Управление излучением светодиода магнитным полем
We detected the magnetic field influence on emission intensity of LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України
2010
|
Назва видання: | Моделювання та інформаційні технології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/21938 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-21938 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-219382011-06-21T12:05:26Z Управление излучением светодиода магнитным полем Ирха, В.И. We detected the magnetic field influence on emission intensity of LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases bеcause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative probability increases. 2010 Article Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. XXXX-0068 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/21938 621.315.592;621.382 ru Моделювання та інформаційні технології Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
We detected the magnetic field influence on emission intensity of
LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases bеcause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative
probability increases. |
format |
Article |
author |
Ирха, В.И. |
spellingShingle |
Ирха, В.И. Управление излучением светодиода магнитным полем Моделювання та інформаційні технології |
author_facet |
Ирха, В.И. |
author_sort |
Ирха, В.И. |
title |
Управление излучением светодиода магнитным полем |
title_short |
Управление излучением светодиода магнитным полем |
title_full |
Управление излучением светодиода магнитным полем |
title_fullStr |
Управление излучением светодиода магнитным полем |
title_full_unstemmed |
Управление излучением светодиода магнитным полем |
title_sort |
управление излучением светодиода магнитным полем |
publisher |
Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України |
publishDate |
2010 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/21938 |
citation_txt |
Управление излучением светодиода магнитным полем / В.И. Ирха // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є.Пухова НАН України, 2010. — Вип. 57. — С. 180-184. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
series |
Моделювання та інформаційні технології |
work_keys_str_mv |
AT irhavi upravlenieizlučeniemsvetodiodamagnitnympolem |
first_indexed |
2025-07-02T21:58:34Z |
last_indexed |
2025-07-02T21:58:34Z |
_version_ |
1836574063615541248 |
fulltext |
180 © �.�. ����
��
����
� ����������
� � �������
� �� ������
� ����������.
3. ������
� ���
������ ����� ����
���
����� ��������� ��
����
�������� �
�������� ��! �����
���� ������� "#"$.
1. ������ �. . "����� �� �
�������%
� ���
������ ��
���
����������������
��
��
������: "�
�������. – &���� : �����
����� '' ”��!� � (�”, 2008 – 192 �.
2. ������ �. . "���������� ������
��
� "#"$
� ������
��
���
� ������
��
� //
) ��
��
�
����� ����� *����
����� �������� ��
������� “(���’����
� ���
������
��
�������”, + 18, - &����, 2007., - $. 56 – 63.
3. ������ �. . )�����
��
� ����! '���� ��� ������
��
� "#"$
� ������
��
���
�
// ���
�� 4����
���
���
���������
«&�������� �������
���»: (���’����
� �������
������
��
�. ;����� � ��������. - &����, 2006. – + 564. – C. 45 - 53.
4. Teslyuk Vasyl, Tarik Al Omari, Hamza Alshavabkekh, Pavlo Denysyuk, Mykhaylo Melnyk
Computer-Aided Design of MEMS at System Level // Journal Machine Dynamics Problems. -
Poland, Warsaw University of Technology. - 2007., Vol. 31, No. 3 – P. 92 – 104.
5. ������ �. .,
������
.�., ����� ��� ���� ��� ��������, ����� ( ��’� ������) ���
��� ����� =���� �� ���������
�� ������% "#"$
� ��
��� ����! '���� ��� ������
���
���
� ������������
��� ������
��
� // "�������
� �� �
�������%
� ���
������. ) ��
��
�
����� ����� �
����
�
��� ��� ��������
� � �
�������� ��.>.?.'
���� 4@4
*����
�. – (���, 2008, ���
�� 46. – $.120 - 126.
6. Roman Zaharyuk, Serhiy Hrytsay, Vasyl Teslyuk, Ihor Farmaha, Andriy Kernytskyy
Development of the Model of Capacity Type Accelerometer on the Basis of Petri Nets // Proc. of
the X Intern. Conf. on The Experience of Designing and Application of CAD Systems in
Microelectronics (CADSM’2009). – Lviv – Polyana, Ukraine, 2009. – P. 519 – 520.
7. !. "�������. ;����� ��������� � ��
!���
��. ".: "�H�
������
��, 1979 - 432 �.
8. #�$��
., ����$ %. '��
K% �������
�� �� Java: '��.� �
��.:–(.:O���������, 1997.
9. &�'���� %.&., "�*$���� �.�., "�������� &.#. ;����� ��������� � ��
!���
�� /
*��
�� ���� �� ��� �
���. — ".: �K�H�� H����, 1982. — 256�.
10. +. -. ���$/���, !. �. ��'���� )����� �
���!
�
�� �� ������ ������
����%: *�� .
���� �� ��� ��
�. ��
���. — 5-� ���., ����. — ".: �����������% ��
�� «@�������», 2003.
— 448 �.
��$01��� 4.10.2010�.
*O( 621.315.592;621.382
�.�. ����, ��������� �4@$ ��. @.$.'�����, ������
�������
�
�����
�
������
���
��
� �
����
Annotation. We detected the magnetic field influence on emission intensity of
LED. In transverse magnetic field the area of radiative recombination is displaced to
small-gap region of base of variband LED. It lead to a shifting of LED”s emission
spectrum to a low-energy range. In magnetic field the emission intensity decreases be-
181
cause the injected charge carriers deviate to a surface, where the nonradiative
probability increases.
'����
�
�� ����R������
K� ������ � �������
�� ��� ��������
��
���
�� ���H���
�� �� ���������
��� �������
�, �����!�
�� ���H�%
�
���������
���� � K������%�����,
���!
���� R����
���. '��������,
���������Y�� � ��
���� ���
������
�% ����� �
���� � �����
�
��� @3�5,
H����� �������
��K� � ����R������
���, �
�����Y�� �����
��������
���H�� ����
�� [1]. ��� �
�� �
���
�� ��� R��� ���!
� ����� ��
��
��
����
�� ������
��� ���� �
�H
�� ����� ������
�Y�� ��������
� ��������
���
������
�% ����� �
����. '�� ���������
�� ���H�
���� ����R������
-
K� �������� � �������� �
���������
��� R����
�� ��!�� K�� �� � �����-
����, �� � ��������, �� � ���������
��. ��
��� ��� �������� �
��������
�� ��������
�����
K% �
����� ������������ ��H� ����������
�� � ��������
�
���������
��� R����
�� ����������. '�R���
��
��
�� ����
��
���
��
��� ���� �� ��������������� p-n-��������� ��������
���Y��
������ �������� ���
���
�% ������%, �����������
� ���������
�%.
� ��
�% �� ��� ������������� ��� ���� � ������ ��������
���Y��
������
� ��
��� ���
������
���� ��
��K @3�5. � ������ ���� � ��������
�����!�� ������������� GaAs,
� �����
� R����������
�
���Y������
���
���Y�% p-���% Ga1-� Al� As:Ge � �
!�����
�Y�% n-���% Ga1-y Aly As:Te,
��� � = 0,5 – 0,6 � 0 = 0,22 – 0,25. ;��Y�
K ���
���Y��� � �
!�����
�Y���
����� ���������� �����������
� 4,9 � 11,2 ���, ����
�� ��������� 500�500
���, �� ���% ��� -10 mA. ���
��
�� �K�������� ����� n-� �����, �����
��-
�
���
� ��������� p-n-���������. ����������
K� �������������� p-n-����-
����� ��������������� ��
�%
��
����������
��
�������
������
K�
�������% � ���� p-n-�������� � ������
��� ��
��
������ ������� 1021 ��-4.
$��
��
�K ����Y����� � ���
K% ����
� � ����������������� R������
�%
�����%. "������� ������
�% �����
� � �� ��� [2]. "��
��
�� ���� K��
�������
� �����
���
���
� ���!�
�� �
!��������
K� �� n-R�������
�������% ������.
'�� �����%����� ���
��
K� �����
� ���������
K� ���������
��
�K
����������
�����
K�� ����K� � � ���
K� ����������
K� ��������������,
����
K ���������
K� � �����������K� ������������� R����������
����
-
���. 4� ����
����� � ���
��
�� ���� ����!�
�� ������
�� � ���
H���
�
�����K ����
����
���. ^�� ������������
�� � ���
������ ����
�� ���
��-
��� ����
� ����
��� ���
������
�% ����� �
���� ���������
K� ���
��
�.
������
�� ���������� � ������
�������
�� �������� � �
!�����
R������
�� �� n-� ����� � p-� �����, ��� �
� ���
������
� ����� �
��
��.
'���Y�
�� ���������� � �������
�� ���
��
�� ���� �������� � ��������-
�� ���������� �
!��������
K�
�������%. *��� _,
� �����K% �
!����-
����
K�
������� �����
����� ��
�������
�� R������������� ���� ����-
�������� ���
tg_ = `�, (1)
182
��� ` – �����!
����
�������%; � – �
�
���� ���
��
��� ����.
���
�� _ = arctg`�. � ��������
�� ��
��� ���
� ���
���Y�% � �����
W = Lcos_ ���
W = Lcos(arctg`�), (2)
��� L – ���
� ����
���
��� ���Y�
��. O�� ���������
K� � �� ���
���
��
� ���
� ��K W K�� ��
�H� ���
K ����
���
��� ���Y�
��
�
!��������
K�
�������% ������ L. � R��� ��
��� ���
������
��
����� �
���� ���������� �� ���% ���, � �����
�������%, ��H��H�� ��
������
���� ��K, �� ������% �K������� ���
��
��, ����� �
��
��
��K��
������
�. "��
��
�� ���� ����K����� ���������� ���!�
��
�
!��������
K�
�������%, �����
�� �� �� ������
����, ���������� ����
�� �
�� ����� ���
���Y
� p-� �����
���
�����, ��� R�������
�
�
������
�� R�������
�% ���
K R��% � �����. $����������
�,
������������ ����� �
!��������
K� R������
��, ����� �
��
�Y�� �
���
���Y�% � �����, � ��
�H� R������
��
����� ����� ��
����. =��� L
�������� �
������
�� �
��
���
���� ���
��
�� � ������ ���
��
��� ����.
'�� ���
��
�% ��������
�� ��
�������
�� ����
�
�� ������
�K
���
��
�� ��������
���Y��� ����� (����) � ����������� �� ������
K
�������
��� ���
��
��� ���� ���������� ����� 40% (�
�
���� 0,4 ;�) ��
����
�
�� ���
�� ������� � ����!�
�� ������
�� ���
��
��.
4�� ������ ��������, ��� ��� ���H�� W � p-n-���������
���
������������ ��H� ������
�� ����� p-� �����, ��� �������� �
��
�H�
��
�.�.�. '�� ��
�H�� W (2) � �����������
���
��
�H����� �����
�����
��
�
��
���
���� ���
��
�� (��� � = 0), ���
� ����� ��K���. ;��!� ��������
����� �
���� �
!��������
K�
�������
� �����������Y�� ��
����� �
���
���Y�% � ����� ���!
� K�� �
Y�����
� ���H�, ��� � �z � {z��,
��� K � ���� ��
�����
� ����������� ��
������
��. #��� !� R��
������%���, ��
�
��� ����
����� R�������
�� ���
� ���
���Y�% � �����.
�����% ��� ����������� ���� ������
� ��
�
��
�H��Y�%��
H���
�% �����Y�
�% ��
K �� n-� ����� � p-� �����, ������ W > L (���. 1).
������������� ���������K
� ��
��� Ga1-� Al� As: Si (� < 0,37) � ��
��
���-
���% Si ������� 4·1017��–3, ���������
K� ������� !������
�% R��������
��� ����!��
��. � �������� �K��Y���
�� ����� �
��
�H�
��� ����
�����
��
��
�H����� ���� ��
��
��� Si � ���KH����� ���� ����
���
���
Si. '�R���
� �K��Y�
K� ����� ������� p-n-�������, n-� ����� ��������
H�����- ��
��, � p-� �����
�����
��, � ����
K� ��������� ��!�
���.
���
������
�� ����� �
���� ���������� � ��
��
�� � ����
�����
�%
����� ���
��
�K (p-� �����). ���
��
�� �K�������� ����� n-� �����
�����
���
���
� ���!�
�� �
!��������
K�
�������% ������ (
� ���. 1
� ��
���
� �). $����� R����������
����
��� ���������
K� �����������
�����!�� ��
�����
� ���
H���
�% ��
��Y�%�� �� 0,1 �� 0,4 R� ���
������
K� � ������. ^
����� ������
�� ���
��
�� (� ����������� �� Eg �
��������� p-n-��������)
������
K� �����������
��������� � �������� 1,3
– 1,85R�. '��
H���
� �����K ������� R����������
����
��� ���H�, ��� �
183
������
K� p-n-���
��
��� �� ���� !� ���������, ��� �����
� �
������
����� ���
��
�K.
=��. 1. $��
��
�� ������
��� ����������
'�� �����%����� ���
��
��� ����
� ����� ���
��
�K ����������
�����
K�� R������������ � R����������
����
�
K� ��������������.
�������� �����������
�����
�% � ���
H���
� �����K ����
����
��� �
���
��
�� ����. ����
�
�� �
��� ���
��
��� ����
� ������
� ����
�
��
�������������. ��
��� � ������ ������
K ���
��
��� ���� (��� ������
�%
������
� ���� ����� � �����) ���������� ����� ������� R����������
����
-
��� � �����
��
�H�� R
����% (���. 2), ��� ����������
�� ���Y�
�� �����-
�
����
�% � ����� �
�����
� ����� ��K (H������K� ��
�� ��� � > 0
� ���. 1) � ����������
��
�H�
�� �
��
���
���� ���
��
�� (������ 2
�
���. 2). '����
� ����� ����
�
�% � ����
�Y��. � �������
�� ���
��
��
���� �
!��������
K�
������� �����
����� � �����% ������
����,
���������� ����
������������ ������
���
�� ����� �
���� �
��
�H�����
�
��
���
���� �K����Y��� ���
��
��. '�� ���
��
�% ��������
�� � ����
10mA ����
�
�� �
��
���
���� ���������� �� 30% ��� ���
��
�% �
�
����
0,4;�. $���� ������� ���
��
�� ������� �� 10% ��
�������
� R
������-
������� ����!�
�� ������
��. ������ �� � K�
K� ����������
�% (����, ���
� ���
��
�� ���� ����������
��
�H�
�� L), ������ ���
��
�� ���!�
���
������
!�. ��
��� R��������
�K �����K����, ��� ���
H���
� �������
���
��
�� � ���
��
�� ����
� ��
�����. '�R���
���Y�
�� R������
�-
�K���
�% �����K � ��� � ���
��
�� ���� (�����
�������
�� ����)
������
� �����
� � ����
�
��� �
��� ������
�% �����!
����, ��� �����
� �������� � p-n-��������� � �K������
�% ���% [3].
;���� � �����, �� ����������
K� ���
������� ����
��, ��� �������
�
��������
���Y�� ����K, ��!
� �������� ������
���
��
��� ���� �� ��-
��
�
�� �
��
���
���� ���
��
��. (�� ���
� �� ���. 2, ������Y�� �� ���-
��
��� ���� ���������� ��!�� K�� ��� �
��
���
���� ����� ��� � �������
���
��
��. @ R�� � ���� ������� ���������� �����!
���� �����
�� ����-
R������
K� ���
�����������. ( �����
Y������ ����������
�� �
��
���-
���� ����� � �������� �
��������
��� ��������� ����
�� ��
���� �������
�� ����������� ���������
����. 4� ��� R���
�� ������
���K���� �����-
Y�
�� ����� ��� �����!��
�� ��� �� ��������
, ��� �������� � ��������
-
K� ��
�
�����, ��� �
� ��� ���������
�� ���������� ��
����. '�� ��-
184 © ".�.4��
��
��������
�� � �������� �
��������
��� ��������� ������K ���
��
�� ����-
���� ��
�
����, �����
K� �
����� ���%��� ���������,
� ���� ������
��
����
�
�� ������K ���
��
�� � ����
�
�� ������
�K ����
� �K���� ����-
�����
��� ���!
��, ��� ���� ������
�� ����
�
�� �
��
���
���� �����.
=��. 2. )���������� R
����� � ������
�� ���
��
�� (1)
� �
��
���
���� (2) �� ������
K ���
��
�% �
�
����
1. &��� �.&. ����
�� ��������
K� ��������
� �������������� p-n-���������
����������� // "�������
� �� �
�������%
� ���
������. ) .
�
�. ��. ~'"# 4@4
*����
�. – ���. 54. – (.: 2009. – $. 113–118.
2. ���0��� &. ., &��� �.&. "��
����
��������
K� ���%���� ���������������
�
��
��� Ga1-� Al� As // �;'. – ;. 9, �K�. 8, 1985. – $. 1503–1504.
3. ���0��� &. ., -$����� �.&. ������ ���
������
����K� ��� ����. – ".: =���� �
�����, 1990. – 270 �.
��$01��� 6.09.2010�.
*O( 621.372
".�.4��
��
�������� �������� �� ���� ��� � �������
����� ���� ����
�
����
��
�% ����� �������
������
�
���%
���� (SUN), �����
�
�
� ������ ������% � ��� ��� ������
�
�� ��! �� �� �����. ��������, ��!
�%
1
0.4 �, ;�
2
|