Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points

Semiconductors of AII3BV2 group have the structures very near to cubic close packed lattices. Their cation’s vacancies might be either in positional disorder or vice versa. This detail directly affects on so-called “structural factors” of the matrix elements of the Hamiltonian. The matrix elements c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Don, N., Ivchenko, V., Remnyova, V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2008
Schriftenreihe:Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/18570
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points / N. Don, V. Ivchenko, V. Remnyova // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 97-103. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-18570
record_format dspace
spelling irk-123456789-185702011-04-03T12:04:02Z Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points Don, N. Ivchenko, V. Remnyova, V. Semiconductors of AII3BV2 group have the structures very near to cubic close packed lattices. Their cation’s vacancies might be either in positional disorder or vice versa. This detail directly affects on so-called “structural factors” of the matrix elements of the Hamiltonian. The matrix elements change itself just depending on supposition about the degree of vacancies ordering. These investigations show that the part of energy levels is straightly depending on the degree of vacancies ordering, whereas other part of them is independent. Напівпровідники групи AII3BV2 мають структури, сильно наближені до кубічних щільно упакованих кристалічних ґраток. Їхні катіонні вакансії можуть знаходитися у відносному безладі і навпаки. Ця деталь безпосередньо впливає на так звані “структурні фактори” елементів матриці гамільтоніана. Елементи матриці змінюються в залежності від припущення про ступінь впорядкування вакансій. Дослідження показують, що частина енергетичних рівнів знаходяться в прямій залежності від ступеню впорядкування вакансій, тоді як друга їхня частина незалежна. 2008 Article Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points / N. Don, V. Ivchenko, V. Remnyova // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 97-103. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. XXXX-0059 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/18570 en Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description Semiconductors of AII3BV2 group have the structures very near to cubic close packed lattices. Their cation’s vacancies might be either in positional disorder or vice versa. This detail directly affects on so-called “structural factors” of the matrix elements of the Hamiltonian. The matrix elements change itself just depending on supposition about the degree of vacancies ordering. These investigations show that the part of energy levels is straightly depending on the degree of vacancies ordering, whereas other part of them is independent.
format Article
author Don, N.
Ivchenko, V.
Remnyova, V.
spellingShingle Don, N.
Ivchenko, V.
Remnyova, V.
Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки
author_facet Don, N.
Ivchenko, V.
Remnyova, V.
author_sort Don, N.
title Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
title_short Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
title_full Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
title_fullStr Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
title_full_unstemmed Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points
title_sort matrices of lcao-hamiltonian in special points
publisher Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/18570
citation_txt Matrices of LCAO-Hamiltonian in special points / N. Don, V. Ivchenko, V. Remnyova // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 97-103. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.
series Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки
work_keys_str_mv AT donn matricesoflcaohamiltonianinspecialpoints
AT ivchenkov matricesoflcaohamiltonianinspecialpoints
AT remnyovav matricesoflcaohamiltonianinspecialpoints
first_indexed 2025-07-02T19:33:16Z
last_indexed 2025-07-02T19:33:16Z
_version_ 1836564922668941312
fulltext Серія: Фізико-математичні науки. Випуск 1 97 N. Don, V. Ivchenko, V. Remnyova Kherson National Technical University, Kherson MATRICES OF LCAO-HAMILTONIAN IN SPECIAL POINTS Semiconductors of VII BA 23 group have the structures very near to cubic close packed lattices. Their cation’s vacancies might be ei- ther in positional disorder or vice versa. This detail directly affects on so-called “structural factors” of the matrix elements of the Ham- iltonian. The matrix elements change itself just depending on sup- position about the degree of vacancies ordering. These investiga- tions show that the part of energy levels is straightly depending on the degree of vacancies ordering, whereas other part of them is in- dependent. Key words: VII BA 23 compounds, Hamiltonian matrix, energy bands, cation’s vacancies. Introduction. Zinc phosphide (Zn3P2) has been intensively investi- gated as one of the promising high-efficiency semiconductors for solar- cell applications [1]. It is seems to bee an interesting compound not only from the point of view of its possible applications but also because of its basic properties, especially band-structure parameters. The crystal struc- ture of phosphide-type compounds is very near to cubic close packed lat- tices. The tight-binding-structure calculations for VII BA 23 semiconducting compounds including the real crystal structures requires diagonalization of the matrix Hamiltonian [2]:                                   − − − −−− a pxxxyxysp a pxyxxxysp a pxyxyxxsp xxxyxy c psp xyxxxy c psp xyxyxx c psp spspsp a sss spspspss c s gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE ε ε ε ε ε ε ε ε 000 000 000 000 000 3000 000 000 * 0 * 1 * 2 * 3 * 1 * 0 * 3 * 2 * 2 * 3 * 0 * 1 0123 1032 201 * 3 * 2 * 1 * 0 3210 (1) Such a Hamiltonian has been written down for these materials for the real symmetry of cubic modifications with 53 hOmFm − space group. The matrix elements change itself just depending on supposition about the de- © N. Don, V. Ivchenko, V. Remnyova, 2008 Математичне та комп’ютерне моделювання 98 gree of vacancies ordering. They depend on eight individual material pa- rameters thereto: xyxxspsspcscpasa EEEEEEEE ,,,,,,, [3]. Theory. The calculations have been made by the program created in a comprehensive computer system Maple 8. Let us assume that the origin is located on a site of the anionic sublat- tice which is almost close packed. So it is useful to list first all 8 possible cation positions: [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ]              −−−= −= −= −= −−= −−= −−= = 41111 41111 41111 41111 41111 41111 41111 41111 8 7 6 5 4 3 2 1 /d /d /d /d /d /d /d /d (2) Here each positional vector is given up in the units of the lattice con- stant. This allows us to define a wave vector without this constant into its denominator. Therefore our definition of a wave vector has a form: [ ]cbak πππ 222= . (3) It is possible now to build an 8-vector with complex exponential functions as components. Thereto each of functions has the scalar product between a wave vector and a positional vector as its argument. . )( 2 1)( 2 1)( 2 1)( 2 1 )( 2 1)( 2 1)( 2 1)( 2 1         = −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai x eeee eeeeE ππππ ππππ (4) Now we need the set of vectors, which shall describe the probability of the occupation of a position (pj, j = 0..6) as well as the magnitudes of so- called structural factors (gj, j = 0..6). The probability distribution vectors are: [ ] [ ] [ ]; ; ; 876543212 876543211 876543210 wwwwwwwwp wwwwwwwwp wwwwwwwwp −−−−= −−−−= = [ ] ;876543213 wwwwwwwwp −−−−= [ ];876543214 wwwwwwwwp −−−−= [ ] ;876543215 wwwwwwwwp −−−−= Серія: Фізико-математичні науки. Випуск 1 99 [ ]876543216 wwwwwwwwp −−−−= . (5) Here the set of constants (wi, i = 1..8, iw≤0 and 1≤iw ) describes the individual probabilities of the occupation of cation positions listed above. It is good time now for the determination of so-called structural fac- tors. Each of them will be presented as a function of three components of the wave vector (a, b, c) and depends thereto on the set of probabilities but only as on parameters. ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 10 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ ++++ ++++= ππππ ππππ ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 11 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ −++− −−−+= ππππ ππππ ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 12 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ −+−+ +−+−= ππππ ππππ ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 13 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ −−++ ++−−= ππππ ππππ ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 14 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ ++−− −+−−= ππππ ππππ ; )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 15 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ +−+− −−+−= ππππ ππππ . )( 2 1 8 )( 2 1 7 )( 2 1 6 )( 2 1 5 )( 2 1 4 )( 2 1 3 )( 2 1 2 )( 2 1 16 cbaicbaicbaicbai cbaicbaicbaicbai ewewewew ewewewewg −−−⋅−+⋅+−⋅++−⋅ +−−⋅−+−⋅−−⋅++⋅ +−−+ +−−+= ππππ ππππ (6) The Hamiltonian has more simple form with the following basis function: ( ) ( ) czyxazyx pppsppps ,,,,,,, , here the indicators “a, c” pointed out whose functions (anion's or cation's) are presented. Математичне та комп’ютерне моделювання 100 Let us to define few matrices, which will be used as blocks of the Hamiltonian Matrix.               = pa pa pa sa E E E E Ha 000 000 000 000 ; (7)               = pc pc pc sc E E E E Hc 000 000 000 000 ; (8)               − −− − = 0653 6042 5401 3210 gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE gEgEgEgE Haс xxxyxysp xyxxxysp xyxyxxsp spspspss . (9) Finally we can to construct the complete Hamiltonian in the form of a blocked (8*8) Matrix:       =      = + HcHac HacHa HcHacransposeHermitianT HacHa H )( . (10) So, the Hamiltonian Matrix is obtained. Let it to be below: . ;; ;; 2112 21 HHam HHacHHac HHcHHa = == == + (11) Then we can to rewrite the Hamiltonian Matrix in the form:                     − − +       − − + = ε ε ε ε 0 0 0 0 221 121 HH HH Ham . (12) Let us to multiply Ham on the left with the matrix:                                                   − − + ⋅−= 10 0 0 11 2 12 ε ε H HA . (13) Серія: Фізико-математичні науки. Випуск 1 101 Because the determinant A is equal to one, we have that determinant of matrix A·(Ham-еE) is equal to determinant of matrix Ham-еE, here       = 10 01 E . Because matrix A·(Ham-еE) is Upper Triangle Matrix with upper di- agonal block 21 2 121 0 0 1 0 0 H H HH                                   − − + ⋅−      − − + ε εε ε . (14) The final secular equation for the eigenvalues problem might be re- written in the form: ( ) 0det 1,1 =⋅ HamA . (15) The last equation has twice lower order as for starting 8*8 equation 0)(det =Ham . Let us to find the reduced secular matrix S and the corresponding secular equation.             = ε ε ε ε 000 000 000 000 E (16) ( ) +− ⋅−⋅−−= HacEHcHacEHaS 1 . (17) The eigenvalues problem should be solved from such equation: ( ) 0det =S . (18) Discussions. It should be noted first that diagonal blocks of Hamilto- nian Matrix are independent on the both set of parameters: (a, b, c) and (w1, w2, w3, w4, w5, w6, w7, w8). Thus our analysis will be in touching just with the interaction (4*4) block of Hamiltonian Hac. Disordered crystals Let us consider a complete disordered crystal: 4/387654321 ======== wwwwwwww . (19) Let us to consider the point a = 0, b = 0, c = 0 (or Г-point). Then from (18) ( ) 2 144 2 22 ssscsascsa EEEEE +− ± + =Γε ; (20) Математичне та комп’ютерне моделювання 102 ( ) 2 144 2 22 xxpcpapcpa EEEEE +− ± + =Γε . (21) Let us consider the point a = 1/2, b = 0, c = 0 (or X-point): ( ) 2 72 2 22 xxpcpapcpa X EEEEE +− ± + =ε . (22) Let us consider the point a = 1/2, b = 1/2, c = 1/2 (or L-point): ( ) 2 183618 2 222 xyxyxxxxpcpapcpa L EEEEEEEE +++− ± + =ε . (23) Ordered crystals Let us to consider a complete ordered crystal: 0,1,1,1,1,1,1,0 87654321 ======== wwwwwwww . (24) Let us to consider the Г-point: ( ) 2 144 2 22 ssscsascsa EEEEE +− ± + =Γε ; (25) ( ) 2 64192144 2 222 xyxyxxxxpcpapcpa EEEEEEEE +−+− ± + =Γε ; (26) ( ) 2 1696144 2 222 xyxyxxxxpcpapcpa EEEEEEEE +−+− ± + =Γε . (27) Let us to consider the X-point: ( ) 2 84872 2 222 xyxyxxxxpcpapcpa X EEEEEEEE +++− ± + =ε . (28) Let us to consider the L-point: ( ) 2 84872 2 222 xyxyxxxxpcpapcpa L EEEEEEEE +++− ± + =ε . (29) The investigations show that the part of energy levels is straightly depending on the degree of vacancies ordering, whereas other part of them is independent. Here may be illustrated an example of a couple of the de- pending levels for Γ -point (see Eqs. (26) and (21)) for ordered and disor- dered crystals respectively. It would be noted that expressions (26) and (21) are describing one and the same couple of levels, and a constant is never equal to zero gener- ally speaking (i.e. 0≠xyE ). Therefore the difference between energy lev- els is caused itself by structural factors and thus is the reflection of the status of the vacancies organization (i.e. of their ordering). Серія: Фізико-математичні науки. Випуск 1 103 References: 1. Pawlikowski J. M., Appl J. Phys. 53, 5 (1982). 2. Sieranski K., Szatkowski J., and Misiewicz J. Phys. Rev. B 50, 11 (1994). 3. Harrison A. W. Electronic structure and the Properties of Solids // The Physics of the Chemical Bond. – San Francisco: W.H. Freeman and Co., 1980. Напівпровідники групи VII BA 23 мають структури, сильно набли- жені до кубічних щільно упакованих кристалічних ґраток. Їхні каті- онні вакансії можуть знаходитися у відносному безладі і навпаки. Ця деталь безпосередньо впливає на так звані “структурні фактори” еле- ментів матриці гамільтоніана. Елементи матриці змінюються в залеж- ності від припущення про ступінь впорядкування вакансій. Дослі- дження показують, що частина енергетичних рівнів знаходяться в прямій залежності від ступеню впорядкування вакансій, тоді як друга їхня частина незалежна. Ключові слова: VII BA 23 сполуки, матриця гамільтоніана, енерге- тичні зони, катіонні вакансії. Отримано: 02.06.2008 УДК 518:517.948 М. В. Дорошенко, Г. П. Коваль, Л. В. Лазурчак Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич ЧИСЕЛЬНЕ ЗНАХОДЖЕННЯ ОПТИМАЛЬНОГО РОЗПОДІЛУ ГРАНИЧНИХ ПОТЕНЦІАЛІВ ТА ГЕОМЕТРІЇ ГРАНИЧНИХ ПОВЕРХОНЬ В ЗАДАЧАХ ТЕОРІЇ ПОТЕНЦІАЛУ Розглядається обернена задача теорії потенціалу знаходже- ння оптимальної геометрії граничних поверхонь та оптималь- ного розподілу граничних потенціалів в осесиметричному ви- падку. Методика рішення оберненої задачі зводиться до міні- мізації деякого функціоналу та розв’язуванні системи інтегра- льних рівнянь Фредгольма першого роду з логарифмічною особливістю. Ключові слова: обернена задача, інтегральні рівняння, сплайн-функції, метод колокації, функціонал. Постановка проблеми. Крайові задачі математичної фізики по- діляються на прямі та обернені. У прямих задачах потрібно знайти характеристики поля при ві- домих геометрії граничних поверхонь та крайових умовах. В оберне- © М. В. Дорошенко, Г. П. Коваль, Л. В. Лазурчак, 2008