Границы устойчивости вихревого состояния в монокристалле YBaCuO - Кугель, К.И.; Мамсурова, Л.Г.; Пигальский, К.С.; Рахманов, А.Л. (Физика низких температур, 1998)
Определен интервал значений внешнего поля H, в котором существует смешанное состояние с заданной индукцией B в монокристалле высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃Ox для случая H⊥c. Для этой цели в интервале температур 70-84 К изучены полевые зависимости вклада mn в динамическую магнитную проницаемость m¢c от индуцированного слабым переменным полем колебательного движения вихрей, который в поле H испытывает гистерезисное поведение. Показано, что природа гистерезиса μv(H) может быть объяснена в терминах взаимодействия вихревой решетки с поверхностью и обусловлена существованием гистерезиса B(H) вследствие проявления поверхностного барьера. Петли гистерезиса гистерезиса μv(H), соответствующие разным температурам, описываются универсальной зависимостью в приведенных координатах. Проведенные оценки, а также сравнение теории с экспериментом выявили сильное подавление поверхностного барьера в реальном монокристалле YBaCuO по сравнению с ожидаемым для идеальной поверхности. В результате нижняя ветвь гистерезиса μv(H), соответствующая увеличению поля H, оказывается близкой к равновесной зависимости μv(H), а поверхностный барьер существенно влияет лишь на поведение μv(H) в процессе уменьшения поля, т.е. на выход вихрей из сверхпроводника.