Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора - Друзенко, Н.В.; Куц, В.І.; Мосолаб, О.В.; Ушата, Л.В.; Гришин, Ю.Г.; Тартачник, В.П.; Чирко, Л.І.; Опилат, В.Я.; Смирнов, С.Б.; Ластовецький, В.Ф.; Литовченко, П.Г. (Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010)
Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.