Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів - Вишневський, І.М.; Конорева, О.В.; Кочкін, В.І.; Ластовецький, В.Ф.; Литовченко, П.Г.; Опилат, В.Я.; Тартачник, В.П. (Доповіді НАН України, 2010)
Дослiджується вплив опромiнення швидкими нейтронами реактора (E¯ = 1 МеВ) на вольтампернi характеристики (ВАХ) фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв. Виявлено зсув додатних гiлок ВАХ в область менших напруг при малих дозах опромiнення та невеликих робочих струмах. Встановлено, що зростання диференцiйного опору при великих дозах зумовлено збiльшенням опору бази. В основi механiзму, який спричиняє спостережуванi змiни, є падiння часу життя неосновних носiїв струму та захват основних носiїв глибокими рiвнями введених радiацiєю дефектiв.