгенодифрактометричних, рентгено�спектра� льних і СЗМ�методик контролю та атестації на� півпровідникових матеріалів і структур" (ІФН НАНУ; керівники — чл.�кор. НАН України В.Ф. Мачулін, І.В. Прокопенко). Розроблено теоретичну модель дифракції рентгенів� ських променів у складних багатошарових системах з упорядкованою дефектною структурою та комп'ютерні програми для аналізу та обробки експериментальних Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009102 Рис. 7. Апаратура компонентного аналізу матеріалів електронної техніки даних. На їх основі створена методика визначення меха� нічних характеристик поверхонь із залежностей сила проникнення при навантаженні та розвантаженні зраз� ка нано�індентором. Зазначена методика доповнена ме� тодом скретч�тестування (склерометрії) механічних властивостей тонких (від 2 нм) покриттів. Ефектив� ність методу випробувана на плівках різного типу (від полімерних до алмазоподібних). Розроблено та випро� бувано біосенсорний метод діагностики ступеня суміс� ності матеріалів імплантів на основі зондової силової спектроскопії. За проектом опубліковано статей — 11, в тому числі в зарубіжних виданнях — 6; результати обговорено на 9 міжнародних конференціях. Проект "Розробка програмно�методичних і технічних засобів метрологічної атестації і сер� тифікації фотоелектричних елементів, модулів і батарей, призначених для використання в геліое� нергетичних установках" (ІФН НАНУ; керівники — А.П. Горбань, Б.М. Романюк). Вперше в Україні розроблено, виготовлено і налагод� жено експериментальний стенд, призначений для вимі� рювання параметрів фотоелектричних модулів і бата� рей великої площі імпульсним методом в спектральних умовах АМ0 і АМ 1,5. Розроблена і випущена відповід� на технічна і програмно�методична документація. За проектом виготовлені імпульсний імітатор со� нячного випромінювання і два автоматизовані вимі� рювальні блоки; опубліковано статей — 3, у тому чис� лі в зарубіжних виданнях — 1; результати обговорені на 2 міжнародних конференціях. Проект "Розробка методів і апаратури діагнос� тики матеріалів електронної техніки, шарува� тих структур на їх основі та мікроелектронних приладів на основі Оже�електронної спектроско� пії" (ІФН НАНУ; керівник — Б.М. Романюк). Проведено аналіз можливостей використання ме� тодів Оже�електронної спектроскопії для визначення концентрації домішок в матеріалах електронної тех� ніки. Розроблено методику визначення концентрації домішок в багатокомпонентних мішенях з вимірю� вань Оже�спектрів, проведено модифікацію Оже� спектрометра та виконано вимірювання зразків, що містять актуальні домішки для електронної техніки. Запропоновано оригінальний метод калібровки вимі� рювань та метод іонного травлення діелектричних та напівпровідникових шарів і прецизійного контролю їх товщини при Оже�спектроскопічних дослідженнях домішкового складу. За проектом виготовлено експериментальний зра� зок приладу (рис. 7); опубліковано статей — 3, в тому числі в зарубіжних виданнях — 1; результати обгово� рено на двох міжнародних конференціях. Науково�технічний рівень програми відповідає між� народному рівню, а потенційний масштаб практично� го використання розробок включає як світовий, так і вітчизняний ринки. Значна частина розроблених ме� тодів діагностики, аналітичного обладнання, конт� рольно�вимірювальних комплексів, засобів атестації, сертифікації і метрології матеріалів, приладів і ви� робів сенсорної техніки не мають аналогів в Україні і за своїми параметрами не поступаються, а за деякими навіть перевищують ті, що виробляються провідними зарубіжними фірмами. Одним з прикладів одержа� них принципово нових результатів є розробка нових інтелектуально містких методів та відповідного об� ладнання для неруйнівної експресної діагностики якості монокристалів германію, що дозволило значно збільшити експорт кристалів германію. Загальний обсяг експортованих кристалів германію з визначе� ними за розробленими методами параметрами стано� вить 2, 575 млн. гривень. Загалом за роки виконання програми отримано 15 патентів на винахід; опубліковано 205 статей; виго� товлено 66 експериментальних зразків нових прила� дів та обладнання. Інформаційний розділ Наука та інновації. № 1, 2009 103

Репозитарії

Схожі ресурси