Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
Изучены температурные (в интервале 1,6-20 К) и магнитополевые (до 4,5 Тл) зависимости проводимости и эдс Холла для δ(Sb)-слоев в Si при различной холловской концентрации носителей заряда. Показано, что эти зависимости с высокой точностью описываются квантовыми поправками к проводимости, связанными с...
Saved in:
| Date: | 1996 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174977 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия / В.Ю. Каширин, Ю.Ф. Комник, О.А. Миронов, Ч.Дж. Эмелеус, Т.Э. Волл // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 10. — С. 1174-1185. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |