Состояние на границе лабильности - предпосылка высокотемпературной сверхпроводимости - Сухаревский, Б.Я.; Цыбульский, Е.О. (Физика низких температур, 1996)
Показано, что в соединениях Вi-ВТСП с общей формулой Biz+2Cam-1CumOz+2m+1+δ (z+ — ионный заряд, m — число плоскостей CuO₂) зависимости от δ концентраций дырок проводимости в плоскости CuO₂ дырок на ионах Bi и кислорода в плоскостях Bi-O соответствуют состоянию на границе лабильности этих соединений. Полученные зависимости являются универсальными для соединений типа 2201, 2212 и 2223. Обнаружено хорошее согласие результатов расчета и заимствованных из литературных источников экспериментальных значений Тc и концентрации высоковалентных ионов висмута. Использование расчетов границы лабильности и представления о том, что значения основных параметров соответствуют состоянию на границе лабильности, позволяет рассчитать по этим экспериментальным данным значения кислородного индекса и концентрации низкозаряженных ионов кислорода. С другой стороны, поскольку именно при этих значениях параметров в соединениях реализуется высокотемпературная сверхпроводимость, то состояния на границе лабильности следует рассматривать как предпосылку ВТСП.