Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga - Фреїк, Д.М.; Бойчук, В.М.; Межиловська, Л.Й. (Украинский химический журнал, 2005)
З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування.