До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках - Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2022)
Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одержаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування і перпендикулярно до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопору за допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості із залученням даних двох незалежних експериментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тільки поздовжнього тензоопору та за даними вимірювань поздовжнього і поперечного тензоопорів. Експериментально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутності прояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишається практично незмінною.