Эффекты слабой локализации и междырочного взаимодействия в d-слоях бора эпитаксиального кремния - Красовицкий, Вит.Б.; Макаровский, О.Н.; Миронов, О.А.; Волл, Т.; Мэтью, Н. (Физика низких температур, 1995)
Впервые экспериментально исследованы гальваномашитные свойства d-слоя бора эпитаксиального кремния (концентрация носителей заряда 7 * 10² см⁻²) в слабых магнитных полях 10⁻³ -2 Тл при температурах 1,7~50 К. Показано, что температурная зависимость проводимости обусловлена совместным проявлением эффектов слабой локализации (СЛ) при спин-орбитальпом взаимодействии и дырочно-дырочного взаимодействия (ДДВ) в диффузионном канале. При изучении темпера турных зависимостей магпитопроводимости и эффекта Холла разделены вклады эффектов CЛ и ДДВ и определены их характерные параметры. Из магпитополевых зависимостей, которые с высокой точностью описываются формулами для СЛ без учета ДДВ в диффузионном канале, получены абсолютные значения и температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции электронов Т⁻¹, что свидетельствует о преобладании при низких температурах ДДВ в процессах неупругой релаксации. При сравнении машитосонротивлепин в перпендикулярном и параллельном d-слою матичных полях найдена эффективная толщина кпазидвумериого дырочного капала, которая во всем диапазоне исследованных температур оказалась равной (8,5 ± 0,5) * 10⁻⁹ м.