Тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки в висмуте. I. Квантовые эффекты. - Комник, Ю.Ф.; Андриевский, В.В,; Рожок, С.В. (Физика низких температур, 1996)
Показано, что тонкая структура линии поперечной электронной фокусировки (ЭФ) в кристалле висмута связана с явлением дифракции электронного потока, втекающего в кристалл через микроконтакт. В методе ЭФ баллистический транспорт электронов на циклотронной траектории сохраняет неоднородное угловое распределение дифрагированных электронов, которое проявляется на фоне первой линии ЭФ в виде дополнительных максимумов. Положение максимумов и их смещение по магнитному полю при изменении энергии электронов соответствует теоретическим расчетам.