Титульные страницы и содержание

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2018
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150271
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 1-2. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-150271
record_format dspace
spelling irk-123456789-1502712019-04-04T01:25:22Z Титульные страницы и содержание 2018 Article Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150271 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
format Article
title Титульные страницы и содержание
spellingShingle Титульные страницы и содержание
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
title_short Титульные страницы и содержание
title_full Титульные страницы и содержание
title_fullStr Титульные страницы и содержание
title_full_unstemmed Титульные страницы и содержание
title_sort титульные страницы и содержание
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2018
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/150271
citation_txt Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 1-2. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
first_indexed 2025-07-13T00:01:37Z
last_indexed 2025-07-13T00:01:37Z
_version_ 1837487779756376064
fulltext ТЕХНОЛОГИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ Год издания 42-й © Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018. № 42018 ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ 3 14 21 28 33 38 43 44 13, 20, 37 Зарегистрирован в ВАК Украины по разделам «Физико-математические науки», «Технические науки» Реферируется в УРЖ «Джерело» (г. Киев) Журнал включен в международную справочную систему по периодическим и продолжающимся изданиям “Ulrich’s Periodicals Directory” (США), в международную систему библиографических ссылок CrossRef, в наукометрическую базу РИНЦ, в базу данных DOAJ, в Google Scholar Номер выпущен при поддержке ОНПУ (г. Одесса), НПП «Сатурн» (г. Киев), НПП «Карат» (г. Ëüвов) Одобрено к печати Ученым советом ОНПУ (Протокол ¹ 11 от 26.06 2018 г.) Отв. за выпуск: Е. А. Тихонова У×РЕДИТЕËИ Институт физики полупровод - ников им. В. Е. Ëаøкар¸ва Научно-производственное предприятие «Сатурн» Одесскиé наöионалüныé политехническиé университет Издателüство «Политехпериодика» Свидетелüство о регистраöии ¹ КВ 21788-11688ПР от 21.12.2015 г. Ñîâðåмåííыå ýëåêòðîííыå òåõíîëîãèè Эффективностü поразрядноé конвеéеризаöии вы- числениé в FPGA-компонентах систем критическо- го применения. В. В. Никул, А. В. Дрозд, Ю. В. Дрозд, В. С. Озеранский Эëåêòðîííыå ñðåдñòâà: èññëåдîâàíèÿ, ðàзðàбîòêè Исследование характеристик кремниевых фотоэлек- трических преобразователеé солнечных батареé при перегреве. А. В. Иванченко, С. В. Мазурик, А. С. Тонкошкур Ñåíñîýëåêòðîíèêà Электрофизические и фотоэлектрические характери- стики трехбарüерноé фотодиодноé GaAs-структуры. О. А. Абдулхаев, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов, А. А. Якубов, Ш. М. Кулиев Изменение проводимости структур «пористыé крем- ниé с наночастиöами серебра — кремниé» при детек- тировании перекиси водорода. О. Ю. Кутова, М. Г. Душейко, Б. А. Лобода, Т. Ю. Обухова (на укра- инском) ÑВЧ-òåõíèêà Управление падением напряжения кремниевого ди- ода путем облучения электронами и термическоé обработки. А. В. Каримов, А. З. Рахматов, О. А. Абдулхаев, У. Х. Арипова, А. Ю. Хидирназарова, Ш. М. Кулиев Ñèñòåмы ïåðåдàчè è îбðàбîòêè ñèãíàëîâ Метод адаптивноé делüта-модуляöии для произволü- ных коэффиöиентов адаптаöии в сенсорных сетях мобилüного мониторинга ЭКГ. А. В. Тимченко, В. И. Лозинский (на украинском) Ñïèñîê ðåöåíзåíòîâ íîмåðà Ðåêîмåíдàöèè àâòîðàм Íîâыå êíèãè TEKHNOLOGIYA I KONSTRUIROVANIE V ELEKTRONNOI APPARATURE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL Publication year 42st © Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018. N 42018 Ç̲ÑÒ ÑONTENTS Modern electronic technologies Efficiency of the computation bitwise pipelining in FPGA-based components of safety-related sys- tems. V. V. Nikul, A. V. Drozd, J. V. Drozd, V. S. Ozeransky (3) Electronic devices: research, development Investigation into the characteristics of sili- con photovoltaic converters of solar batteries in case of overheating. A. V. Ivanchenko, S. V. Mazurik, A. S. Tonkoshkur (14) Sensors Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure. O. A. Abdulkhaev, D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, A. A. Yakubov, Sh. M. Kuliyev (21) Changing the conductivity of porous silicon with silver nanoparticles/silicon structures when de- tecting hydrogen peroxide. O. Yu. Kutova, M. G. Dusheyko, B. O. Loboda, T. Yu. Obukhova (28) Microwave engineering Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment. A. V. Karimov, A. Z. Rakhmatov, O. A. Abdulkhaev, U. H. Aripova, A.Yu. Khidirnazarova, Sh. M. Kuliyev (33) Signals transfer and processing systems Adaptive delta modulation method for arbitrary adaptation coefficients in the sensor network of the mobile ECG monitoring. O. В. Tymchenko, V. I. Lozynsky (38) Ñóчàñíі åëåêòðîííі òåõíîëîãії Ефективністü порозрядної конвеєризаöіїї об- численü у FPGA-компонентах систем критич- ного застосування. В. В. Нікул, О. В. Дрозд, Ю. В. Дрозд, В. С. Озеранський (3) Åëåêòðîííі зàñîбè: дîñëіджåííÿ, ðîзðîбêè Дослiдження характеристик кремнiєвих фо- тоелектричних перетворювачiв сонячних ба- тареé при перегрiві. О. В. Іванченко, С. В. Мазурик, О. С. Тонкошкур (14) Ñåíñîåëåêòðîíіêà Електрофізичні та фотоелектричні характерис- тики трüохбар'єрної фотодіодної GaAs-струк- тури. О. А. Абдулхаєв, Д. М. Йодгорова, А. В. Карімов, А. А. Якубов, Ш. М. Кулієв (21) Зміна провідності структур «пористиé крем- ніé з наночастинками срібла — кремніé» при детектуванні перекису водню. О. Ю. Кутова, М. Г. Душейко, Б. О. Лобода, Т. Ю. Обухова (28) ÍВЧ-òåõíіêà Управління падінням напруги кремнієво- го діода øляхом опромінення електронами та термічної обробки. А. В. Карімов, А. З. Рахматов, О. А. Абдулхаєв, У. Х. Аріпова, А. Ю. Хідірназарова, Ш. М. Кулієв (33) Ñèñòåмè ïåðåдàчі òà îбðîбêè ñèãíàëіâ Метод адаптивної делüта-модуляöії для довілü- них коефіöієнтів адаптаöії у сенсорніé мережі мобілüного моніторингу ЕКГ. О. В. Тимченко, В. І. Лозинський (38)