Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats
This article describes the developed equipment that allows measuring the photoelectrical parameters of multielement photodetectors, specifically various formats of EMCCD (electron multiplying charge-coupled device) chips. The authors present the measuring techniques and test results on dark currents...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167881 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats / V. Zabudsky, O. Golenkov, O. Rikhalsky, V. Reva, S. Korinets, S. Dukhnin, R. Mytiai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-167881 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1678812020-04-13T01:26:14Z Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats Zabudsky, V. Golenkov, O. Rikhalsky, O. Reva, V. Korinets, S. Dukhnin, S. Mytiai, R. Электронные средства: исследования, разработки This article describes the developed equipment that allows measuring the photoelectrical parameters of multielement photodetectors, specifically various formats of EMCCD (electron multiplying charge-coupled device) chips. The authors present the measuring techniques and test results on dark currents, output amplifier sensitivity, charge transfer efficiency, charge capacity and other parameters. The studies were conducted, both on the wafer and in the body, on samples of the following formats: 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024, and 1280×1024. В данной статье описывается разработанное оборудование, позволяющее измерять фотоэлектрические параметры многоэлементных фотоприемников, в частности, различных форматов микросхем ПЗСЭУ (приборы с зарядовой связью и электронным умножением). Представляны методы измерения и результаты испытаний на темновые токи, чувствительность выходного усилителя, эффективность переноса заряда, зарядную емкость и другие параметры. Исследования проводились на образцах следующих форматов: 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024 и 1280×1024, как на пластине, так и в корпусе. В даній статті описано розроблену вимірювальну систему, що дозволяє досліджувати фотоелектричні параметри багатоелементних фотоприймачів, зокрема ПЗЗЕМ різних форматів. Представлено методики та результати вимірювань темнових струмів, чутливості вихідного підсилювача, ефективності передачі заряду, зарядової ємності та інших параметрів. Дослідження проводилися на зразках формату 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024, 1280×1024 як на пластинах, так і в корпусах. 2019 Article Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats / V. Zabudsky, O. Golenkov, O. Rikhalsky, V. Reva, S. Korinets, S. Dukhnin, R. Mytiai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.03 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167881 621.317.318 en Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Электронные средства: исследования, разработки Электронные средства: исследования, разработки |
| spellingShingle |
Электронные средства: исследования, разработки Электронные средства: исследования, разработки Zabudsky, V. Golenkov, O. Rikhalsky, O. Reva, V. Korinets, S. Dukhnin, S. Mytiai, R. Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
This article describes the developed equipment that allows measuring the photoelectrical parameters of multielement photodetectors, specifically various formats of EMCCD (electron multiplying charge-coupled device) chips. The authors present the measuring techniques and test results on dark currents, output amplifier sensitivity, charge transfer efficiency, charge capacity and other parameters. The studies were conducted, both on the wafer and in the body, on samples of the following formats: 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024, and 1280×1024. |
| format |
Article |
| author |
Zabudsky, V. Golenkov, O. Rikhalsky, O. Reva, V. Korinets, S. Dukhnin, S. Mytiai, R. |
| author_facet |
Zabudsky, V. Golenkov, O. Rikhalsky, O. Reva, V. Korinets, S. Dukhnin, S. Mytiai, R. |
| author_sort |
Zabudsky, V. |
| title |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats |
| title_short |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats |
| title_full |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats |
| title_fullStr |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats |
| title_full_unstemmed |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats |
| title_sort |
measuring system for testing electrical parameters of emccds of various formats |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2019 |
| topic_facet |
Электронные средства: исследования, разработки |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167881 |
| citation_txt |
Measuring system for testing electrical parameters of EMCCDs of various formats / V. Zabudsky, O. Golenkov, O. Rikhalsky, V. Reva, S. Korinets, S. Dukhnin, R. Mytiai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 5-6. — С. 3-7. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT zabudskyv measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT golenkovo measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT rikhalskyo measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT revav measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT korinetss measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT dukhnins measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats AT mytiair measuringsystemfortestingelectricalparametersofemccdsofvariousformats |
| first_indexed |
2025-07-15T01:54:31Z |
| last_indexed |
2025-07-15T01:54:31Z |
| _version_ |
1837676078675525632 |
| fulltext |
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, No 5—6
3ISSN 2225-5818
ELECTRONIC DEVICES: RESEARCH, DEVELOPMENT
1
UDC 621.317.318
Ph.D. V. ZABUDSKY1, Ph.D. O. GOLENKOV1, O. RIKHALSKY2,
Ph.D. V. REVA1, S. KORINETS1, S. DUKHNIN1, R. MYTIAI
Ukraine, Kyiv, 1Institute of Semiconductor Physics of NASU,
2Bogomolets Institute of Physiology of NASU
E-mail: zvv1968@yahoo.com
MEASURING SYSTEM FOR TESTING ELECTRICAL
PARAMETERS OF EMCCDs OF VARIOUS FORMATS
An electron multiplying CCD (EMCCD) is a
special type of CCD detector. EMCCDs are highly
sensitive instruments operating in the visible range
that were developed for low light surveillance and
detection of single photons and have been suc-
cessfully used in various fields over the last two
decades [1—5]. There are many different types
of matrices that differ in resolution, method of
information reading, illumination type — direct
or backlight. The wide range of CCD array pho-
todetectors puts forward extensive and stringent
requirements for the performance of measurement
systems. There is a variety of papers about test-
ing assembled cameras and their driving circuits
[6—8], but little information is found on measur-
ing systems for separate chips on the wafer or in
the body.
Any measuring system of this kind should al-
low for a simple adjusting of AC and DC power
supply of the chip (and its timing diagrams) in
order to control its operating mode, provide a pos-
sibility of testing faulty chips without a damage
to the measuring system, and measure a variety
of parameters for the tested chips. The invention
of EMCCD matrixes called for new requirements,
such as providing an increased clock frequency and
voltage or generation of three-level pulse signals.
In order to test the manufactured silicon chips,
especially at the stage of setting the production
technology, testing equipment with a certain
degree of versatility and tuning capabilities is
required. In this work, the authors developed
testing equipment that allows performing auto-
matic or manual detecting of defective chips and
This article describes the developed equipment that allows measuring the photoelectrical parameters
of multielement photodetectors, specifically various formats of EMCCD (electron multiplying charge-
coupled device) chips. The authors present the measuring techniques and test results on dark currents,
output amplifier sensitivity, charge transfer efficiency, charge capacity and other parameters. The stud-
ies were conducted, both on the wafer and in the body, on samples of the following formats: 576×288,
640×512, 768×576, 1024×1024, and 1280×1024.
Keywords: photodetectors, EM CCD, electron multiplying charge-coupled device, measuring system,
photoelectric parameters.
measuring the parameters of crystals on the wafer
and in the body.
Design of measuring system
The developed equipment has a master part and
a measuring part. The master part allows setting
16 direct and 16 alternating voltages as listed in
Tables 1, 2. These voltages are supplied via 48
DC-voltage channels on the base of AD5328 12-bit
DAC with output amplifiers for precise setting of
required voltage in the given range; sine generator
based on the direct digital synthesis method; digi-
tal pattern generator based on a GigaBee XC6SLX
with a minimum 1/88.88 MHz time discrete and
a maximum pattern length of up to 64 MSample.
The device is connected to a PC via a 100 Mbit
LAN port.
Alternate voltage channels (15 V voltage
swing) are made using EL7156 drivers; high volt-
age (50 V swing) channels are based on LM2435T
drivers. Apart from that, there is also one channel
with three controllable states: low, mid and high
level voltages. It may be useful, for instance, dur-
ing testing of interline transfer type CCDs.
DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.03
Table 1
Parameters of the 16 DC channels
Channel
quantity
Setting
range,
V
Total relative
error
Noise,
mV/300 kHz
8 –5...+15 typical: ±0.1%;
maximal: ±0.5%
from Vmax
< 0.15
4 0...+25 < 0.40
4 0...+35 < 0.70
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, No 5—6
4 ISSN 2225-5818
ELECTRONIC DEVICES: RESEARCH, DEVELOPMENT
2
For all alternate channels, a particular atten-
tion is paid to minimizing the distance from the
drivers to the chip under study. In general, the
shorter the distance the better, because of the fol-
lowing: firstly, the wire has a linear capacitance
(low-pass filter) operating as a receiving antenna,
and secondly, the wire has a linear inductance
(≈1 nH/1 mm) causing waveform distortion and
operating as a transmitting antenna. For example,
inductive reactance of a 10 mm of wire is nearly
1 Ω at a frequency of 20 MHz without taking into
account the skin effect and the effects associated
with resonance in R-L-C circuits. It limits rise
and fall times of high frequency signals (Fig. 1).
The measuring part of the system consists of
two 2-channel 14-bit ADC with a sampling rate
of up to 20 MHz. Analog and digital circuits of
the device are galvanically isolated to minimize
the noise from the system. Each ADC channel
has differential input with a range of the input
signal of ±0.5UREF, where UREF is the reference
voltage than can be coded to 1 or 2 V. ADC is
plugged into a PC via high-speed USB interface.
The measured noise of ADC with shorted input
was about 0.35 mV.
Another part of the measuring system was a
Keithley 2701 voltmeter with two 20-channel
7710 modules. It allows measuring direct current
parameters of the tested chips, for example, re-
sistance between different contact pads, current
consumption on some lines, DC output amplifier
specifications.
Apart from the DC parameters, the system al-
lows measuring other characteristics of the chips,
as shown in Table 3.
In order to make it possible to measure EMCCD
chips of different formats, we used corresponding
adapters from the DIP-48 output of the measuring
system to the body for each type of matrix.
The adapters had incorporated in them a water-
cycling cooling system with a copper heat sink
plate mechanically connected with the EMCCD
Table 2
Parameters of the 16 AC channels
Channel
quantity
Setting range,
V
Wave
front,
ns
Load
(each
channel
4 HL, LL: –5...+10 120...200 up to
12 nF
5
HL: –5...+10 or
0...+15
LL: –5...+15 or
0...+15
< 15 220 pF
5 HL: +5
LL: 0 150 pF
1
HL: +5...+20;
LL, ML: –5...+10
(three level signal)
120...200 up to
12 nF
1
HL: –5...+45
LL: –5...+15
(square or sine
wave)
20 100 pF,
10 mA
Fig. 1. Electrical diagram and
the results of its simulation that
illustrate the effect of inductance
on the limitation of rise and fall
times for high-frequency signals.
Simulation was performed using
0, 20, 40, 60 nH inductances
25
20
15
10
5
0
–5
–10
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T, secs
Table 3
Electrical parameters of EMCCD matrices that can
be measured by the developed test system
Parameter Range
Average dark signal > 1 e–/pixel/s
Multiplication gain 1—1000
Peak output voltage
(POV) < 1 V
Output amplifier responsivity
(OAR) μV/e–
Electric charge transfer
efficiency (CTE) ≤ 0.99995
Dark signal non-uniformity
(DSNU) —
Register charge capacity —
White or black column quantity —
—
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, No 5—6
5ISSN 2225-5818
ELECTRONIC DEVICES: RESEARCH, DEVELOPMENT
3
Fig. 2. Mea su ring system in general and an example of
how a 640×512 EMCCD chip is connected to the system
body surface. TED200C temperature controller
and Keithley 2701 were used to manage operat-
ing temperature of the chip with a built-in Peltier
element in the –20...+20°C range (see Table 4).
Fig. 2 shows the test system in general and an
example of how a 640×512 EMCCD chip is con-
nected to the measuring system.
A controlled light source was located above the
chip, providing uniform lighting of the matrix in
the range of illumination from complete darkness
to the level allowing for output signal saturation.
Measurements techniques and test examples
During the process of detecting defective crys-
tals on the wafer or when measuring chips in the
body, the parameter that should be monitored
first of all is resistance between the buses. The
Table 4
Temperature of the chip at different values of current
passing through the built-in Peltier element
Temperature, °C Current, A
–20 1.010
–18 0.905
–15 0.780
–10 0.582
–5 0.464
0 0.357
5 0.260
10 0.173
15 0.096
entire test of the DC parameter is divided into 2
parts: first, the current is measured at 0.25 V, and
then, if the previous step is successful, at 5 V. The
goal here is to prevent big currents in case of bus
shortages that can cause damage to the measuring
bench. Fig. 3 shows an application window with
an example of the results of the 640×512 DC test.
Other electrical parameters, such as maximum
output voltage, charge capacity, output amplifier
responsivity in normal and gain modes were de-
termined using the scheme shown in Fig. 4. It is
a chip measurement scheme with no anti-blooming
function, when all currents flow through a so-
called reset drain transistor, often referred to as
RD. However, if antiblooming function is embed-
ded into the chip, the output signal dependence
from the RD-current does not define output signal
saturation. Instead, the dependence of the output
signal on the chip illumination is measured and the
RD-current is measured in the saturation point.
Fig. 5 presents the test results for the 640×512
EMCCD, i.e., graphs for the volt-charge respon-
sivity for the normal and gain modes, the aver-
age dark signal, and the dependence of gain on
the R02HV voltage. Measured and calculated
EMCCD parameters are shown in Table 5.
Fig. 3. Measuring of currents between different contact
pads of the chip
Fig. 4. Flow chart for measuring of maximum output
voltage, charge capacity and output amplifier responsiv-
ity and a generalized experimental dependence
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, No 5—6
6 ISSN 2225-5818
ELECTRONIC DEVICES: RESEARCH, DEVELOPMENT
4
Fig. 5. Test results on the measuring system (volt-charge responsivity for normal and gain modes, average dark
signal, and gain vs. R02HV voltage)
We have tested the system by measuring param-
eters of 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024,
1280×1024 matrixes both on the wafer and in the
body. It has been found that the system allows
detecting defective chips automatically or manu-
ally and measuring the parameters of the crystals.
REFERENCES
1. Denvir D. J., Conroy E. Electron multiplying CCD
technology: the new ICCD. Proc. SPIE, 2002, pp. 4796.—
http://dx.doi.org/10.1117/12.457779
2. Seitz P., Theuwissen A. J. P. Single-Photon Imaging,
Springer, 2011.
3. Daigle O., Djazovski O., Francoeur M. et al. EMCCDs:
10 MHz and beyond. Proc. SPIE, 9154, 91540B, 2014.
http://dx.doi.org/10.1117/12.2054977
4. Wilkins A. N., McElwain M. W., Norton T. J. et
al. Characterization of a photon counting EMCCD for
spacebased high contrast imaging spectroscopy of extrasolar
planets. Proc. SPIE, 9154, 91540C, 2014. http://dx.doi.
org/10.1117/12.2055346
5. Reva V. P., Korinets S. V., Golenkov A. G. et al.
[Electron Multiplication CCD Photomatrixes]. Tekhnologiya
i konstruirovaniye v elektronnoy apparature, 2017, no 1-2,
pp. 33-37. http://dx.doi.org/10.15222/ TKEA2017.1-2.33
6. Dussault D., Hoess P. Noise performance comparison of
ICCD with CCD and EMCCD cameras. Proc. SPIE, 5563,
2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.561839
7. Soesbe T. C., Lewis M. A., Richer E. et. al.
Development and Evaluation of an EMCCD Based Gamma
Camera for Preclinical SPECT Imaging. IEEE Transactions
on Nuclear Science, 2007, vol. 54, pp. 1516. http://dx.doi.
org/10.1109/TNS.2007.906408.
8. Qiang Wua, Zhao-Hui Fengb and Xu-Wen Li. Design
and test of an EMCCD CCD201 sensor driving circuit.
Advances in Engineering Research, 2017, vol. 116, pp. 319.
Received 20.11 2019
Table 5
Measured and calculated EMCCD parameters
Peak output voltage, norm
mode (max) 0.177 V
Saturation charge 132151 e–/pixel
Peak output voltage, high
gain mode (max) 1.782 V
Charge handling capability of
gain register 1280481 e–/pixel
White column defects 3
Dark column defects quantity 18
Average dark signal 0.002939 V/pixel/s
2396 e–/pixel/s
Output amplifier responsivity 1.416 uV/e– (NM:
1.226 uV/e–)
Dark signal non-uniformity
(rms) 67.334%
Charge transfer efficiency 99.908%
Conclusion
The measuring system that allows measuring
photoelectrical parameters of EMCCD chips of
various formats has been developed. The flexible
design of the measuring system allows testing
different types and formats of EMCCD matrixes.
Опис статті для цитування:
Zabudsky V., Golenkov O., Rikhalsky O., Reva V.,
Korinets S., Dukhnin S., Mytiai R. Measuring system for
testing electrical parameters of EMCCDs of various formats.
Техно логия и конструи рование в электронной аппаратуре,
2019, № 5-6, с. 3—7. http://dx.doi.org/10.15222/
TKEA2019.5-6.03
Cite the article as:
Zabudsky V., Golenkov O., Rikhalsky O., Reva V.,
Korinets S., Dukhnin S., Mytiai R. Measuring system for
testing electrical parameters of EMCCDs of various formats.
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature,
2019, no. 5-6, pp. 3-7. http://dx.doi.org/10.15222/
TKEA2019.5-6.03
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, No 5—6
7ISSN 2225-5818
ELECTRONIC DEVICES: RESEARCH, DEVELOPMENT
5
В. В. ЗАБУДСЬКИЙ1, O. Г. ГОЛЕНКОВ1,
О. В. РИХАЛЬСЬКИЙ2, В. П. РЕВА1,
С. В. КОРІНЕЦЬ1, С. Є. ДУХНІН1, Р. І. МИТЯЙ
Україна, м. Київ, 1Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України,
2Інститут фізіології ім. О. О. Богомольця НАН України
E-mail: zvv1968@yahoo.com
ВИМІРЮВАЛЬНА СИСТЕМА ДЛЯ ТЕСТУВАННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ
ПАРАМЕТРІВ ПЗЗЕМ РІЗНОГО ФОРМАТУ
Прилади з зарядовим зв’язком (ПЗЗ) з електронним множенням (ЕМ) — це високочутливі детектори
видимого діапазону, що були розроблені для спостереження в умовах слабкої освітленості та реєстрації
одиничних фотонів і успішно використовуються у різних сферах протягом останніх двох десятиліть.
Існує багато різних типів матриць, що відрізняються роздільністю, способом зчитування інформації,
прямим або зворотнім засвічуванням. Велика кількість типів ПЗЗ-фотодетекторів висуває підвищені
вимоги до проектування вимірювальних систем. В літературі досить часто описуються процеси проек-
тування та тестування готових камер, але бракує інформації щодо вимірювальних систем для тесту-
вання окремих мікросхем ПЗЗ на пластині або в корпусі.
В будь-якому разі вимірювальна система повинна надавати можливості для швидкого регулювання
постійних і змінних напруг живлення чипу (та їхніх часових діаграм) для коректування режиму його
роботи, передбачати ймовірність тестування несправних мікросхем і при цьому уникати пошкоджен-
ня апаратури, а також вимірювати різноманітні параметри досліджуваних зразків. Крім цього, розви-
ток технологій ПЗЗ також призводить до появи нових вимог, наприклад підвищеної частоти тактових
імпульсів та їхньої напруги, генерації трирівневих імпульсних сигналів. Для тестування виготовлених
кремнієвих мікросхем, особливо на етапі впровадження технології виробництва, необхідне обладнання з
певним ступенем універсальності та можливостей налаштування.
В даній статті описано розроблену вимірювальну систему, що дозволяє досліджувати фотоелектричні
параметри багатоелементних фотоприймачів, зокрема ПЗЗЕМ різних форматів. Представлено мето-
дики та результати вимірювань темнових струмів, чутливості вихідного підсилювача, ефективності
передачі заряду, зарядової ємності та інших параметрів. Дослідження проводилися на зразках формату
576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024, 1280×1024 як на пластинах, так і в корпусах.
Розроблений випробувальний стенд дозволяє проводити автоматичне або ручне відбраковування
мікросхем і вимірювати фотоелектричні параметри кристалів на пластинах і в корпусі. Принцип по-
будови вимірювальної системи дозволяє використовувати її для дослідження матриць ПЗЗЕМ різних
типів та форматів.
Ключові слова: фотодетектори, прилади з зарядовим зв’язком з електронним множенням, вимірювальна
система, фотоелектричні параметри.
В. В. ЗАБУДСКИЙ1, А. Г. ГОЛЕНКОВ1,
О. В. РИХАЛЬСКИЙ2, В. П. РЕВА1,
С. В. КОРИНЕЦ1, С. Е. ДУХНИН1, Р. И. МИТЯЙ
Украина, г. Киев, 1Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины,
2Институт физиологии им. А. А. Богомольца НАН Украины
E-mail: zvv1968@yahoo.com
ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ТЕСТИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЗСЭУ РАЗНОГО ФОРМАТА
В данной статье описывается разработанное оборудование, позволяющее измерять фотоэлектрические
параметры многоэлементных фотоприемников, в частности, различных форматов микросхем ПЗСЭУ
(приборы с зарядовой связью и электронным умножением). Представляны методы измерения и резуль-
таты испытаний на темновые токи, чувствительность выходного усилителя, эффективность переноса
заряда, зарядную емкость и другие параметры. Исследования проводились на образцах следующих фор-
матов: 576×288, 640×512, 768×576, 1024×1024 и 1280×1024, как на пластине, так и в корпусе.
Ключевые слова: фотоприемник, ПЗСЭУ, прибор с зарядовой связью и электронным умножением, изме-
рительная система, фотоэлектрические параметры.
DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.03
УДК 621.317.318
DOI: 10.15222/TKEA2019.5-6.03
УДК 621.317.318
|