Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, раз...
Gespeichert in:
| Datum: | 1997 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175575 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием / В.А. Николаенко, Ю.З. Ковдря, Х. Яяма, А. Томокийо // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 5-6. — С. 642-648. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над
жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см.
Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под
действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы.
Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается
меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты
обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах. |
|---|