Magnetoresistance based determination of basic parameters of minority charge carriers in solid matter
Magnetoresistance as a tool of basic parameters determination of minority charge carriers and the ratio of minority charge carriers conductivity to majority ones in solid matter has been considered within the framework of the phenomenological two-band model. The criterion of the application of thi...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автори: | Uhryn, Y.O., Peleshchak, R.M., Brytan, V.B., Velchenko, A.A. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2017
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157027 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Magnetoresistance based determination of basic parameters of minority charge carriers in solid matter / Y.O. Uhryn, R.M. Peleshchak, V.B. Brytan, A.A. Velchenko // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 43702: 1–7. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
New boundaries for the determination of minor matters
за авторством: E. O. Romanenko, та інші
Опубліковано: (2024) -
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019) -
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019) -
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)