Солован, М., & Мар’янчук, П. (2019). Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Солован, М.М, та П.Д Мар’янчук. Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2019.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Солован, М.М, та П.Д Мар’янчук. Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si. Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України, 2019.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.