До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопор...
Saved in:
| Date: | 2019 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/158108 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |