Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления

Приведены результаты исследований по влиянию на кинетику процесса синтеза алмазных покрытий из газовой фазы в плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, величины тока разряда и температуры подложки. Показано, что для каждого интервала токов разряда существует своя зависимость скоро...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Веревкин, А.А., Выровец, И.И., Грицына, В.И., Дудник, С.Ф., Кутний, В.Е., Опалев, О.А., Рыбка, А.С., Стрельницкий, В.Е.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
Теми:	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14991
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления / А.А. Веревкин, И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, В.Е. Кутний, О.А. Опалев, А.С. Рыбка, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 104-107. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-14991
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-149912011-01-03T12:03:21Z Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления Веревкин, А.А. Выровец, И.И. Грицына, В.И. Дудник, С.Ф. Кутний, В.Е. Опалев, О.А. Рыбка, А.С. Стрельницкий, В.Е. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Приведены результаты исследований по влиянию на кинетику процесса синтеза алмазных покрытий из газовой фазы в плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, величины тока разряда и температуры подложки. Показано, что для каждого интервала токов разряда существует своя зависимость скорости роста алмазных покрытий от температуры синтеза. Определенной зависимости величины удельного сопротивления алмазных покрытий от параметров их синтеза не установлено. Однако установлено, что имеется определенная корреляция между изменением сопротивления и скоростью роста покрытий. Наведено результати досліджень по впливу на кінетику процесу синтезу алмазних покриттів з газової фази в плазмі тліючого розряду, стабілізованого магнітним полем, величини струму розряду й температури підкладки. Показано, що для кожного інтервалу струмів розряду існує своя залежність швидкості росту алмазних покриттів від температури синтезу. Певної залежності величини питомого опору алмазних покриттів від параметрів їхнього синтезу не встановлено. Однак встановлено, що є певна кореляція між зміною опору й швидкістю росту покриттів. Diamond coatings were deposited by CVD-method from plasma of glow discharge, stabilized by a magnetic field. Results of researches connected with influence on diamond coating synthesis kinetics of discharge current magnitude and substrate temperature were presented. It is shown, that a dependence of growth rate of diamond coatings on synthesis temperature for each interval of discharge currents is obtained. The certain dependence of magnitude of diamond coating resistivity on conditions of their synthesis is not established. However it is established, that there is a certain correlation between change of resistance and growth rate of coatings. 2010 Article Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления / А.А. Веревкин, И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, В.Е. Кутний, О.А. Опалев, А.С. Рыбка, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 104-107. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14991 537.534.2:679.826 ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Веревкин, А.А. Выровец, И.И. Грицына, В.И. Дудник, С.Ф. Кутний, В.Е. Опалев, О.А. Рыбка, А.С. Стрельницкий, В.Е. Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
description	Приведены результаты исследований по влиянию на кинетику процесса синтеза алмазных покрытий из газовой фазы в плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, величины тока разряда и температуры подложки. Показано, что для каждого интервала токов разряда существует своя зависимость скорости роста алмазных покрытий от температуры синтеза. Определенной зависимости величины удельного сопротивления алмазных покрытий от параметров их синтеза не установлено. Однако установлено, что имеется определенная корреляция между изменением сопротивления и скоростью роста покрытий.
format	Article
author	Веревкин, А.А. Выровец, И.И. Грицына, В.И. Дудник, С.Ф. Кутний, В.Е. Опалев, О.А. Рыбка, А.С. Стрельницкий, В.Е.
author_facet	Веревкин, А.А. Выровец, И.И. Грицына, В.И. Дудник, С.Ф. Кутний, В.Е. Опалев, О.А. Рыбка, А.С. Стрельницкий, В.Е.
author_sort	Веревкин, А.А.
title	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
title_short	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
title_full	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
title_fullStr	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
title_full_unstemmed	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
title_sort	исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2010
topic_facet	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/14991
citation_txt	Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления / А.А. Веревкин, И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, В.Е. Кутний, О.А. Опалев, А.С. Рыбка, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 104-107. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT verevkinaa issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT vyrovecii issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT gricynavi issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT dudniksf issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT kutnijve issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT opalevoa issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT rybkaas issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ AT strelʹnickijve issledovanievliâniâparametrovsintezaalmaznyhpokrytijnaskorostʹihrostaiveličinuudelʹnogoélektričeskogosoprotivleniâ
first_indexed	2025-07-02T16:29:35Z
last_indexed	2025-07-02T16:29:35Z
_version_	1836553366149267456
fulltext	Раздел четвертый ФИЗИКА РАДИАЦИОННЫХ И ИОННО-ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ УДК 537.534.2:679.826 ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИНТЕЗА АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ НА СКОРОСТЬ ИХ РОСТА И ВЕЛИЧИНУ УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ А.А. Веревкин, И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, В.Е. Кутний, О.А. Опалев, А.С. Рыбка, В.Е. Стрельницкий Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт», Харьков, Украина Е-mail: strelnitskij@kipt.kharkov.ua Приведены результаты исследований по влиянию на кинетику процесса синтеза алмазных покрытий из газовой фазы в плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, величины тока разряда и температуры подложки. Показано, что для каждого интервала токов разряда существует своя зависимость скорости роста алмазных покрытий от температуры синтеза. Определенной зависимости величины удельно- го сопротивления алмазных покрытий от параметров их синтеза не установлено. Однако установлено, что имеется определенная корреляция между изменением сопротивления и скоростью роста покрытий. ВВЕДЕНИЕ Как свидетельствуют литературные источники [1, 2], скорость роста алмазных покрытий и их ха- рактеристики (морфология поверхности, кристалли- ческая структура, размер кристаллов, электрическое сопротивление и прочее) зависят от совокупности многих параметров процесса плазмохимического синтеза из водородно-метановых газовых смесей, среди которых наиболее важными являются темпе- ратура подложки, состав и давление газовой смеси. В свою очередь, скорость роста и характеристики алмазных покрытий очень сильно зависят от аппа- ратурного оформления процесса синтеза этих по- крытий, способа активации газовой фазы, мощности разряда и других электротехнических его характе- ристик. В исследованиях, выполненных нами ранее [3, 4], было показано, что существует сложная взаи- мосвязь между электротехническими параметрами разряда, составом газовой фазы, общим давлением в реакционном объеме. Для получения воспроизводи- мых характеристик покрытий и прогнозируемого их изменения необходимо для каждого типа или моди- фикации оборудования, которое используется для синтеза алмазных пленок, располагать также ин- формацией о влиянии на процессы синтеза покры- тий и их свойства не только общепринятых пара- метров (температуры подкложки, состава и давле- ния газовой смеси), а и таких параметров, как элек- тротехнические параметры разряда, которые имеют опосредствованное влияние на скорость роста и свойства алмазных покрытий. 1. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА Исследования влияния параметров на скорость роста алмазных покрытий проводились на оборудо- вании с активацией газовой фазы тлеющим разря- дом, стабилизированным магнитным полем. Основ- ные характеристики этого оборудования приведеы в работе [4]. Давление газовой смеси водорода с ме- таном в экспериментах составляло 2,14·104 Па, об- щий поток 335 см3/мин. Эксперименты проводились при концентрации метана 0,55 об. %. Температура подложек определялась при помощи пирометра ДПР-1. Для оценки качества алмазных пленок и вы- яснения влияния на нее условий синтеза выбрана такая характеристика, как их удельное электриче- ское сопротивление. Эта величина в значительной степени определяется чистотой по примесям и структурным совершенством диэлектрических ма- териалов, к которым относится алмаз. Определение удельного сопротивления не нуждается в примене- нии сложного оборудования по сравнению с други- ми методами оценки чистоты материалов и их структурного совершенства. Именно поэтому и бы- ла выбрана для оценки качества алмазных пленок методика измерения сопротивления пленки [6]. По- скольку алмазные покрытия имеют развитую кри- сталлическую поверхность, то для лучшего контакта с такой поверхностью были применены контакты из эластичной токопроводящей резины, которая со- стояла из силиконового каучука, наполненного мел- кодисперсным графитовым порошком. Кроме этого, контакты на основе графита обеспечивали их «омичность», что важно при таких измерениях. Что- бы уменьшить влияние на результаты измерения со- противления той части пленки, которая формирует- ся на начальных стадиях роста в условиях наиболь- шего возможного загрязнения, пленки выращивали до толщины не менее 35…40 мкм. Поскольку время непрерывной работы оборудования имеет ограниче- ние, обусловленное техническими характеристика- ми системы очистки водорода, наращивание толщи- ны пленки до конечного значения происходило за несколько экспериментов (до шести эксперимен- 104 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (95), с. 104-107. ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2010. №1. тов). На подложкодержателе ∅50 мм размещали по несколько подложек из Мо с разной предыдущей обработкой поверхности (с «засевом» и без). Темпе- ратура каждой подложки контролировалась на про- тяжении эксперимента отдельно, поскольку их тем- пературы могли отличаться из-за разной степени те- плового контакта с подложкодержателем и из-за от- клонения их геометрии от плоскости при изготовле- нии. 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ Как показали исследования, скорость роста по- крытий не имеет однозначной зависимости от элек- тротехнических параметров разряда, в частности от его мощности и величины тока. При одинаковых значениях этих параметров скорость роста может иметь величины, которые отличаются между собой в несколько раз. На рис.1 приведены данные по ско- рости роста алмазного покрытия, полученные при Рис. 1. Скорость роста алма разных значениях тока разряда. зного покрытия нельзя дос данные по зависимости ско- рос приве- ден при разных значениях тока разряда При малой мощности разряда, разумеется, тичь оптимальных температур подложки, доста- точной концентрации атомарного водорода и акти- вированных радикалов углеводородов, которые яв- ляются определяющими для кинетики процесса рос- та алмазного покрытия. С другой стороны, при чрезмерной мощности разряда процессы диссоциа- ции углеводородов могут идти весьма глубоко с об- разованием заметных концентраций свободного уг- лерода, который будет приводить к блокированию ростовой поверхности и замедлению скорости роста алмазного покрытия. На рис. 2 показаны ти роста алмазных покрытий от температуры для разных интервалов величины тока разряда. При таком рассмотрении, как видно из ных данных, для каждого из выделенных интер- валов тока разряда значения скорости роста покры- тия ложатся на свою кривую зависимости от темпе- ратуры подложки. Т. е. определение оптимальных условий ведения процесса синтеза алмазных покры- тий, с позиции достижения максимальной скорости их роста, нужно делать с учетом совокупности как электротехнических параметров разряда, так и тем- пературы подложки. В данном случае область опти- мальных параметров синтеза отвечает значениям тока разряда 4,0…4,2 А и температуре подложки 1070…1120 °С. Увеличение тока разряда смещает область максимальных скоростей роста покрытий к более высоким температурам. Рис. 2. Зависимост скорости роста по отивле- ния лмазных Т, °С І, А υ , м ч h, мкм ρ,×1010 ь алмазных покрытий от температуры при разных значениях тока разряда Как казали измерения удельного сопр пленок, полученных в разных экспериментах, их значения могли отличаться на два порядка по вели- чине от 3·109 до 1011 Ом·см. Предварительное рас- смотрение этих результатов не выявило взаимосвязи ни с температурой формирования покрытий, ни с их толщиной, ни с отличием электротехнических пара- метров. Дальнейший анализ полученных результа- тов показал, что образцы, которые попарно росли в той или иной серии экспериментов, тоже отличались по величине удельного сопротивления от 3 до 9 раз. В последнем случае, возможно, эти расхождения нельзя было объяснить недостаточной точностью в контроле и поддержании параметров процесса син- теза в разных сериях экспериментов, или неконтро- лируемым содержанием примесей в газовой фазе. В таблице приведены сведенные данные для разных серий экспериментов с попарным размещением об- разцов. Значения температуры подложки Т, тока разряда І и скорости роста покрытия υР усреднялись для каждой серии экспериментов и образцов, кото- рые могли несколько отличаться при неоднократном доращивании их до конечной толщины. Режимы и характеристики образцов а покрытий, полученных в разных сериях экспериментов Р Ом·см км/ 1. 4,0… 1 1060 4, 3,0 2,6 42 35 32 1055 10 2. 4,1…4,2 1 1080 2,9 2,6 55 49 9 ,1 1065 3. 4,0…4,2 1115 3,2 2,6 104 78 9,9 3,7 1125 4. 4,0…4,2 1100 3,75 3 120 99 1,1 0,3 1105 105 Сравнение удельного сопротивления для образ- цов каждой серии экспериментов обнаруживает, что образцы, которые росли с большей средней скоро- стью имеют и большее удельное сопротивление, хо- тя в целом такой зависимости от скорости роста для совокупности всех образцов не наблюдается, как следует из рис. 3. Рис. 3. Зависимость величины удельного сопротив- - го с едования дефект- но ИЕ Проведенные иянию электро- тех неоднозначный характер влияния эти дования по влиянию условий формирова- ния по влиянию параметров син 1. Y.J. Baik, K.Y. Eun. Large area de of V.A. Belous, V.E .E. Strel’nitskij, O.A. Opalev, V.I , О.А. Опалев, В.И. Грицына, И.И кий, Оса ления от средней скорости роста алмазных покрытий для разных серий экспериментов Таким образом, если отстраниться от возможно влияния на абсолютную величину удельного со- противления алмазной пленки наличия неконтроли- руемых примесей, результаты этих исследований свидетельствуют, что для получения покрытий с большим удельным сопротивлением, которое опо- средованно отвечает и более высокому их качеству, следует принимать меры, оказывающие содействие росту покрытия с большей скоростью. Такой вывод не противоречит общим соображениям, что макси- мум скорости роста при той или иной совокупности оптимальных параметров должен отвечать случаю, наиболее свободному от блокирования sp2- углеродом ростовой поверхно ти покрытия, а зна- чит, и формированию алмазной решетки большего структурного совершенства и с меньшим содержа- нием графитоподобного углерода. В работе [8] проводились иссл сти алмазных пленок с применением метода ЭПР, позволяющего определять концентрации дефектных центров NC, обусловленных разорванными С- связями, которые могут размещаться на границах областей когерентного рассеяния, в местах сращи- вания кристаллитов и вблизи сосредоточения вакан- сий и дислокаций, а также дефектов NN, связанных с примесями азота, которые замещают атомы углеро- да в решетке алмаза. Как выяснили авторы этой ра- боты, концентрация этих дефектов по-разному зави- сит от условий синтеза, в частности, при анализе за- висимости концентрации дефектов от температуры подложки, при изменении других параметров синте- за наблюдалась в определенных случаях корреляция величины их концентрации с изменением скорости роста покрытия. И хотя, разумеется, нельзя напря- мую связывать результаты этих исследований с ре- зультатами, полученными в данной работе, тем не менее, они дают основание считать, что установлен- ная корреляция между изменением скорости роста покрытия и величиной его удельного сопротивления имеет не случайный характер. ЗАКЛЮЧЕН исследования по вл нических параметров разряда на скорость роста и некоторые свойства алмазных покрытий показали, что они наряду с такими общеупотребительными параметрами процесса синтеза алмазных покрытий, как температура подложки, состав и давление газо- вой смеси, могут существенно влиять на процессы роста покрытий. Несмотря на х параметров на скорость роста покрытия, можно очертить диапазон значений мощности разряда и, соответственно, значений тока разряда, в котором для конкретной конструкции оборудования можно достичь максимальные значения скорости роста по- крытия. Иссле алмазных покрытий на их удельное электриче- ское сопротивление, которое может служить мерой качества покрытия при применении этого материала для создания радиационно-стойких детекторов ио- низирующего излучения с широким диапазоном контролируемых доз показали, что есть определен- ная корреляция между изменением сопротивления и скоростью роста покрытий. Полученные результаты теза на скорость роста алмазных покрытий, на основании которых можно более точно выбирать оптимальные условия для получения алмазных по- крытий с максимальными скоростями роста, имеют значение не только с позиции достижения высокой производительности процесса получения покрытий, а также - и высокого качества алмазных пленок. ЛИТЕРАТУРА J.K. Lee, W.S. Lee, position of thick diamond film by direct-current PACVD // Thin Solid Films. 1999, v. 341, p.202-206. 2. Y. Yakota, Y. Ando, et al. Morphological control diamond films in 60 kW microwave plasma CVD reactor // Proc. 6th Appl. Diamond Conf. / 2nd Frontier Carbon Techn. Joint Conf., p.323-326. 3. V.K. Pashnev, O.A. Opalev, . Strel’nitskij. Some of direct current discharge in transversal magnetic field for diamond deposition // ISDF-4. 1999, p.18-22. 4. V.K. Pashnev, V . Gritsina, I.I. Vyrovets, Yu.A. Bizyukov. Influence of a Transverse Magnetic Field on the Characteristics of a DC Gas Discharge // Plasma Physics Reports. 2004, v. 30, № 9, p.15-20. 5. В.К. Пашнев . Выровец, Ю.А. Бизюков, В.В. Брык, В.Е. Стрельниц З.И. Колупаева. ждение ал- мазных покрытий с использованием тлеющего раз- ряда, стабилизированного магнитным полем // Фи- зическая инженерия поверхности. 2003, т.1, №1, с. 49-55. 106 6. Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: «Металлургия», 1970, с.432. 7. Т.А. Карпухина, А.Г. Чередниченко, Л.Л. Бу- йлов, А.Е. Алексенко, А.Ф. Селянин. Исследование дефектных центров и примесей в поликристалличе- ских пленках алмаза методом ЭПР // Техника средств связи. Серия «Технология производства и оборудование». 1991, №4, с.40–50. Статья поступила в редакцию 17.12.2009 г. ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ПАРАМЕТРІВ СИНТЕЗУ АЛМАЗНИХ ПОКРИТТІВ НА ШВИДКІСТЬ ЇХНЬОГО РОСТУ Й ВЕЛИЧИНУ ПИТОМОГО ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ А.А. Верьовкін, І.І. Вировець, В.І. Грицина, С.Ф. Дуднік, В.Є. Кутній, О.А. Опалєв, О.С. Рибка, В.Є. Стрельницький Наведено результати досліджень по впливу на кінетику процесу синтезу алмазних покриттів з газової фази в плазмі тліючого розряду, стабілізованого магнітним полем, величини струму розряду й температури підкладки. Показано, що для кожного інтервалу струмів розряду існує своя залежність швидкості росту ал- мазних покриттів від температури синтезу. Певної залежності величини питомого опору алмазних покриттів від параметрів їхнього синтезу не встановлено. Однак встановлено, що є певна кореляція між зміною опору й швидкістю росту покриттів. INVESTIGATION OF DIAMOND COATINGS SYNTHESIS PARAMETERS INFLUENCE ON GROWTH RATE AND ELECTRICAL RESISTIVITY A.A. Verevkin, I.I. Vyrovets, V.I. Gritsyna, S.F. Dudnik, V.E. Kutny, O.A. Opalev, A.S. Rybka, V.E. Strel'nitskij Diamond coatings were deposited by CVD-method from plasma of glow discharge, stabilized by a magnetic field. Results of researches connected with influence on diamond coating synthesis kinetics of discharge current magnitude and substrate temperature were presented. It is shown, that a dependence of growth rate of diamond coat- ings on synthesis temperature for each interval of discharge currents is obtained. The certain dependence of magni- tude of diamond coating resistivity on conditions of their synthesis is not established. However it is established, that there is a certain correlation between change of resistance and growth rate of coatings. 107 УДК 537.534.2:679.826

Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления

Репозитарії

Схожі ресурси