Переход от сильной к слабой локализации электронов в перколяционной пленке золота под влиянием электрического поля
Исследована проводимость при низких температурах (0,5-55 К) несплошной пленки золота вблизи порога протекания. Обнаружено, что сопротивление пленки сильно зависит от величины приложенного напряжения U, изменением которого пленку можно обратимым образом переводить из диэлектрического в металлический...
Saved in:
| Date: | 1997 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175160 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Переход от сильной к слабой локализации электронов в перколяционной пленке золота под влиянием электрического поля / Б.И. Белевцев, Е.Ю. Беляев, Ю.Ф. Комник, Е.Ю. Копейченко // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 9. — С. 965-976. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследована проводимость при низких температурах (0,5-55 К) несплошной пленки золота вблизи порога протекания. Обнаружено, что сопротивление пленки сильно зависит от величины приложенного напряжения U, изменением которого пленку можно обратимым образом переводить из диэлектрического в металлический режим проводимости. Это дало возможность изучать переход металл — изолятор путем изменения электрического поля. При низких U ≤ 0,05 В пленка вела себя как диэлектрик с сопротивлением «на квадрат» Rп до 10 МОм. В этом состоянии наблюдались зависимости R(T) ∝ ехр (1/Т) (при Т ≤ 20 К) и R(U) ∝ exp (1/U) (при Т ≤ 1 К и U > 0,1 В). При высоких напряжениях U ≈ 10 В) пленка имела сопротивление Rп ≈ 5 кОм и вела себя как «грязный» металл. Магнитосопротивление (МС) в металлическом режиме было положительным и соответствовало влиянию эффекта слабой локализации. В диэлектрическом режиме МС было отрицательным и описывалось выражением ΔR(H)/R(0) ∝ -H₂/T. Отрицательное МС проявилось в условиях электронных прыжков между ближайшими соседями. Такое поведение является необычным, а природа его до сих пор не объяснена. На основании полученных данных проведено обсуждение зависимостей сопротивления от температуры, напряжения и магнитного поля, а также общей природы наблюдаемого перехода металл — изолятор. |
|---|