Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія - Силенко, П.М.; Шлапак, А.М.; Пилипчук, О.Ф.; Дьячков, П.М.; Солонін, Ю.М. (Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, 2009)
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.