Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений
В работе анализируется распределение уровня сигнала «логический ноль» (UOL) для выборки биполярных ИМС, изготовленных с применением радиационно-технологического процесса с использованием α-частиц от радиоизотопного источника и электронов с энергией ≡ 5 МэВ при действии тестирующего γ- и электронного...
Gespeichert in:
Datum: | 2018 |
---|---|
1. Verfasser: | Быткин, С.В. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2018
|
Schriftenreihe: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168187 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Экспериментально-статистическое моделирование применения радиационно-технологических процессов для замедления деградации UOL биполярных интегральных микросхем в полях ионизирующих злучений / С.В. Быткин // Журнал фізики та інженерії поверхні. — 2018. — Т. 3, № 1. — С. 26-36. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Проектирование биполярных микросхем широкополосных усилителей диапазона 40 МГц
von: Попов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Нейросетевая технология распознавания объектов топологии интегральных микросхем
von: Дудкин, А.А.
Veröffentlicht: (2008) -
Неокогнитрон для распознавания объектов топологии интегральных микросхем
von: Дудкин, А.А.
Veröffentlicht: (2008)