Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів
Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплет...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2018
|
| Schriftenreihe: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168761 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-168761 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1687612020-05-09T01:26:50Z Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів. Исследование применения нанотекстурированного сапфира как темплета при MOCVD-гетероэпитаксии ІІІ-нитридов. It is considered some applications of nano-textured sapphire templates with MOCVD- III-nitride hetero-structure, namely its suitability for use in UV photodiodes and for energy storage layers, as ideally suited through its high thermal, chemical and radiation resistance due to the strong bond between nitrogen and group III atoms for space, biological, and military integrated circuits, where traditional silicon does not fit. 2018 Article Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. 1560-9189 DOI: https://doi.org/10.35681/1560-9189.2018.20.3.158511 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168761 621.382; 621.383 uk Реєстрація, зберігання і обробка даних Реєстрація, зберігання і обробка даних Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| spellingShingle |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description |
Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів ІІІ-нітридів. |
| format |
Article |
| author |
Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. |
| author_facet |
Суховій, Н.О. Ляхова, Н.М. Масол, І.В. Осінський, В.І. |
| author_sort |
Суховій, Н.О. |
| title |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_short |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_full |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_fullStr |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_full_unstemmed |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів |
| title_sort |
дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при mocvd-гетероепітаксії ііі-нітридів |
| publisher |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| publishDate |
2018 |
| topic_facet |
Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/168761 |
| citation_txt |
Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів / Н.О. Суховій, Н.М. Ляхова, І.В. Масол, В.І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2018. — Т. 20, № 3. — С. 13–20. — Бібліогр.: 28 назв. — укр. |
| series |
Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| work_keys_str_mv |
AT suhovíjno doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT lâhovanm doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT masolív doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív AT osínsʹkijví doslídžennâzastosuvanʹnanoteksturovanogosapfíruâktempletuprimocvdgeteroepítaksííííínítridív |
| first_indexed |
2025-07-15T03:31:48Z |
| last_indexed |
2025-07-15T03:31:48Z |
| _version_ |
1837682193276600320 |
| fulltext |
ISSN 1560-9189 , , 2018, . 20, 3 13
621.382; 621.383
. . 1, . . 1, . . 2, . . 1
1 « - »
« »
. - , 3, 04136 ,
2 « »
. , 4, 03067 ,
MOCVD- -
MOCVD III- GaN-
( ) .
( , ) -
MOCVD
(<10 )
- . , -
-GaN
(~5×106 –2) , -GaN-
(375–475 )
.
-
, , -
, , -
,
AlCN BCN MOCVD-
, .
: - , , , MOCVD,
, , .
- , , , -
’ III , -
,
, [1–3]. -
- - SiC- -
, , -
© . . , . . , . . , . .
. . , . . , . . , . .
14
, . ,
-
(109–1010 –2)
- ,
, -
, , -
, - -
. -
2–3 ,
. (ELOG — epitaxial
lateral overgrowth) 107 –2, -
[4]. -
, -
- -
. -
, , ,
’ , -
, -
[5–7]. -
VD (metalorganic chemical vapor deposition — -
) III-
( ) -
.
, -
,
[6, 7], , -
, Rc, -
( , ,
, , -
’ - ).
MOCVD- -
, -
( MOCVD EPIQUIP, -
, 1050 , 20 , 20 [8])
Rc < 10 . -
-
( . 1). ,
-GaN, ,
(JSM-IC845
«JEOL», ) , .
. 1, - -
GaN p-i-n- ( . 1, ), -
.
MOCVD- -
ISSN 1560-9189 , , 2018, . 20, 3 15
, , -
-
0
d
x
LI I e ,
I0 — ; —
; Ld — .
. 1. GaN
: ) -
p-i-n-GaN- ; )
p-i-n-GaN- ; ) -
( Rc < 10 ); ) GaN- ’
(1 — , 2 — );
) GaN- ’
-
-GaN Ld 3,0 , [9, 10]
~5×106 –2 ( . 2, ) -
~70 % ( . 2, ).
. . , . . , . . , . .
16
) )
. 2. ( )
-GaN ( )
( . 1, )
GaN- ’ , -
( . 1, ) . -
-26 -30 (
200–450 ) (340–1100 ). -
.
, GaN- ’ -
(375–475 ) ( . 1, ) , -
,
.
VD-
[11, 12]. -
MOCVD- -
ISSN 1560-9189 , , 2018, . 20, 3 17
, , ,
, , .
-
2D- -
( , , ). , -
( , SrTiO3)
[13, 14]. -
,
(h-BN) 2
’ [15].
h-BN
. ( 100 %) -
~5 .
-
-
[16]. , , -
. -
[17, 18]. , , -
, h-BN [19, 20], -
, . -
h-BN
( SiO2 [21]),
(169 ) [22]
,
[23–25]. h-BN, -
,
. h-BN 2
SiO2/Si [26]. , -
-
(h-BN)
( . 3), , -
.
. 3. ,
(h-BN)
VD- - (AlN, BN) [8, 11] -
( , ) , -
Rc <10 ( -
. . , . . , . . , . .
18
-
>5 %),
, , h-BN, -
, , -
-
( . 4).
. 4. AlCN ( N)
VD- ( )
-
, , .
, -
[27].
AlN
(111) Ag- [28]. ,
,
, .
AlN ,
[8]. -
,
.
-
-
, TMA
( , ). = 250–1100 TMA
( ) -
,
.
-
- -71 -
( ).
MOCVD- -
ISSN 1560-9189 , , 2018, . 20, 3 19
-
Al4C3 (B4C3) AlCN (BCN) ( . 4).
, VD-
( , ), -
, ( -
).
VD- -
- (AlN, BN) -
Rc <10 , -
( -
~5×106 –2) :
— GaN- -
(375–475 )
, -
;
—
(h-
BN), ;
— AlCN N VD-
-
.
1. Yoon S.F., Li X.B., Kong M.Y. Some properties of gallium nitride films grown on (0 0 0 1)
oriented sapphire substrates by gas source molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1997.
Vol. 180. P. 27–33.
2. Extreme Environments Technologies for Future Space Science Missions/In Kolawa E. editor.
National Aeronautics and Space Administration, Jet Propulsion Laboratory, 2007.
3. Miller R.A., Cruden B.A., Martinez R., Senesky D.G. In situ ultraviolet shock radiance
measurements using GaN-on-sapphire photodetectors. Review of Scientific Instruments. 2017. Vol.
11(88). P. 115004.
4. Beaumont B., Vennéguès P., Gibart P. Epitaxial lateral overgrowth of GaN. Physica status
solidi (b). 2001.Vol. 227. N 1. P. 1–43.
5. . ., . ., . ., . ., . .
Si/ 3 5. . « -
». 2008. 1–2. ( . 1). . 70–75.
6. . .
- . . 2011. 3. . 39–43.
7. Lyahova N. . Simulation of porous Al anodic oxide template for GaN Selective Epitaxy.
nternational scientific conference Electronics and Electronics and Nanotechnology. Kyiv. 2011. . 93.
8. . ., . ., . ., . .
- III- . - - -
. 2012. 1. . 62–72.
9. Karpov S., Yu N. et al., Dislocation effect on light emission ef ciency in gallium nitride.
Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81. N 81. . 4721–4723.
10. Chernyak L., Osinsky A., Temkin H., Yang J.W., Chen Q., Asif Khan M. Electron beam
induced current measurements of minority carrier diffusion length in gallium nitride. Applied physics
letters. 1996. Vol. 69. N 17. P. 2531–2533.
. . , . . , . . , . .
20
11. Osinsky V.I., Masol I.V., Lyahova N.N., Suhoviy N.O., Onachenko M.S., Osinsky A.V. Some
technology aspects for quantum enestor through AIIIBV multicomponent nanoepitaxy. Semiconductor
Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2017. Vol. 20. N 2. P. 254–258.
12. Osinsky V.I., Masol I.V., Feldman I.Kh., Diagilev, A.V., Sukhovii N.O. Integration of
LED/SC chips (matrix) in reverse mode with solar energy storage. Semiconductor Physics, Quantum
Electronics and Optoelectronics. 2016. Vol. 19. N 2. P. 215–219.
13. Stengel M., Spaldin N.A. Origin of the dielectric dead layer in nanoscale capacitors. Nature.
2006. Vol. 443. N 7112. P. 679–682.
14. Saad M.M., Baxter P., Bowman R.M., Gregg J.M., Morrison F.D., Scott J.F. Intrinsic
dielectric response in ferroelectric nano-capacitors. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004. Vol. 16.
N 41. P. L451.
15. Shi G., Hanlumyuang Y., Liu Z., Gong Y., Gao W., Li B., Kono J., Lou J., Vajtai R., Sharma P.,
Ajayan P.M. Boron nitride-graphene nanocapacitor and the origins of anomalous size-dependent increase
of capacitance. Nano Lett. 2014. Vol. 14. N 4. P. 1739–1744.
16. Novoselov K.S, Geim A.K, Morozov S.V., Jiang D., Katsnelson M.I., Grigorieva I.V.,
Dubonos S.V., Firsov A.A. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature. 2005.
N 438. P. 197–200.
17. Chen J.H., Jang C., Xiao S., Ishigami M., Fuhrer M. Intrinsic and extrinsic performance limits
of graphene devices on SiO2. Nature Nanotechnology. 2008. N 3. P. 206–209.
18. Fratini S., Guinea F. Substrate-limited electron dynamics in graphene. Phys. Rev. B. 2008. N
77. P. 195415.
19. Dean C.R., Young A.F., Meric I, Lee C, Wang L, Sorgenfrei S., Watanabe K., Taniguchi T.,
Kim P., Shepard K.L, Hone J. Boron nitride substrates for high quality graphene electronics. Nature
Nanotechnology. 2010. Vol. 5. P. 722–726.
20. Mayorov A.S., Gorbachev R.V., Morozov S.V., Britnell L., Jalil R., Ponomarenko L.A., Blake
P., Novoselov K.S., Watanabe K., Taniguchi T., Geim A.K. Micrometer-scale ballistic transport in
encapsulated graphene at room temperature. Nano Lett. 2011. N 11. P. 2396–2399.
21. Lee G.H., Yu Y.J., Lee C., Dean C., Shepard K.L., Kim P., Hone J. Electron tunneling through
atomically flat and ultrathin hexagonal boron nitride. Applied Physics Letters. 2011. N 99. P. 243114.
22. Serrano J., Bosak A., Arenal R., Krisch M., Watanabe K., Taniguchi T., Kanda H., Rubio A.,
Wirtz L. Vibrational Properties of Hexagonal Boron Nitride: Inelastic X-Ray Scattering and Ab Initio
Calculations. Phys. Rev. Lett. 2007. N 98. P. 095503.
23. Geim A.K. & Grigorieva I.V. Van der Waals heterostructures. Nature. 2013. N 499. P. 419–
425.
24. Wang H., Taychatanapat T., Hsu A., Watanabe K., Taniguchi T., Jarillo-Herrero P., Palacios
T. BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications. IEEE Electron Device Lett. 2011. N 32. P. 1209–
1211.
25. Zomer P.J., Dash S.P., Tombros N. & Van Wees B.J. A transfer technique for high mobility
graphene devices on commercially available hexagonal boron nitride. Applied Physics Letters. 2011. N
99. P. 232104.
26. Jang A.R., Hong S., Hyun C., Yoon S.I., Kim G., Jeong H.Y., Shin T.J., Park S.O., Wong K.,
Kwak S.K., Park N., Yu K., Choi E., Mishchenko A., Withers F., Novoselov K.S., Lim H., Shin H.S.
Wafer-Scale and Wrinkle-Free Epitaxial Growth of Single-Oriented Multilayer Hexagonal Boron Nitride
on Sapphire. Nano Lett. 2016. N 16. P. 3360–3366.
27. Wend-Sieh Z., Nasreen G. Chopra, Cherrey K., Gronsky R. Synthesis of BxCyNz nanotubes.
Phys. Rev. B. 1995. N 51. P. 11229–11232.
28. Tsipas P., Kassavetis S., Tsoutsou D., Xenogiannopoulou E., Golias E., Giamini S.A.,
Grazianetti C. Chiappe D, Molle A., Fanciulli M., Dimoulas A. Evidence for graphite-like hexagonal AlN
nanosheets epitaxially grown on single crystal Ag(111). Applied Physics Letters. 2013. Vol. 103. N. 25.
P. 251605.
31.08.2018
|