Двухмасштабная электронная структура медно-оксидных сверхпроводников и механизм притяжения дырок - Ратнер, А.М. (Физика низких температур, 1995)
Акцепторная примесь, распределяющаяся в кристаллографической плоскости, параллельной проводящей плоскости СuO₂ , создает в ней кулоновский потенциал с большим характерным расстоянием. Дно дырочной зоны, искривленное этим потенциалом, играет роль вторичного потенциального рельефа, проявляющегося в анизотропии проводимости и аномалиях комбинационного рассеяния. Между дырками, локализованными в минимумах вторичного рельефа, действует ван-дер-ваальсовское притяжение, достаточное для образования сверхпроводящей щели шириной в десятки миллиэлектронвольт. Перечисленные явления рассмотрены на примере сверхпроводника YВа₂Сu₃О₆₊x. Приведены экспериментальные данные, подтверждающие связь между механизмом сверхпроводимости и вторичным потенциальным рельефом.