Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления - Брандт, Н.Б.; Скипетров, Е.П. (Физика низких температур, 1996)
Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено экспериментальному обнаружению уровней радиационных дефектов, интерпретации качественных эффектов, связанных с перераспределением электронов в облученных кристаллах между разрешенными зонами и зонами радиационных дефектов при сжатии образцов, построению и обоснованию моделей перестройки энергетического спектра облученных сплавов при изменении состава сплава и под давлением. Обсуждены проблемы восстановления функции плотности состояний в резонансных зонах радиационных дефектов и определения основных параметров моделей энергетического спектра облученных электронами сплавов Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe.