Влияние изовалентного легирования Si германием на вероятность образования примесно-дефектных комплексов в базе p⁺n структур при облучении α- частицами - Быткин, С.В.; Критская, Т.В. (Журнал физики и инженерии поверхности, 2018)
Проведен расчет вероятности образования А-, Е-, К-центров в CZ nSiGe c использованием ранее полученных эмпирических S-образных зависимостей накопления примесно-дефектных комплексов от интегрального потока α-частиц. Показано, что вероятность захвата вакансий атомами междоузельного кислорода в SiGe нелинейно зависит от дозы облучения, причем ее интегральное значение в диапазоне Φα ≈ 10⁹…5·10¹⁰ см⁻² существенно ниже, чем в контрольных образцах nSi. Полученные результаты объясняются с использованием имеющихся в литературе моделей. Изменение вероятности дефектообразования хорошо коррелирует с данными по деградации времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда в базе p⁺n структуры.