Структурный переход, индуцируемый магнитным полем в кристалле с сильной анизотропией g-тензора редкоземельных ионов - Переверзев, Ю.В. (Физика низких температур, 1996)
Дано теоретическое описание структурного фазового перехода в магнитном поле. Причиной перехода является сильная анизотропия g-тензора магнитного иона и магнитный аналог эффекта Яна-Теллера на основном дублете. Смоделировано взаимодействие структурного параметра порядка с магнитным полем. Достигнуто согласие с экспериментальными результатами в кристалле KEr(MoO₄)₂.