Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов - Надточий, В.А.; Нечволод, Н.К.; Москаль, Д.С. (Физика и техника высоких давлений, 2004)
Разработана установка, позволяющая исследовать микропластичность алмазоподобных полупроводников. При температуре 300 K это достигается снятием кривых σ−ε или ε−t. В интервале 77–300 K зарождение дислокаций в приповерхностных слоях кристаллов можно регистрировать по изменениям электропроводности, времени жизни носителей заряда в образцах или обратного тока полупроводниковых p–n-переходов.