Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x

Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же услов...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Хаджай, Г.Я., Вовк, Р.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Короткі повідомлення
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176071
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-176071
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1760712021-02-04T01:29:10Z Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x Хаджай, Г.Я. Вовк, Р.В. Короткі повідомлення Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же условий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих. Досліджено релаксацію високотемпературного опору, ρ(300 К, t), монокристалу НоBa₂Cu₃O₇–x після різкої зміни гідростатичного тиску. Зіставлення отриманого закону релаксації електроопору та релаксації критичної температури надпровідного переходу Тс для тих же умов експерименту свідчить про анізотропію коалесценції вакансійних кластерів: в площинах Сu–О переважає коалесценція вакансійних кластерів, проте в об'ємі зразка відбувається як зародження нових кластерів, так і коалесценція існуючих. The relaxation of high-temperature resistance, ρ(300 K, t), of НоBa₂Cu₃O₇–x single crystals after a sharp change in hydrostatic pressure was studied. A comparison of electrical resistance relaxation with Тс relaxation (Тс is critical temperature superconducting transition) indicates the anisotropy of relaxation of vacancy clusters: the coalescence of clusters prevails in the Cu–O planes, however, in the sample volume, both the nucleation of new clusters and the coalescence of existing ones occur. 2019 Article Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176071 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Короткі повідомлення Короткі повідомлення
spellingShingle	Короткі повідомлення Короткі повідомлення Хаджай, Г.Я. Вовк, Р.В. Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x Физика низких температур
description	Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла НоBa₂Cu₃O₇–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации электросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же условий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих.
format	Article
author	Хаджай, Г.Я. Вовк, Р.В.
author_facet	Хаджай, Г.Я. Вовк, Р.В.
author_sort	Хаджай, Г.Я.
title	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_short	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_full	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_fullStr	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_full_unstemmed	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x
title_sort	индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах ноba₂cu₃o₇–x
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2019
topic_facet	Короткі повідомлення
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176071
citation_txt	Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 538-541. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT hadžajgâ inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektričeskogosoprotivleniâvslabodopirovannyhmonokristallahnoba2cu3o7x AT vovkrv inducirovannaâvysokimdavleniemrelaksaciâélektričeskogosoprotivleniâvslabodopirovannyhmonokristallahnoba2cu3o7x
first_indexed	2025-07-15T13:41:20Z
last_indexed	2025-07-15T13:41:20Z
_version_	1837720540893151232
fulltext	Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2019, т. 45, № 4, c. 538–541 Краткие сообщения Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa2Cu3O7–x Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина E-mail: gkhadjai@univer.kharkov.ua Статья поступила в редакцию 24 октября 2018 г., после переработки 9 ноября 2018 г., опубликована онлайн 25 февраля 2019 г. Исследована релаксация высокотемпературного сопротивления, ρ(300 К, t), монокристалла HoBa2Cu3O7–x после резкого изменения гидростатического давления. Сопоставление полученного закона релаксации элек- тросопротивления c релаксацией критической температуры сверхпроводящего перехода Тс для тех же усло- вий эксперимента свидетельствует об анизотропии эволюции вакансионных кластеров: в плоскостях Сu–О преобладает коалесценция кластеров, однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и коалесценция существующих. Ключевые слова: ВТСП, электрическое сопротивление, релаксация, коалесценция. Как известно, присутствие лабильного кислорода [1,2] в высокотемпературных купратах (ВТСП соеди- нениях) RBа2Cu3O7–x (R = Y или другой редкоземель- ный элемент) приводит к возникновению неравновес- ного состояния, которое может проявляться в процессе приложения высокого давления [3,4], скачкообразного изменения температуры [5,6] и длительного хранения [7–9] и, в свою очередь, способствовать процессам фа- зового расслоения [10,11], восходящей диффузии [12,13] и возникновению разного рода сверхструктур [14–16]. Все эти процессы оказывают существенное влияние на физические свойства ВТСП в нормальном и сверхпроводящем состоянии и наиболее ярко прояв- ляются в случае образцов нестехиометрического по кислороду состава [17,18]. Модификация структурных и электрофизических ха- рактеристик сверхпроводящих материалов путем приме- нения различных внешних воздействий [19–21] является важным экспериментальным инструментом современной физики твердого тела. В частности, изучение влияния внешнего гидростатического давления [18,22] на струк- турное состояние и процессы переноса в монокристаллах системы RBа2Cu3O7–x, может служить источником важ- ной информации, необходимой для понимания микро- скопического механизма «высокотемпературной» сверх- проводимости, который до настоящего времени остается невыясненным [23], несмотря на более чем 30-летнюю историю интенсивных исследований. С учетом этого факта особое значение приобрели экспериментальные методы, позволяющие выявить параметры сверхпровод- ников, которые наиболее существенно влияют на их фи- зические характеристики в нормальном и сверхпрово- дящем состоянии. Одним из важнейших методов в этом аспекте является использование высокого давления [24– 26], поскольку это не только позволяет прояснить роль и влияние структурных особенностей системы на форми- рование сверхпроводящего состояния, но и дает возмож- ность моделирования проводящих характеристик и кри- тических параметров сверхпроводника. Характерной особенностью соединения YBа2Cu3O7–x является относительная простота полной или частичной замены Y его изоэлектронными аналогами, что дает возможность варьирования проводящих характеристик и, тем самым, проверки адекватности тех или иных тео- ретических моделей. Особый интерес представляет за- мена иттрия на гольмий, имеющий достаточно большой © Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк, 2019 Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления магнитный момент (10,61 µВ в HoBа2Cu3O7–x), что по- зволяет прогнозировать качественно иное поведение сис- темы, обусловленное парамагнетизмом HoBа2Cu3O7–x в нормальном состоянии [2]. Особый интерес представляет изучение образцов нестехиометричного по кислороду состава, в которых редкоземельный ион может служить в качестве датчика, чувствительного к локальной симмет- рии его окружения и распределения плотности заряда, поскольку их изменение влияет на кристаллическое поле, формирующее электронную структуру такого иона [6]. В настоящей работе приведены и обсуждены результаты экспериментального исследования релаксации электри- ческого сопротивления при 300 К, ρ(300, t) в ab-плос- кости монокристаллов HoBа2Cu3O7–x (х ≈ 0,3) после приложения–снятия внешнего гидростатического давле- ния ≈ 5 кбар. Кристаллы выращивали по технологии «раствор– расплав» в золотом тигле по методике, описанной в работе [18]. Изучавшиеся образцы имели форму па- раллелепипеда с размерами 1,9×1,9×0,5 мм. Наиболь- шая площадь образцов соответствовала кристаллогра- фической плоскости ab. Первоначально образцы подвергали термообработке в потоке кислорода при температуре Т = 400 °С в течение пяти суток для их полного насыщения кислородом, т.е. уменьшали пара- метр х до значения ≈ 0–0,1. Электрическое сопротивление, ρ(300, t), измеряли стандартным четырехзондовым методом при постоян- ном токе. Для того чтобы уменьшить содержание ки- слорода в исследуемых образцах, проводили их допол- нительный отжиг в течение суток в атмосфере воздуха при температуре 500 °С. Критическая температура Тс сверхпроводящего перехода для образца с дефицитом кислорода понизилась до значения ≈ 64 К у HoBа2Cu3O7–x. Согласно литературным данным, такая температура перехода соответствует величине пара- метра х ≈ 0,3 [2,27]. Образцы именно такого стехио- метрического состава были предметом наших исследо- ваний в условиях действия внешнего гидростатичес- кого давления на электрическую проводимость изу- чаемого кристалла [28]. Давление создавали с помощью мультипликатора по методике, описанной в работе [18]. Величину прикла- дываемого давления P измеряли с помощью манганино- вого манометра и варьировали в интервале 0–5 кбар. Измерение ρ(300, t) проводили в изотермических ус- ловиях при температуре 300 К как функцию времени t при действии давления ≈ 5 кбар, а также после его снятия. Ранее [29] было исследовано влияние высокого гид- ростатического давления на электрическое сопротивле- ние в ab-плоскости недодопированных монокристаллов HoBa2Cu3O7–δ. Приведены, в частности, временные зависимости изобарической релаксации критической температуры сверхпроводящего перехода, Tc(t), полученные при по- этапном отжиге при комнатной температуре после при- менения давления 4,8 кбар. Tc(t) описывается выраже- нием, предложенным Jorgencen et al. [30]: ( ) ( ) 1/2( ) [ (0 – ]exp) [– /( ) ]c c c cT t T T T t= ∞ + ∞ τ , (1) где Tc(∞) и Tc(0) — равновесное и начальное значения критической температуры, соответственно, τ является характерным временем процесса релаксации [29]: при приложении давления τ↓ ≈ 11 ч, при снятии давления τ↑≈7 ч, τ↓/τ↑ ≈1,57. Таким образом, отжиг при комнатной температуре после резкого изменения давления приводит к релакса- ции Tc, причем эта релаксация определяется перераспре- делением лабильного кислорода в пределах плоскостей Сu–О и описывается экспонентой exp(–(t/τ)1/2) [32]. Релаксационные процессы ∼exp[–(t)n] характеризу- ют выделения новой фазы и обычно описываются уравнением Колмогорова–Джонсона–Мела–Аврами (КДМА) [32,33]: 1– exp( – )nР kt= , (2) где Р — объемная доля образованной фазы, t — время изотермической выдержки, k, n — постоянные пара- метры уравнения. По величине показателя n можно определить характер процесса, контролирующего ки- нетику распада. В частности, значение параметра n < 1 свидетельст- вует о том, что в материале доминируют главным об- разом процессы роста кластеров другой фазы, новые кластеры уже не образуются, реакция лимитируется диффузией, и чем больше отклонения n от единицы, тем значительнее влияние диффузионных процессов [34–38]. Таким образом, релаксация критической температу- ры сверхпроводящего перехода Тс после резких измене- ний давления вызвана контролируемым диффузионны- ми процессами перераспределением лабильного кислорода в пределах плоскостей Сu–О причем харак- терное время под нагрузкой больше характерного вре- мени при полной разгрузке. Отметим, что в [39] для ки- нетики ухода растворенного вещества из пересыщенной матрицы и роста случайно распределенных в ней заро- дышей при малых временах приводится, в частности, соотношение с ∼ exp(t1/2) ∼ t1/2, которое связывают с выделением новой фазы в виде пленки или плоскости. В этой связи представляет интерес выяснить, как релаксируют в таких условиях другие характеристики монокристалла HoBа2Cu3O7–x. Мы исследовали временные зависимости релакса- ции сопротивления при постоянных температуре и давлении, ρ(300 К, t), полученные точно также в про- цессе отжига при комнатной температуре после при- менения давления ≈5 кбар. (см. рис. 1). Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2019, т. 45, № 4 539 Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк Обнаружено, что после достаточно быстрого при- ложения давления сопротивление уменьшается на 89,62 мкмОм см и далее релаксирует по закону ( ) ( ) ( )0( ) [ 0 – exp – /( )]r t r r r t t= ∞ + ∞ , (3) где ρ(0) > ρ(∞) и время релаксации после приложения давления t0↓ ≈ 20 ч. Скачок сопротивления непосредственно после при- ложения давления обусловлен так называемым «ис- тинным» эффектом давления, вызванным непосредст- венным сжатием образца, т.е. с уменьшением объема элементарной ячейки [29,31]. Дальнейшая релаксация сопротивления обусловлена уже перераспределением кислорода. После быстрого cнятия давления сопротивление скачкообразно увеличивается на 84,34 мкмОм·см («ис- тинный» эффект разгрузки) и далее релаксирует по закону (3), где теперь ρ(0) < ρ(∞) и время релаксации после снятия давления, t0↑ ≈ 12 ч, t0↓/t0↑ ≈ 1,67. Как следует из [31,32], релаксация ∼ exp[–(t)n], где n ≥ 1, свидетельствует о том, что скорость реакции пропорциональна массе непрореагировавшего вещест- ва. При высоких скоростях зарождения и больших временах [35,37,38] значение параметра n ≥ 1 указыва- ет на то, что в объеме образца кроме роста сущест- вующих кластеров идут и процессы зарождения новых кластеров, вероятно, на дефектах структуры. В [40] мы связали релаксационную кинетику сопро- тивления в ВТСП купратах с коалесценцией кислород- ных вакансий, т.е. в плоскостях Сu–О протекают про- цессы роста «больших» вакансионных кластеров за счет «малых», новые кластеры уже не образуются, и реакция лимитируется диффузией кислорода. В случае HoBа2Cu3O7–x также можно предположить, что релаксация высокотемпературного сопротивления ρ(300 К, t) связана с коалесценцией кислородных вакан- сий, однако теперь мы наблюдаем коалесценцию вакан- сионных кластеров в объеме образца, связанную с про- цессами зарождения новых кластеров и ростом сущест- вующих кластеров. Таким образом, коалесценция вакансионных кла- стеров является анизотропной: в плоскостях Сu–О преобладает рост вакансионных кластеров, что при- водит к релаксации Тс ∼ exp(t1/2); однако в объеме образца происходит как зарождение новых кластеров, так и рост существующих, что приводит к релаксации ρ(300 К, t) ∼ exp(t). ________ 1. H. Lutgemeier, S. Schmenn, P. Meuffels, O. Storz, R. Schollhorn, Ch. Niedermayer, I. Heinmaa, Yu. Baikov, Physica C 267, 191 (1996). 2. Р.В. Вовк, А.Л. Соловьев, ФНТ 44, 111 (2018) [Low Temp. Phys. 44, 81 (2018)]. 3. A. Driessen, R. Griessen, N. Koeman, E. Salomons, R. Brouwer, D.G. De Groot, K. Heeck, H. Hemmes, and J. Rector, Phys. Rev. B 36, 5602 (1987). 4. A.L. Solovjov, L.V. Omelchenko, R.V. Vovk, O.V. Dobrovolskiy, Z.F. Nazyrov, S.N. Kamchatnaya, and D.M. Sergeyev, Physica B 493, 58 (2016). 5. R.V. Vovk, N.R. Vovk, and O.V. Dobrovolskiy. J. Low Temp. Phys. 175, 614 (2014). 6. R.V. Vovk, Y.I. Boiko, V.V. Bogdanov, S.N. Kamchatnaya, I. L. Goulatis, and A. Chroneos, Physica C 536, 26 (2017). 7. B. Martinez, F. Sandiumenge, S. Pinol, N. Vilalta, J. Fontcuberta, and X. Obradors, App. Phys. Lett. 66, 772 (1995). 8. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, O.V. Dobrovolskiy, and Z.F. Nazyrov, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 25, 5226 (2014). 9. D.A. Lotnyk, R.V. Vovk, M.A. Obolenskii, A.A. Zavgorodniy, J. Kováč, M. Kaňuchová, M. Šefciková, V. Antal, P. Diko, A. Feher, and A. Chroneos, J. Low Temp. Phys. 161, 387 (2010). 10. R. Menegotto Costa , F.T. Dias , P. Pureu, and X. Obradors, Physica C 495, 202 (2013). 11. G.Y. Khadzhai, R.V. Vovk, N.R. Vovk, S.N. Kamchatnaya, and O.V. Dobrovolskiy, Physica C 545, 14 (2018). 12. H.A. Borges and M.A. Continentino, Solid State Commun. 80, 197 (1991). 13. R.V. Vovk, M.A. Obolenskii, A.A. Zavgorodniy, I.L. Goulatis, and A.I. Chroneos, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 22, 20 (2011). 14. M. Sarikaya, R. Kikuchi, and I.A. Aksay, Physica C 152, 161 (1988). 15. А.В. Бондаренко, А.А. Продан, М.А. Оболенский, Р.В. Вовк, Т.Р. Ароури, ФНТ 27, 463 (2001) [Low Temp. Phys. 27, 339 (2001)]. 16. R.V. Vovk, Z.F. Nazyrov, M.A. Obolenskii, I.L. Goulatis, A. Chroneos, and V .M. Pinto Simoes , J. Alloys Compd. 509, 4553 (2011). Рис. 1. Релаксационные кривые электросопротивления моно- кристалла HoBа2Cu3O7–x при температуре 300 К под нагруз- кой (1), при полной разгрузке (2). Точки — эксперимент, линии — аппроксимации согласно уравнению (3). 540 Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2019, т. 45, № 4 https://doi.org/10.1016/0921-4534(96)00380-2 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.5602 https://doi.org/10.1016/j.physb.2016.04.015 http://rd.springer.com/search?facet-author=%22Ruslan+V.+Vovk%22 http://rd.springer.com/search?facet-author=%22Nikolaj+R.+Vovk%22 http://rd.springer.com/search?facet-author=%22Oleksandr+V.+Dobrovolskiy%22 http://rd.springer.com/journal/10909 http://rd.springer.com/journal/10909 http://aip.scitation.org/author/Vovk%2C+R+V http://aip.scitation.org/author/Boiko%2C+Y+I http://aip.scitation.org/author/Bogdanov%2C+V+V https://doi.org/10.1016/j.physc.2017.04.001 http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Martinez,%20B..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Sandiumenge,%20F..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Pinol,%20S..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Vilalta,%20N..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Fontcuberta,%20J..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Obradors,%20X..QT.&newsearch=partialPref http://ieeexplore.ieee.org/search/searchresult.jsp?searchWithin=p_Authors:.QT.Obradors,%20X..QT.&newsearch=partialPref http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 https://doi.org/10.1007/s10854-014-2292-5 https://www.researchgate.net/author/D.+A.+Lotnyk https://www.researchgate.net/author/R.+V.+Vovk https://www.researchgate.net/author/M.+A.+Obolenskii https://www.researchgate.net/author/A.+A.+Zavgorodniy https://www.researchgate.net/author/J.+Kov%C3%A1%C4%8D https://www.researchgate.net/author/M.+Ka%C5%88uchov%C3%A1 https://www.researchgate.net/author/M.+%C5%A0efcikov%C3%A1 https://www.researchgate.net/author/V.+Antal https://www.researchgate.net/author/P.+Diko http://rd.springer.com/journal/10909 https://doi.org/10.1016/j.physc.2013.09.015 https://doi.org/10.1016/j.physc.2017.11.015 https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90180-4 https://doi.org/10.1007/s10854-010-0076-0 https://doi.org/10.1016/0921-4534(88)90010-X https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=4&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwjmgPz6oqTgAhXqp4sKHbNOAisQFjADegQIABAB&url=https%3A%2F%2Felibrary.ru%2Fitem.asp%3Fid%3D18952651&usg=AOvVaw05bkKOyisPpEXnBCTNE1Ny https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2011.01.102 Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления 17. K. Widder, A. Zibold, M. Merz, H.P. Geserich, A. Erb, and G. Müller-Vogt, Physica C 232, 82 (1994). 18. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, I.L. Goulatis, and A. Chroneos, Physica B 422, 33 (2013) 19. O.V. Dobrovolskiy, M. Huth, V.A. Shklovskij, and R.V. Vovk, Sci. Rep. 7, 13740 (2017). 20. O.V. Dobrovolskiy, R. Sachser, M. Huth, V.A. Shklovskij, R.V. Vovk, V.M. Bevz, and M. Tsindlekht, Appl. Phys. Lett. 112, 152601 (2018). 21. A.L. Solovyov, L.V. Omelchenko, V.B. Stepanov, R.V. Vovk, H.-U. Habermeier , P. Przyslupski, and K. Rogacki, Phys Rev. B 94, 224505 (2016). 22. L. Mendonça Ferreira, P. Pureur, H.A. Borges, and P. Lejay, Phys. Rev. B 69, 212505 (2004). 23. J.J. Ashkenazi, Supercond. Nov. Magn. 24, 1281 (2011). 24. R. Griessen, Phys. Rev. B 36, 5284 (1987). 25. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, O.V. Dobrovolskiy, and Z.F. Nazyrov, Current Appl. Phys. 14, 1779 (2014). 26. R.V. Vovk, N.R. Vovk, G.Ya. Khadzhai, and O.V. Dobrovolskiy, Solid State Commun. 204, 64 (2015). 27. P. Schleger, W. Hardy, and B. Yang, Physica C 176, 261 (1991). 28. A.L. Solovjov, M.A. Tkachenko, R.V. Vovk, and A. Chroneos, Physica C 501, 24 (2014). 29. R.V. Vovk, Z.F. Nazyrov, M.A. Obolenskii, I.L. Goulatis, A. Chroneos, and V.M. Pinto Simoes, Philos. Mag. 91, 2291 (2011). 30. J.D. Jorgensen, S. Pei, P. Lightfoot, H. Shi, A.P. Paulikas, and B.W. Veal, Physica C 167, 571 (1990). 31. М.А. Оболенский, Д.Д. Балла, А.В. Бондаренко, Р.В. Вовк, А.А. Продан, Т.Ф. Иванова, ФНТ 25, 1259 (1999) [Low Temp. Phys. 25, 1259 (1999)]. 32. А.Н. Колмогоров, К статической теории кристаллизации металлов, Известия АН СССР (1937), т. 3, № 1, с. 355. 33. W.A. Johnson and R.F. Mehl, Reaction Kinetics in Processes of Nucleation and Growth, Trans. AIME 135, 416 (1939). 34. Дж. Кристиан, Теория превращений в металлах и сплавах. Термодинамика и общая кинетическая теория, Мир, Москва (1978), ч. 1. 35. Н.В. Мелехин, В.Н. Чувильдеев, Вестник Нижегородс- кого университета им. Н.И. Лобачевского, № 5, 55 (2011). 36. R.A. Nazipov, N.A. Zuzin, and A.V. Mitin, arXiv:1010.5010v1 [cond-mat.mtrl-sci] 24 Oct 2010. 37. J.W. Cahn, Acta Metallurg. 4, 449 (1956). 38. В.Н. Чувильдеев, Неравновесные границы зерен в металлах. Теория и приложения. Физматлит, Москва (2004). 39. П. Шьюмон, Диффузия в твердых телах, изд.-во Метал- лургия, Москва (1966). 40. Ю.И. Бойко, В.В. Богданов, Р.В. Вовк, Г.Я. Хаджай, С.В. Савич, ФНТ 44, 53 (2018) [Low Temp. Phys. 44, 41 (2018)]. ___________________________ Індукована високим тиском релаксація електричного опору слабкодопованих монокристалів НоBa2Cu3O7–x Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк Досліджено релаксацію високотемпературного опору, ρ(300 К, t), монокристалу HoBa2Cu3O7–х після різкої зміни гідростатичного тиску. Зіставлення отриманого закону релаксації електроопору та релаксації критичної температури надпровідного переходу Тс для тих же умов експерименту свідчить про анізотропію коалесценції вакансійних кластерів: в площинах Сu–О переважає коалесценція вакансійних кластерів, проте в об'ємі зразка відбувається як зародження нових кластерів, так і коалесценція існуючих. Ключові слова: ВТНП, електричний опір, релаксація, коалес- ценція. High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped НоBa2Cu3O7–x single crystals G.Ya. Khadzhai and R.V. Vovk The relaxation of high-temperature resistance, ρ(300 K, t), of HoBa2Cu3O7–x single crystals after a sharp change in hydrostatic pressure was studied. A comparison of electrical resistance relaxa- tion with Тс relaxation (Тс is critical temperature superconducting transition) indicates the anisotropy of relaxation of vacancy clus- ters: the coalescence of clusters prevails in the Cu–O planes, however, in the sample volume, both the nucleation of new clus- ters and the coalescence of existing ones occur. Keywords: HTSC, electrical resistance, relaxation, coalescence. Low Temperature Physics/Фізика низьких температур, 2019, т. 45, № 4 541 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0921453494902968%23! https://www.sciencedirect.com/science/journal/09214534 https://www.sciencedirect.com/science/journal/09214534 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002433%23%23 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002433%23%23 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002433%23%23 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002433%23%23 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002433%23%23 https://doi.org/10.1063/1.5028213 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.224505 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.212505 https://doi.org/10.1007/s10948-010-0823-8 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.36.5284 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 https://doi.org/10.1016/j.cap.2014.10.002 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038109814001549 https://doi.org/10.1016/j.ssc.2014.12.008 https://doi.org/10.1016/0921-4534(91)90722-B http://dx.doi.org/10.1016/j.physc.2014.03.004 https://www.tandfonline.com/toc/tphm20/current https://doi.org/10.1016/0921-4534(90)90676-6 https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=2&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwiWvZOdpaTgAhXos4sKHYD2B9wQFjABegQIBxAC&url=https%3A%2F%2Ffnte.ilt.kharkov.ua%2Ffnt%2Fpdf%2F44%2F44-2%2Ff44-0111r.pdf&usg=AOvVaw1ruQtBtVHKWtaXKHkPn49f https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=13&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwi7svnRpaTgAhWsl4sKHfUsBHoQFjAMegQIBxAB&url=https%3A%2F%2Fnauchforum.ru%2Fstudconf%2Ftech%2Fxxxii%2F10350&usg=AOvVaw2OGp_Yudqg5U3u_gUX0xfy https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=13&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwi7svnRpaTgAhWsl4sKHfUsBHoQFjAMegQIBxAB&url=https%3A%2F%2Fnauchforum.ru%2Fstudconf%2Ftech%2Fxxxii%2F10350&usg=AOvVaw2OGp_Yudqg5U3u_gUX0xfy https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwjTub7FqaTgAhXklIsKHWVZBcAQFjAAegQIAhAB&url=https%3A%2F%2Fwww.nap.edu%2Fread%2F9977%2Fchapter%2F9&usg=AOvVaw25VozaeW81EKLO1iFK4w4Q https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwjTub7FqaTgAhXklIsKHWVZBcAQFjAAegQIAhAB&url=https%3A%2F%2Fwww.nap.edu%2Fread%2F9977%2Fchapter%2F9&usg=AOvVaw25VozaeW81EKLO1iFK4w4Q https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwisvI7mq6TgAhVO_SoKHSxmAfMQFjAAegQIBRAB&url=https%3A%2F%2Fwww.twirpx.com%2Ffile%2F870885%2F&usg=AOvVaw0j3iGitOL768LDrBC8JANn https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwisvI7mq6TgAhVO_SoKHSxmAfMQFjAAegQIBRAB&url=https%3A%2F%2Fwww.twirpx.com%2Ffile%2F870885%2F&usg=AOvVaw0j3iGitOL768LDrBC8JANn https://doi.org/10.1016/0001-6160(56)90041-4

Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa₂Cu₃O₇–x

Репозитарії

Схожі ресурси