Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей

Здійснено безструмове осадження покриттів дисиліциду хрому на поверхні металічного хрому із хлоридно-фторидних кремнійвмісних розплавів у присутності елементарного кремнію. Методом електронної мікроскопії та рентгенофазового аналізу досліджено структуру отриманих покриттів. Параметри кристалічної гр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Молотовська, Л.А., Шахнiн, Д.Б., Малишев, В.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2013
Schriftenreihe:Украинский химический журнал
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/188083
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей / Л.А. Молотовська, Д.Б. Шахнін, В.В. Малишев // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 12. — С. 111-114. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-188083
record_format dspace
spelling irk-123456789-1880832023-02-12T01:27:28Z Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей Молотовська, Л.А. Шахнiн, Д.Б. Малишев, В.В. Электрохимия Здійснено безструмове осадження покриттів дисиліциду хрому на поверхні металічного хрому із хлоридно-фторидних кремнійвмісних розплавів у присутності елементарного кремнію. Методом електронної мікроскопії та рентгенофазового аналізу досліджено структуру отриманих покриттів. Параметри кристалічної гратки, а =4.35072, с =6.3544 Å , можна віднести до гексагональної фази CrSi₂. Методами диференціальної скануючої калориметрії і термогравіметричного аналізу вивченo стійкість одержаних осадів до окиснення на повітрі при високих температурах. Реализовано бестоковое осаждение покрытий дисилицида хрома на поверхности металлического хрома из хлоридно-фторидных кремнийсодержащих расплавов в присутствии элементарного кремния. Методом электронной микроскопии и рентгенофазового анализа исследована структура этих покрытий. Параметры кристаллической решетки, а =4.35072, с =6.3544 Å , можно отнести к гексагональной фазе CrSi₂. Методами дифференциальной сканирующей калориметрии и термогравиметрического анализа изучена устойчивость полученных осадков к окислению на воздухе при повышенных температурах. Currentless deposition of chromium disilicide coating onto the surface of metallic chromium from chloride-fluoride silicon containing melts in the presence of elemental silicon was studied. Electron microscopy and X-ray powder diffraction was used to study the structure of coatings obtained. The lattice parameters are а =4.35072, с =6.3544 Å , indicated the hexagonal CrSi₂. The stability of the obtained deposits to oxidation in air at elevated temperatures was studied by differential scanning calorimetry and thermogravimetric analysis methods. 2013 Article Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей / Л.А. Молотовська, Д.Б. Шахнін, В.В. Малишев // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 12. — С. 111-114. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/188083 621.793.4 uk Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Электрохимия
Электрохимия
spellingShingle Электрохимия
Электрохимия
Молотовська, Л.А.
Шахнiн, Д.Б.
Малишев, В.В.
Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
Украинский химический журнал
description Здійснено безструмове осадження покриттів дисиліциду хрому на поверхні металічного хрому із хлоридно-фторидних кремнійвмісних розплавів у присутності елементарного кремнію. Методом електронної мікроскопії та рентгенофазового аналізу досліджено структуру отриманих покриттів. Параметри кристалічної гратки, а =4.35072, с =6.3544 Å , можна віднести до гексагональної фази CrSi₂. Методами диференціальної скануючої калориметрії і термогравіметричного аналізу вивченo стійкість одержаних осадів до окиснення на повітрі при високих температурах.
format Article
author Молотовська, Л.А.
Шахнiн, Д.Б.
Малишев, В.В.
author_facet Молотовська, Л.А.
Шахнiн, Д.Б.
Малишев, В.В.
author_sort Молотовська, Л.А.
title Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
title_short Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
title_full Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
title_fullStr Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
title_full_unstemmed Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
title_sort безструмовий синтез crsi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
publishDate 2013
topic_facet Электрохимия
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/188083
citation_txt Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей / Л.А. Молотовська, Д.Б. Шахнін, В.В. Малишев // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 12. — С. 111-114. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
series Украинский химический журнал
work_keys_str_mv AT molotovsʹkala bezstrumovijsintezcrsi2napoverhníhromuvrozplavahsolej
AT šahnindb bezstrumovijsintezcrsi2napoverhníhromuvrozplavahsolej
AT mališevvv bezstrumovijsintezcrsi2napoverhníhromuvrozplavahsolej
first_indexed 2025-07-16T09:56:13Z
last_indexed 2025-07-16T09:56:13Z
_version_ 1837796975132540928
fulltext ЭЛЕКТРОХИМИЯ УДК 621.793.4 Л.А.Молотовська, Д.Б.Шахнін, В.В.Малишев БЕЗСТРУМОВИЙ СИНТЕЗ CrSi2 НА ПОВЕРХНІ ХРОМУ В РОЗПЛАВАХ СОЛЕЙ Здійснено безструмове осадження покриттів дисиліциду хрому на поверхні металічного хрому із хло- ридно-фторидних кремнійвмісних розплавів у присутності елементарного кремнію. Методом еле- ктронної мікроскопії та рентгенофазового аналізу досліджено структуру отриманих покриттів. Па- раметри кристалічної гратки, а =4.35072, с =6.3544 Ao , можна віднести до гексагональної фази CrSi2. Методами диференціальної скануючої калориметрії і термогравіметричного аналізу вивченo стій- кість одержаних осадів до окиснення на повітрі при високих температурах. ВСТУП . Антикорозійні і антиоксидаційні властивості чистих металів можуть бути значно покращені нанесенням на їх поверхню невеликої кількості кремнію. Оскільки кремній може про- никнути лише в поверхню металу з подальшим утворенням на поверхні силіциду цього металу, покращення фізико-хімічних властивостей від- бувається без будь-якого механічного пошкод- ження всього об’єму металу [1]. Для отримання силіцидних покриттів зас- тосовуються методи вакуумного осадження [2], хімічного парового осадження [3] та метод пак- цементації [4]. На відміну від цих методів, засто- сування яких потребує інкапсуляції, довгого ре- акційного часу, високого тиску парів при темпе- ратурах до 1273—1473 К, отримання силіцидів металів безструмовим осадженням з розплавів солей є дуже простим і економічним та не ви- магає зовнішніх затрат електроенергії. Методи нанесення покриттів, які потребу- ють використання розплавів солей, поділяються на дві категорії: електролітичне і безструмове нанесення покриттів. Одним з варіантів синтезу силіцидів хрому є безструмове осадження силі- цію на підкладку хрому. Розплави солей є спри- ятливим середовищем для нанесення кремнію на металічні підкладки. Автори роботи [5] осад- жували електролітичне покриття на залізну під- кладку з розплаву LiCl—KCl—LiF—K2SiF6 при 723 К. Були отримані осади дендритного, або по- рошкоподібного характеру. Пізніше, в роботі [6] описаний метод одержання гладкого силіцид- ного шару товщиною близько 200 мкм шляхом простого занурення залізної підкладки в роз- плав NaCl—KCl—-NaF—-Na2SiF6—Si(SiO2). Велика кількість робіт по безструмовому перенесенню силіцію на метали в іонних розпла- вах виконана Ілющенком із співробітниками [7]. Автори досліджували перенесення кремнію на ніобієвий сплав ВН-2 у хлоридно-фторидних роз- плавах. Додавання NaF у розплав сприяє зв’я- зуванню силіцію у фторидні комплекси і спричи- няє утворення іонів силіцію нижчого ступеня оки- снення Si2+, що в свою чергу приводить до дис- пропорціонування іонів силіцію на металевій по- верхні з утворенням силіцидів. Пізніше встанов- лено, що введення в розплав силіцієвмісних іонів ще більше прискорює перенесення кремнію на метали [8]. В усіх зазначених розплавах перене- сення силіцію на ферум, кобальт, нікель, куп- рум, молібден, вольфрам, ніобій, тантал і плати- ноїди відбувалося за схемою безструмового пе- ренесення. Згідно з даними металографічного та рентгеноструктурного аналізів, дифузійні силіци- дні покриття цілком складаються з дисиліцидів. У роботах [9–11] здійснено безструмове оса- дження кремнію і показано, що при осадженні з розплаву NaCl—KCl—Na2SiF6 при температурі 973—1123 К на відкритому повітрі на поверхні Nb, Mo i Cr формуються багаті кремнієм дисилі- цидні шари (MSi2). Одержаний при температурі 1073 К однофазний MoSi2 має гексагональну стру- ктуру та однакову товщину силіцидного шару близько 10 мкм. Під дією високої температури на межі між Mo і MoSi2 додатково формується шар Mo5Si3 [9]. Аналогічним способом у роботі [10] отримано NbSi2. Товщина силіцидного шару та параметри кристалічної гратки були такі самі, © Л.А.Молотовська, Д.Б .Шахнін, В.В.Малишев , 2013 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2013. Т. 79, № 12 111 як і у випадку MoSi2. У роботі [11] безструмове осадження проводили на поверхні Cr, Fe, Co та Ni. На межі розділу фаз CrSi2 та Cr сформувався шар силіциду CrSi товщиною <1 мкм. У той са- мий час на поверхні Fe, Co та Ni утворювалися бідні кремнієм шари (MSin, n <2), зокрема Fe3Si. Автори пояснювали таку різницю відмінностя- ми коефіцієнтів дифузії Si через силіцидний шар всередину відповідного металу. Mетa цієї роботи— визначення оптималь- них параметрів безструмового осадження крем- нію на поверхню хрому із розплавленої системи солей KCl—NaCl—NaF—Na2SiF6—Si для отри- мання покриття дисиліциду хрому та досліджен- ня його фізико-хімічних властивостей. ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНА ЧАСТИНА . Схему експериментальної комірки наведено на рис. 1. Розплав солі масою близько 150 г, що складав- ся з (% мол.) : 36.58 NaCl, 36.85 KCl, 21.95 NaF та 4.89 Na2SiF6 , змішали з порошком силіцію (21.85 % мол. від маси всієї суміші). Суміш солей по- містили в корундовий тигель і занурили в нього чисту пластинку хрому. Розплав солі витриму- вали при температурі 1173 К протягом 15 год в атмосфері повітря. Після видалення та відмив- ки пластинки хрому від розплаву солі, поверх- ню та поперечний переріз зразка дослідили за допомогою скануючого електронного мікроско- па РЭМ-100 та рентгенівського мікроаналізато- ра JEOL Superprobe 733 (Japan) у характеристи- чному випромінюванні хрому та кремнію. Еле- ментний аналіз показав, що вміст елементарного кремнію у зразку < 0.001 %. Рентгенофазовий аналіз отриманого покриття був здійснений з до- помогою дифрактометра ДРОН-4 в CuKα-ви- промінюванні з довжиною хвилі 1.54178 Ao . Тер- могравіметричний аналіз проводили на термо- аналізаторі Netzsch STA 449 F1 Jupiter в атмос- фері повітря при температурі до 1273 К при швидкості зміни температури 10 °С⋅хв–1. ОБГОВОРЕННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ. Детальний механізм процесу безструмового осадження кре- мнію з розплавів солей був вивчений раніше [12]. При додаванні до суміші солей хлоридів Na2SiF6 та порошку Si на поверхні металічної основи від- буваються наступні реакції репропорціонуван- ня та диспропорціонуваня між Si та Si4+: Si + 6F– + SiF6 2– = 2SiF6 4– ; (1) M + 2SiF6 4– = M – Si(силіц. шар) + + 6F – + SiF6 2– . (2) У випадку утворення дисиліциду хрому ре- акція набуває вигляду: Cr + 4SiF 6 4– → CrSi2 + 12F – + 2SiF6 2– . (3) Осаджений Si з Si2+ дифундує в поверхню ме- талу (Cr) і утворює сплав з металічною основою. Структуру поверхні отриманого зразка зобра- жено на рис. 2. Представлено також поперечний переріз зразка (рис. 3, 4), на якому за допомо- гою скануючої електронної мікроскопії в харак- Электрохимия Рис. 1. Схема комірки для безструмового одержання CrSi2. Рис. 2. Мікрофотографія поверхні CrSi2. Рис. 3. Поперечний переріз покриття CrSi2 в характеристичному випромінюванні для хрому. 112 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2013. Т. 79, № 12 теристичному випромінюванні можна виділити 3 зони (рис. 4): підкладка хрому (1), зона Кіркен- дала (2) та силіцидний шар (3). У характеристич- ному випромінюванні для хрому (рис. 3) чітко видно наявність зон, які відрізняються за спів- відношенням хрому та кремнію в їх складі. При цьому чітко простежується співвідношення хро- му і кремнію за густиною розташування світлих точок, що відповідають хрому. Основа хрому (1) не містить в своєму складі кремнію. Зона Кір- кендала (2) має проміжне забарвлення між ме- талічною підкладкою і силіцидним шаром тов- щиною < 25 мкм. Силіцидний шар (3) має найме- ншу густину розташування світлих точок, що від- повідають хрому, тому можна припустити, що утворений в результаті безелектролізного осад- ження силіцидний шар має склад CrSi2. Дані РФА підтвердили припущення щодо складу отриманого силіцидного покриття. Резуль- тати аналізу свідчать, що всі дифракційні піки рентгенограм кристалів можна віднести до гек- сагональної фази дисиліциду хрому (рис. 5). Па- раметри кристалічної гратки (а =4.35072, с = =6.3544 Ao ) відповідають літературним даним (а =4.422, с =6.351 Ao ). Домішки Si та Cr за резу- льтатами рентгенофазового аналізу не виявлені. CrSi2 характеризується високою темпера- турою плавлення (1763 K) та термостійкістю. Для визначення стійкості до окиснення зразка, отри- маного в даній роботі, були проведені термо- гравіметричний аналіз (ТГА) та диференціаль- на скануюча калориметрія (ДСК) в атмосфері повітря до 1273 К (рис. 6). Результати показали, що маса синтезованого СrSi2 до температури 873 К майже не змінюється, тобто покриття CrSi2 не піддається окисненню. При подальшому під- вищенні температури спостерігається незначне окиснення поверхні порошків (5.27 %). При тем- пературі близько 973 К на кривій ДСК спосте- рігається один значний екзотермічний пік. Коре- ляція даних кривих ТГА і ДСК дозволяє припус- тити, що покриття CrSi2 до 873 К майже не під- дається окисненню. Процес окиснення відбуває- ться при температурі близько 973 К, що повні- стю узгоджується з літературними даними для цієї сполуки [13]. Згодом на поверхні утворю- ється захисний оксидний шар SiO2. ВИСНОВКИ. Дисиліцид хрому може бути отриманий методом безструмового осадження при температурі 1073—1173 К на підкладку хрому за допомогою реакцій репропорціонування-диспро- порціонування кремнію та його сполук різних ступенів окиснення в розплавленій системі солей KCl—NaCl—NaF—Na2SiF6 з додаванням елемен- тарного кремнію. Як показали результати ска- Рис 4. Скануюча електронна мікрофотографія покриття CrSi2. Рис. 5. Рентгенофазовий аналіз CrSi2. Рис. 6. Криві термогравіметричного аналізу (1) та диференціальної скануючої калориметрії (2). ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2013. Т. 79, № 12 113 нуючої електронної мікроскопії та рентгенофа- зового аналізу, склад отриманого покриття тов- щиною < 25 мкм відповідає формулі CrSi2. Па- раметри кристалічної гратки відносяться до гек- сагональної фази дисиліциду хрому. За допомо- гою ДСК і ТГА аналізів досліджено оксидаційну стійкість покриття до 1273 К. Встановлено, що покриття стійке до температури 873 К . РЕЗЮМЕ. Реализовано бестоковое осаждение по- крытий дисилицида хрома на поверхности металли- ческого хрома из хлоридно-фторидных кремнийсодер- жащих расплавов в присутствии элементарного крем- ния. Методом электронной микроскопии и рентгено- фазового анализа исследована структура этих покры- тий. Параметры кристаллической решетки, а =4.35072, с =6.3544 Ao , можно отнести к гексагональной фазе CrSi2. Методами дифференциальной сканирующей калориметрии и термогравиметрического анализа изучена устойчивость полученных осадков к окисле- нию на воздухе при повышенных температурах. SUMMARY. Currentless deposition of chromium disilicide coating onto the surface of metallic chromium from chloride-fluoride silicon containing melts in the presence of elemental silicon was studied. Electron mi- croscopy and X-ray powder diffraction was used to stu- dy the structure of coatings obtained. The lattice parame- ters are а =4.35072, с =6.3544 Ao , indicated the hexa- gonal CrSi2. The stability of the obtained deposits to oxidation in air at elevated temperatures was studied by differential scanning calorimetry and thermogravimet- ric analysis methods. ЛІТЕРАТУРА 1. Бялобжеский А .В., Цирлин М .С., Красилов Б.И . Высокотемпературная коррозия и защита сверхту- гоплавких металлов. -М .: Атомиздат, 1977. 2. Racette G.W ., Frost R .T . // J. Crystal Growth. -1979. -47. -P. 384—388. 3. Li W ., M eng E., M atsushita T . et al. // Ibid. -2013. -№ 365. -P. 11—18. 4. Xiao L ., Cai Z ., Y i D. et al. // Trans. Nonferrous Met. Soc. -2006. -16. -P. 239—244. 5. Ueda T., Goto T., Ito Y . // Surf. Finish. Soc. Jpn (Hy- ohmen Gijutsu). -1995. -46, № 12. -P. 1173—1179. 6. Li Y ., Soboyejo W .O., Rapp R.A . // Metallurgical and Materials Transactions B. -1999. -3, № 30B. -Р. 495—504. 7. Илющенко Н .Г., Беляева Г.И ., Анфиногенов А .И . Защитные покрытия на металлах. -Киев: Наук. думка, 1977. -С. 94—96. 8. Илющенко Н .Г., Анфиногенов А .И , Шуров И .И . Взаимодействие металлов в ионных расплавах. -М .: Наука, 1991. 9. Suzuki R .O., Ishikawa M ., Ono K . // J. Alloys and Compounds. -2000. -№ 306. -P. 285—291. 10. Suzuki R.O., Ishikawa M., Ono K. // Ibid. -2002. -№ 336. -P. 280—285. 11. Tatemoto K., Ono Y ., Suzuki R .O . // J. Phys. Chem. Solids. -2005. -№ 66. -Р. 526—529. 12. Gay A .G., Quakernaat J . // J.Less-Commun. Metals. -1975. -№ 40. -P. 21—28 13. Самсонов Г.В., Лавренко В.А ., Глебов Л.А . // Порошк. металлургия. -1974. -133, № 1. -С. 46—49. Iнститут загальної та неорганічної хімії Надійшла 30.04.2013 ім. В.І.Вернадського НАН України, Київ Электрохимия 114 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2013. Т. 79, № 12