Быткин, С., & Критская, Т. (2018). Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationБыткин, С.В, and Т.В Критская. Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2018.
MLA (8th ed.) CitationБыткин, С.В, and Т.В Критская. Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе P⁺n структур при облучении α- частицами. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2018.