До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 - Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2019)
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.