Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
Исследована фоточувствительность IпР-электрода; для определения механизма фотостимулированного переноса заряда на межфазной границе раздела изучены импеданс и электрохимический шум. Установлено, что перенос заряда происходит с участием каталитических центров, образующих поверхностные электронные сос...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Украинский химический журнал |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184274 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде / Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий // Украинский химический журнал. — 2000. — Т. 66, № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследована фоточувствительность IпР-электрода; для определения механизма фотостимулированного переноса заряда на межфазной границе раздела изучены импеданс и электрохимический шум. Установлено, что перенос заряда происходит с участием каталитических центров, образующих поверхностные электронные состояния (ПЭС); определены плотность ПЭС и степень их заполнения электронами. |
|---|