Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C
Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Tm—Fe—Si побудовано при 800 °С методами рентгенівського фазового та структурного аналізів. Встановлено, що бінарна сполука Tm₂Fe₁₇ зі структурою типу Th₂Ni₁₇ характеризується областю гомогенності 10.5—12.5 % ат. Tm. Часткове заміщення пар атомів...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Украинский химический журнал |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187301 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C / О.І. Бардін, М. Дашкевич, Б.Д. Белан, М.Б. Маняко, Л.Б. Коваль, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 7. — С. 7-15. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Tm—Fe—Si побудовано при 800 °С методами рентгенівського фазового та структурного аналізів. Встановлено, що бінарна сполука Tm₂Fe₁₇ зі структурою типу Th₂Ni₁₇ характеризується областю гомогенності 10.5—12.5 % ат. Tm. Часткове заміщення пар атомів Fe₂ атомами Tm приводить до збільшення параметру а елементарної комірки та зменшення параметру с. Визначено, що розчинність Si в сполуці Tm₂Fe₁₇ становить 15 % ат. вздовж ізоконцентрати 10.5 % ат. Tm. Межі твердих розчинів на основі інших бінарних сполук систем Tm—Fe та Tm—Si не перевищують 5 % ат. Вісім тернарних сполук утворюються у системі Tm—Fe—Si при 800 °С. Кристалічну структуру сполуки TmFe₄Si₂ (тип ZrFe₄Si₂) визначено рентгенівським методом порошку, а структуру сполук TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (тип CeNiSi₂) і Tm₂FeSi₂ (тип Sc₂CoSi₂) — методом монокристалу. |
|---|