Подвижность и локализация носителей в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием - Николаенко, В.А.; Яяма, Х.; Ковдря, Ю.З.; Томокийо, А. (Физика низких температур, 1997)
Измерялась проводимость и подвижность носителей в квазиодномерной электронной системе над жидким гелием в области температур 0,5-1,8 Кв прижимающих электрических полях до 2,5 кВ/см. Система квазиодномерных каналов создавалась с использованием оптических дифракционных решеток высокого качества, размещающихся на некоторой высоте h над жидким гелием, который под действием капиллярных сил затекал в бороздки решеток и образовывал одномерные жидкие каналы. Показано, что подвижность электронов уменьшается с увеличением h, при этом подвижность оказывается меньше аналогичной величины для массивного гелия. С понижением температуры подвижность сначала возрастает, проходит через максимум и затем начинает падать. Обнаруженные эффекты обьясняются локализацией носителей в квазиодномерных электронных системах.