Кинетика pоста кpисталла ⁴He с малой концентрацией пpимеси ³He - Цымбаленко, В.Л. (Физика низких температур, 1997)
Измерен кинетический коэффициент роста атомно-шероховатой поверхности кристалла гелия из раствора с примесью ³Не (х = 8-10⁻⁵ , 2-10⁻⁴). В интервале температур 1,2 -1,4 К примесь не влияла на кинетику роста. Сравнение результатов с теорией позволяет сделать вывод об отсутствии дополнительного вклада в кинетику роста за счет диффузии примеси.