Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Розглянуто історію створення наукової школи О.В.Снітка в галузі фізики поверхні напівпровідників. Відтворено життєвий і творчий шлях керівника школи, характерні риси його наукової та організаційної роботи. Висвітлено наукові результати, одержані в рамках школи О.В.Снітка....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України
2011
|
| Назва видання: | Наука та наукознавство |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30744 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України / А.М. Глєбова, А.В. Саченко // Наука та наукознавство. — 2011. — № 1. — С. 79-105. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-30744 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-307442012-02-13T12:11:28Z Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України Глєбова, А.М. Саченко, А.В. Вчені та наукові спільноти Розглянуто історію створення наукової школи О.В.Снітка в галузі фізики поверхні напівпровідників. Відтворено життєвий і творчий шлях керівника школи, характерні риси його наукової та організаційної роботи. Висвітлено наукові результати, одержані в рамках школи О.В.Снітка. Рассмотрена история создания научной школы О.В. Снитко в области физики поверхности полупроводников. Воссоздан жизненный и творческий путь руководителя школы, характерные черты его научной и организационной работы. Отражены научные результаты, полученные в рамках школы О.В. Снитко. The history of creating the academic school of O.V.Snitko in physics of semiconductor surface is contained. The life path and work of O.V.Snitko as the head of the school, explicit features of his scientific and organizing work, scientific results produced within his school are shown. 2011 Article Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України / А.М. Глєбова, А.В. Саченко // Наука та наукознавство. — 2011. — № 1. — С. 79-105. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0374-3896 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30744 uk Наука та наукознавство Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Вчені та наукові спільноти Вчені та наукові спільноти |
| spellingShingle |
Вчені та наукові спільноти Вчені та наукові спільноти Глєбова, А.М. Саченко, А.В. Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України Наука та наукознавство |
| description |
Розглянуто історію створення наукової школи О.В.Снітка в галузі фізики поверхні напівпровідників. Відтворено життєвий і творчий шлях керівника школи, характерні риси його наукової та організаційної роботи. Висвітлено наукові результати, одержані в рамках школи О.В.Снітка. |
| format |
Article |
| author |
Глєбова, А.М. Саченко, А.В. |
| author_facet |
Глєбова, А.М. Саченко, А.В. |
| author_sort |
Глєбова, А.М. |
| title |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України |
| title_short |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України |
| title_full |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України |
| title_fullStr |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України |
| title_full_unstemmed |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України |
| title_sort |
наукова школа о.в.снітка в інституті фізики напівпровідників нан україни |
| publisher |
Центр досліджень науково-технічного потенціалу та історії науки ім. Г.М. Доброва НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Вчені та наукові спільноти |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30744 |
| citation_txt |
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики напівпровідників НАН України / А.М. Глєбова, А.В. Саченко // Наука та наукознавство. — 2011. — № 1. — С. 79-105. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Наука та наукознавство |
| work_keys_str_mv |
AT glêbovaam naukovaškolaovsnítkavínstitutífízikinapívprovídnikívnanukraíni AT sačenkoav naukovaškolaovsnítkavínstitutífízikinapívprovídnikívnanukraíni |
| first_indexed |
2025-07-03T11:07:52Z |
| last_indexed |
2025-07-03T11:07:52Z |
| _version_ |
1836623722618814464 |
| fulltext |
Наука та наукознавство, 2011, № 1 79
Видатний вчений Олег В’яче сла-
вович Снітко (1928—1990) збагатив на-
уку своїми працями першорядного
значення в галузі фізики й техніки
напівпровід ників і водночас зробив ва-
гомий внесок в організацію наукових
досліджень з фізики напівпровід ників
в Україні, у становлення і розвиток Ін-
ституту фізики напівпровід ників НАН
України. З його діяльністю пов’язано
формування но вого наукового напря-
му — фізики поверхні напівпровідни-
ків, що є науковою осно вою розвитку
мікроелектро ніки, оптоелектроніки,
акустоелектроніки, вакуумної техніки,
елементної бази обчислювальних сис-
тем та інших галузей сучасного прила-
добудування [1—4].
О.В. Снітко розробив оригінальні
електрофізичні та оптичні методи до-
слідження поверхні напівпровідників;
розвинув на якісно новому рівні фі-
зичні уявлення про механізм електро-
нних явищ на поверхні напівпровідни-
ків; встановив математичні залежності
фізичних властивостей поверхні від
її фізико-хімічного стану; запропо-
нував електронні моделі границь роз-
ділу напів провідник—ваку ум, напів-
провідник—реальний чи термічний
окис, які дали змогу пояснити основні
механізми впливу поверхні на елек-
тронні явища в напів провідниках. Під
керівництвом О.В.Снітка проведено
фундаментальні та прикладні дослі-
дження, які дали можливість відкри-
ти й дослідити ряд принципово нових
явищ на поверхні, важливих для науки
й практики (розмірне перезаселення
долин та поперечна анізотропія магні-
топровідності в електронному кремнії,
ефект фотоелектричної пам’яті та за-
© А.М. Глебова, А.В. Саченко, 2011
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Наукова школа О.В.Снітка в Інституті фізики
напівпровідників НАН України
Розглянуто історію створення наукової школи О.В.Снітка в галузі фізики поверхні
напівпровідників. Відтворено життєвий і творчий шлях керівника школи,
характерні риси його наукової та організаційної роботи. Висвітлено наукові
результати, одержані в рамках школи О.В.Снітка.
О.В.Снітко. 1950-ті роки
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 180
лишкової фотопровідно сті в арсеніді
галію, явище глибокого нерівноваж-
ного виснаження в структурах метал—
діелектрик—кремній, явище охоло-
дження гарячих електронів на поверх-
ні напівпровідників, ефект взаємодії
поверхневих домішок та ін.). Знайдено
перспективні шляхи формування тон-
кошарових структур з унікальними па-
раметрами, які становлять значний ін-
терес для електронної промисловості.
Запропоновано, розроблено і впрова-
джено оригінальні напівпровідникові
датчики фізичних параметрів різного
призначення для визначення магніт-
них полів, тиску, складу газових сере-
довищ тощо [1, арк.91,96].
Роботи О.В. Снітка з фізики по-
верхневих явищ у напівпровід никах
отримали широке визнання наукової
громадськості як у нашій країні, так і
за кордоном. Організаційна діяльність
Олега В’ячеславовича на керівних по-
садах в Інституті напівпровідників зна-
чно сприяла зміцненню провідної ролі
інституту в його головному напрямі —
оптики та фотоелектроніки напівпро-
відників [1, арк.80].
О.В. Снітко народився 30 квітня
1928 року в м. Києві у родині військо-
вослужбовця. У 1946 році закінчив
зі срібною медаллю середню школу.
У цьому ж році став студентом фізич-
ного факультету Київського держав-
ного університету ім. Т.Г. Шевченка,
по закінченні якого в 1951 р. отримав
кваліфікацію фізика зі спеціальності
«фізика напівпровідників».
Олег В’ячеславович розпочав тру-
дову діяльність в 1951 році як інже-
нер відділу фізики напівпровідників
Інституту фізики АН УРСР. У 1953 р.
вступив в аспірантуру Інституту фізи-
ки, яку успішно закінчив у 1956 році.
У 1956—1960 рр. працював молодшим
та старшим науковим співробітником
Інституту фізики.
Починав свою наукову роботу
О.В. Снітко у відділі відомого вченого
професора В.І.Ляшенка, засновника в
Україні нового наукового напряму —
фізики поверхні напівпровідників.
Олег В’ячеславович став основним по-
мічником В.І.Ляшенка в Інституті фі-
зики, і йому були доручені актуальні на
той час дослідження фотоелектричних
процесів на поверхні напівпровідників
та в тонких плівках. Серія публікацій
О.В. Снітка в центральних журналах та
збірниках праць Інституту фізики за-
свідчила надзвичайно вдумливе став-
лення молодого вченого до поставле-
них проблем. На базі цих досліджень
у 1957 році Олег В’ячеславович захис-
тив кандидатську дисертацію на тему
«Вплив адсорбції молекул та зовніш-
нього електричного поля на фотопро-
відність напівпровідників».
О.В.Снітко був одним з фундаторів
Інституту напівпровідників АН УРСР,
заснованого 7 жовтня 1960 р. Науково-
організаційною базою нового інсти-
туту стали два відділи, що ви ділилися
з Інституту фізики — це відділ фізики
напівпровідників (керівник В.Є. Лаш-
карьов) і відділ теоретичної фізики (ке-
рівник С.І.Пекар), у тематиці якого пе-
реважне місце займали питання теорії
напівпровідників та діелектриків. На
протязі 1960—1961 рр. в Інституті на-
півпровідників було створено 8 науко-
вих відділів та лабораторій; одну з них,
лабораторію фізики захисту поверхні
напівпровідників, очолив кандидат
фізико-математичних наук О.В. Сніт-
ко [5, с.4].
У початковий період існування Ін-
ституту напівпровідників у його складі
був один академік АН УРСР (В.Є. Лаш-
карьов — перший директор інституту),
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 81
три доктори і 14 кандидатів наук [5,
с. 8]. Спершу інститут розміщався в бу-
динку Інституту фізики; в травні 1962
року він переїхав у новий окремий
корпус з усім обладнанням.
З перших днів організації Інституту
напівпровідників О.В. Снітко працю-
вав у ньому старшим науковим спів-
робітником (1960—1961 рр.) і вченим
секретарем (1961 р.), зав. лаборато-
рією (1961—1962 рр.) та зав. відділом
(1962—1967 рр.). З 1967 по 1970 р. він
займав посаду заступника директора
з наукової роботи, з 1970 по 1990 р. —
директора Інституту напівпровідників.
У 1970—1980 роках О.В.Снітко очолю-
вав відділення інституту «Фізика по-
верхні напівпровідників» (первинна
Засновники Інституту напівпровідників: О.В.Снітко, С.І.Пекар, В.Є.Лашкарьов
Перевезення приладів лабораторії О.В.Снітка у новий корпус
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 182
назва — сектор поверхневих та кон-
тактних явищ у напівпровідниках), що
об’єднувало шість відділів.
У 1969 році О.В. Снітко захис-
тив дисертацію на тему «Дослідження
електрофізичних процесів на поверхні
кремнія, германія та сульфиду кадмію
при різних активних впливах» і здо-
був вчений ступінь доктора фізико-
математичних наук (рішення ВАК від
28.11.1969 р. [1, арк.4]). У 1971 році
О.В.Снітка було затверджено у вчено-
му званні професора за спеціальністю
«Фізика напівпровідників і діелектри-
ків» (рішення ВАК від 30.04.1969 р. [1,
арк.5]). 27 грудня 1973 р. на Загальних
зборах АН УРСР О.В.Снітко був об-
раний членом-кореспондентом АН
УРСР зі спеціальності «Фізика напів-
провідників»; 28 березня 1985 р. — дій-
сним членом (академіком) АН УРСР зі
спеціальності «Фізика» [1, арк.6—7].
За весь час своєї наукової діяльності
О.В.Снітко опублікував понад 300 на-
укових праць, у тому числі сім моногра-
фій; він є автором багатьох авторських
свідоцтв, декількох популярних статей
про напівпровідники та їх застосування.
Плідну наукову діяльність О.В. Сніт-
ко успішно поєднував з науково-
організацій ною та громадською робо-
тою. Як голова Наукової ради АН УРСР
з фізики напівпровідників О.В.Снітко
виконував великий обсяг робіт з коор-
динації та підвищення ефективності
наукових досліджень напівпровідників
у різних установах України (близько
40 організацій). Будучи заступником
голови секції фізики поверхні напів-
провідників Наукової ради АН СРСР з
проблеми «Фізика, хімія, механіка по-
верхні», О.В. Снітко приділяв багато
уваги координації робіт з фізики по-
верхні напівпровідників в СРСР. Вод-
ночас він був членом бюро Відділення
фізики та астрономії АН УРСР, Науко-
вої ради АН СРСР з проблеми «Фізика
і хімія напівпровідників», секції фізики
Комітету по Державним преміям УРСР
в галузі науки і техніки; з 1970 року вико-
нував обов’язки заступника академіка-
секретаря Відділення фізики АН УРСР.
Також О.В. Снітко входив до складу
редколегії таких відомих наукових жур-
налів, як «Фізика і техніка напівпровід-
ників», «Поверхня» [1, арк.72,119—120].
О.В. Снітко часто виступав з нау-
ковими доповідями на всесоюзних на-
радах з фізики напівпровідників: у Ле-
нінграді (1955), Москві (1958), Киє ві
(1960, 1972), Томську (1962), Новоси-
бірську (1965, 1969), Ужгороді (1966,
1970, 1972) та ін., а також на міжнарод-
них конференціях у Празі (1960) та Мо-
скві (1968) [1, арк.68]. З метою обміну
науковим досвідом і знаннями багато-
разово був у службових відрядженнях
за кордоном, зокрема у Польщі (1974),
Угорщині (1973, 1983), Болгарії (1975,
1982), Чехії (1960, 1979, 1980), Німеч-
чині (1964, 1967), Італії (1976), Англії
(1978) [1, арк.114].
О.В. Снітко — лауреат Державної
премії України в галузі науки і техніки
(1981 р.) та премії ім. акад. К.Д. Синель-
никова з фізики (1983 р.); він нагоро-
джений двома орденами «Знак По-
шани» (1976 р., 1988 р.), медалями «За
звитяжну працю»(1970 р.) та «В пам’ять
1500-річчя Києва» (1982 р.)
О.В. Снітко — творець наукової
школи в галузі фізики поверхні напів-
провідників. Дослідження цієї школи
заклали основи сучасних уявлень про
сутність електрофізичних, фотоелек-
тричних та оптичних явищ, що відбу-
ваються на поверхні та у приповерхне-
вих шарах напівпровідників.
До складу школи О.В. Снітка вхо-
дять: члени-кореспонденти НАН Украї-
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 83
ни Євген Федорович Венгер, Воло-
димир Сергійович Лисенко, Борис
Олексійович Нестеренко; доктори
наук Анатолій Васильович Саченко,
Юрій Архипович Пасічник, Валерій
Арнольдович Тягай, Віктор Євгено-
вич Примаченко, Тамара Миколаївна
Ситенко, Алла Іванівна Климовська,
Валерій Анатолійович Стерлігов, Ген-
надій Якович Колбасов, Анатолій
Йосифович Шкребтій, Юрій Михай-
лович Ширшов; кандидати наук Єв-
ген Петрович Мацас, Віктор Володи-
мирович Міленин, Олег Сергійович
Фролов, Вік тор Миколайович Бон-
даренко, Олександр Михайлович Єв-
стигнеєв, Світлана Іллівна Кирилова,
Наталія Олександрівна Растрененко,
Віктор Трохи мович Розумнюк, Ігор
Олександрович Юрченко та ін.
Наукова школа під керівництвом
О.В. Снітка сформувалася у 1960—
1970-ті роки. Основу школи склали
співробітники десятого відділу Інсти-
туту напівпровідників, створеного Оле-
гом В’ячеславовичем у 1962 році на базі
очолюваної ним лабораторії фізики за-
хисту поверхні напівпровідників. Спо-
чатку 10-й відділ мав назву відділу «фі-
зики тонкоплівочних напівпровідни-
ків», у 1970 р. його було перейменовано
у відділ «фізики поверхні напівпро-
відників». У 1984 році в рамках відділу
було створено лабораторію фотоелек-
тричних та оптичних явищ на поверхні
напівпровідників; її очолив доктор
10-й відділ Інституту напівпровідників АН УРСР (1970-ті роки) зліва направо,
перший ряд: А.В.Саченко, А.І.Климовська, О.В.Снітко, В.Є.Примаченко; дру-
гий ряд: Ю.А.Пасічник, Н.Г.Фролова, Е.І.Яшин, Н.О.Петрова, І.П.Тягульський,
Н.О.Растрененко, І.О.Юрченко
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 184
фізико-математичних наук, професор
А.В.Саченко. Він же був завідувачем
відділу № 10 у 1990—1997 роках, після
передчасної смерті О.В.Снітка. У 1980-
ті роки відділ налічував 15 співробіт-
ників: 1 член-кореспондент АН УРСР,
2 доктори і 12 кандидатів наук [5, с.60].
У десятому відділі розпочинали
свою наукову роботу такі вчені-фізики:
Є.Ф. Венгер, А.І. Климовська, Г.Я. Кол-
басов, Б.О. Нестеренко, Ю.А. Пасіч-
ник, В.Є. При ма чен ко, А.В. Сачен-
ко, В.А. Стерлігов, Ю.М. Шир шов.
У 1964 ро ці у відділ прийшов В.А. Тягай,
який перед тим захистив кандидатську
дисертацію під керівництвом відомого
електрохіміка Ю.В. Лєскова. Валерій
Арнольдович Тягай дуже плідно попра-
цював у відділі О.В. Снітка, потім він
захистив дисертацію на звання доктора
хімічних наук і став професором.
Структура 10-го відділу відобра-
жала характерні особливості школи
О.В.Снітка. У відділі існувало вісім на-
укових груп. У кожної групи був свій
чітко визначений напрям досліджень,
і з кожною з них О.В. Снітко працю-
вав окремо. Групи очолювали учні
О.В. Снітка: А.І. Климовська, Б.О. Не-
стеренко, Ю.А. Пасічник, В.Є. При-
маченко, А.В. Саченко, Т.М. Ситенко,
В.А. Тягай, О.С. Фролов; вони скеро-
вували роботу решти співробітників
відділу, які входили до складу різних
груп. Згодом деякі групи переросли в
наукові лабораторії та відділи.
Протягом трьох десятиліть (1960—
1990) О.В. Снітко разом зі співробітника-
ми 10-го відділу виконав великий обсяг
робіт, присвячених вивченню електро-
нних властивостей поверхні напівпровід-
ників. Отримані ними результати станов-
лять значний інтерес для науки і техніки,
зокрема для створення тонкоплівкових
напівпровідникових приладів.
Важливе значення досліджень, які
проводилися під керівницт вом О.В. Сніт -
ка, відзначається, зокрема, у харак-
теристиці директора ІН АН УРСР від
20.12.1982 р.: «О.В. Снітко на протязі
багатьох років здійснює наукове ке-
рівництво напрямом по вивченню фі-
зичних явищ на поверхні напівпровід-
ників…
Разом із співробітниками очолю-
ваного ним відділу О.В. Снітко виявив
і вивчив ряд принципово нових явищ
на поверхні напівпровідників, що ма-
ють велике наукове значення, і запро-
понував шляхи їх практичного вико-
ристання. Із одержаних результатів як
найважливіші необхідно відзначити
такі: 1) розроблено комплекс методів
дослідження фізичних властивостей
поверхні напівпровідників; 2) одержа-
но фундаментальні дані про фізичний
механізм електронних та інших явищ
на поверхні; 3) запропоновано нові
методи обробки поверхні і розроблено
нові типи поверхнево-чутливих прила-
дів. Одержані результати мають прин-
ципове значення для створення фізич-
них основ напівпровідникової техніки,
зокрема мікроелектро ніки…
Науковий колектив, очолюваний
О.В.Снітком — один із провідних в
СРСР у галузі фізики поверхні напів-
провідників.» [1, арк.84, 84зв.]
Основна тематика роботи відділу
О.В. Снітка — дослідження електро-
нних, фотоелектричних, оптичних та
електрохімічних явищ у напівпровід-
никах з акцентуванням на вплив влас-
тивостей поверхні та меж розділу на ці
явища.
Ще до створення 10-го відділу Ін-
ституту напівпровідників роботи за
вказаною тематикою велися під ке-
рівництвом професора В.І. Ляшенка
у відділі фізики напівпровідників Ін-
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 85
ституту фізики, який був створений у
1944 ро ці. Саме В.І. Ляшенко був пер-
шим вітчизняним вченим, який теоре-
тично обгрунтував та експерименталь-
но виявив суттєвий вплив поверхневих
електронних процесів на перебіг таких
явищ, як ефект випрямлення, виник-
нення фотоелектрорушійних сил (фо-
тоЕРС) та фотопровідності у напівпро-
відниках. Розпочаті в 1948 році з іні-
ціативи В.І. Ляшенка широкопланові
дослідження поверхневих явищ згодом
привели до формування важливого са-
мостійного розділу фізики напівпро-
відників — електроніки поверхні на-
півпровідників [5, с.61].
Вже на початку 1950-х років було
теоретично й експериментально дове-
дено існування поверхневих електро-
нних рівнів та можливість визначення
змін топографії цих рівнів з експери-
ментів по адсорбції (В.І. Ляшенко,
В.Є. Лашкарьов та ін.). У перших до-
слідах вивчалася поверхнева провід-
ність і контактна різниця потенціалів
напівпровідників у зв’язку з адсорб-
цією газів на їх поверхні (В.Є. Лашка-
рьов, В.І. Ляшенко). Вперше було ви-
явлено і вивчено вплив адсорбції мо-
лекул певних речовин та зовнішнього
електричного поля на фотопровідність
напівпровідників, її кінетику, перебіг
генераційно-рекомбінаційних проце-
сів на поверхні в умовах освітлення;
з’ясовано фізичний механізм такого
впливу (В.І. Ляшенко, О.В. Снітко,
1952—1957 рр.).
У 1956 році в зв’язку з інтенсивним
розвитком транзисторної електроніки
в Інституті фізики АН УРСР вперше в
СРСР були розпочаті комплексні до-
слідження електрофізичних власти-
востей поверхні германію та кремнію.
У ході цих досліджень детально ви-
вчався вплив зовнішнього електрич-
ного поля та адсорбції молекул на по-
верхневі електронні процеси, такі як
темнова і фотопровідність, фотоЕРС,
поверхнева рекомбінація, конденса-
торний фотоефект. Це дало можли-
вість визначити топографію поверхне-
вих рівнів германію та кремнію.
Вперше було визначено параметри,
концентрацію та енергетичне положен-
ня поверхневих електронних рівнів, що
утворюються при адсорбції. Встанов-
лено існування двох систем електро-
нних рівнів — «повільних» і «швидких»;
показано, що поверхневі рівні можуть
служити донорами чи акцепторами і
виконувати інші функції, властиві до-
мішковим електронним рівням в об’ємі
напівпровідника. З’ясовано механізми
обміну носіями заряду між зонами в
об’ємі напівпровідника та поверхневи-
ми рівнями (О.В. Снітко, В.І. Ляшен-
ко, В.Г. Литовченко, В.Є. При маченко,
О.С. Фролов та ін., 1956—1962 рр.). Ці
дослідження дали змогу не тільки об-
грунтувати фізичну модель поверхні
з визначенням необхідного числа па-
раметрів, але й розробити метод змен-
шення й стабілізації поверхової реком-
бінації кремнію, що є суттєвим для роз-
робки напівпровідникових приладів.
У результаті проведених досліджень
намітилися шляхи управління власти-
востями поверхні напівпровідників, що
є актуальним для тонкоплівкової елек-
троніки, де властивості плівок значною
мірою залежать від стану поверхні.
Науковий колектив, сформова-
ний В.І. Ляшенком в Інституті фізики,
послужив базою для створення двох
наукових відділів в Інституті напів-
провідників. Крім 10-го відділу, який
очолював О.В. Снітко, вивченням по-
верхневих явищ у напівпровідниках
займалися співробітники 9-го відділу
під керівництвом В.І. Ляшенка. Цей
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 186
відділ спочатку отримав назву відділу
«електроніки поверхні напівпровідни-
ків»; згодом він був перейменований
у відділ «фізичних основ інтегральної
електроніки» і його керівником став
В.Г. Литовченко.
У перші роки після створення 10-
го відділу Інституту напівпровідників,
яким керував О.В.Снітко, наукові до-
слідження цього відділу стосувалися
широкого кола об’єктів: не тільки акту-
альних до цього часу напівпровідників
германію та кремнію, але також дво- та
багатокомпонентних кристалів CdS,
CdSe, CdTe, GaAs, InP, HgCdTe та плі-
вок PbS, PbSe, чутливих до опромінен-
ня у широкому діапазоні спектра — від
ультрафіолетового до інфрачервоного.
У результаті комплексного дослі-
дження електронних, структурних та
хімічних властивостей поверхні напів-
провідників було розроблено її фізичну
модель, створено теорію нерівноваж-
них процесів у приповерхневій облас-
ті напівпровідників, вивчено природу
поверхневих електронних станів та їх
вплив на властивості реальної поверх-
ні, виявлено нові поверхневі явища.
Як і раніше в Інституті фізики, акцент
робився на дослідженні поверхневих
фотоефектів, таких як поверхнева фо-
топровідність та фотоЕРС, у тому чис-
лі при низьких температурах.
У перших роботах співробітників
відділу було встановлено і досліджено
вплив поверхневих факторів (адсорбція
молекул, зовнішнє електричне поле)
на електронні властивості вузькозон-
них напівпровідників, зокрема тонких
плівок сульфіда свинцю, які широко
використовувались у промисловості.
Було з’ясовано механізм поверхневих
явищ у цих плівках і встановлено, що
окиснення веде до утворення двох ти-
пів центрів: акцепторних рівнів, що
визначають темнову провідність, і рів-
нів прилипання фотоелектронів, що
спричиняють фоточутливість. Було по-
казано, що вплив поверхні на фізичні й
хімічні шари PbS істотно різний через
відмінності в структурі шарів окисла
на поверхнях PbS. Вивчено повільну й
швидку релаксації провідності шарів в
ефекті поля.
У результаті проведених дослі-
джень встановлено, що на поверхні
PbS спостерігається збагачення на дір-
ки завдяки великій концентрації ак-
цепторних поверхневих електронних
станів. Оптимальні умови для підви-
щення фоточутливості шарів PbS до-
сягаються зміною вигину зон, за якого
значення фотовідповіді зростає, а амп-
літуда шуму зменшується. Поверхневі
властивості й вплив газів середовища
визначають нестабільність основних
параметрів приймачів інфрачервоного
випромінення на основі шарів PbS.
Експериментальні дані про вплив
поверхні на провідність, фотопро-
відність і шуми шарів було поясне-
но на підставі запропонованої моделі
декількох шарів PbS. Результати цих
досліджень дозволили суттєво збіль-
шити чутливість і стабільність фото-
опорів на основі шарів PbS (О.В. Сніт-
ко, Б.О. Нестеренко, Ю.А. Пасічник,
О.С. Фролов, 1961—1965 рр.).
Принципове значення для розви-
тку фізики напівпровідників мали ре-
зультати досліджень нерівноважних
електрофізичних явищ на поверхні на-
півпровідників, проведені під керівни-
цтвом О.В. Снітка [1, арк.90, 91].
Було розвинуто теорію нерівноваж-
них електронних явищ на поверхні та у
приповерхових шарах напівпровідни-
ків за наявності освітлення; дослідже-
но енергетичний спектр поверхневих
електронів у площині контакта напів-
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 87
провідників. Вперше відкрито і деталь-
но вивчено ефект поверхневого при-
липання нерівноважних носіїв заряду,
що полягає в перезарядці поверхневих
електронних рівнів під дією освітлення
та супроводжується різким збільшен-
ням фоточутливості зразків (В.Г. Ли-
товченко, В.І. Ля шен ко, В.Є. Прима-
ченко, О.В. Снітко, 1959—1963 рр.).
Відкриття цього явища та його послі-
довний теоретичний аналіз мають важ-
ливе значення для практичного вико-
ристання поверхнево-чутливих фото-
ефектів у приладах фотоелектроніки.
Результати цих робіт увійшли в
монографію [6], яка була написана у
співавторстві зі співробітниками Ки-
ївського університету та Інституту фі-
зичної хімії АН УРСР і відзначена Дер-
жавною премією УРСР за 1970 рік.
Велика група робіт співробітників
відділу № 10 присвячена розвитку тео-
рії малосигнальних поверхневих фото-
ефектів в напівпровідниках з урахуван-
ням ефекту поверхневого прилипання.
Вивчалися насамперед такі напівпро-
відники, як кремній при кімнатних
температурах та германій при низьких
температурах. Було розглянуто їх кі-
нетичні властивості, зокрема кінетику
релаксації при включенні чи вимкнен-
ні світла. Вперше було отримано само-
узгоджені вирази для ефективних часів
релаксації фотопровідності, фотоЕРС
та фотомагнітного ефекту у випадку
існування в приповерхневій області іс-
тотних збіднюючих шарів просторово-
го заряду або шару інверсії провіднос-
ті. Також було доведено обмеженість
використання поняття швидкості по-
верхневої рекомбінації в кінетичних
процесах і відкрито ефект зменшення
рекомбінації приповерхневим полем
(В.О. Зуєв, А.В. Саченко, К.Б. Тол-
пиго, 1964—1967 рр.). Теоре тичне до-
слід ження не рівно важних електро-
нних явищ на поверхні дозволило
запропону вати нові дослідні методи
вивчення поверхневих властивостей
напів провідників і визначення їх пара-
мет рів. Пізніше у монографії [7] було
узагальнено теоретичні та експеримен-
тальні роботи в даному напрямку.
Важливою віхою в дослідженні по-
верхні напівпровідників було відкриття
нерівноважного ефекту поля з глибо-
ким (аж до товщини зразка) виснажен-
ням на основні носії заряду в кремнії.
Було показано, що швидке прикладен-
ня напруги, яка збіднює напівпровід-
ник (кремній) на основні носії заряду,
до конденсатора на основі структури
метал—діелектрик—напівпровідник
(МДН) може привести до різкого змен-
шення (аж до нуля) провідності кремні-
євого зразка на певний проміжок часу.
Це пов’язано з тим, що часи генерації
неосновних носіїв заряду в кремнії до-
сить великі, особливо при понижених
температурах (О.В.Снітко, В.Є. При-
маченко, В.В. Міленін, 1965 р.). Ви-
вчення цього явища дозволило вста-
новити нові механізми польового
при скорення релаксації поверхневої
провідності, вперше визначити пара-
метри електронфононної взаємодії на
поверхні, виявити нові розмірні фізич-
ні ефекти в тонких шарах кремнію.
Ефект глибокого нерівноважного
виснаження носіїв зарядів під дією ім-
пульсного електричного поля відразу
знайшов широке застосування у фізич-
них дослідженнях. Дещо пізніше він
став використовуватись в електронній
промисловості при створенні напівпро-
відникових приладів нового класу —
так званих ППЗ («прилади з переносом
заряду»), принцип дії яких базується
на даному ефекті. ППЗ складаються
з ланцюжків МДН-конденсаторів; в
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 188
основу їх роботи покладено ефект гли-
бокого нерівноважного виснаження
з одночасним переміщенням вздовж
поверхні інформаційного заряду, який
ін’єктується в один чи декілька МДН-
конденсаторів. ППЗ використовують-
ся як системи динамічної пам’яті та
обробки інформації, як засоби форму-
вання зображення тощо.
Під керівництвом О.В. Снітка у
відділі № 10 вперше було дослідже-
но фізичні властивості поверхні ши-
рокозонних напівпровідників, таких
як CdS (В.Н.Бондаренко, В.А. Тягай,
Ю.М. Ширшов). У результаті встанов-
лено існування ефекту нерівноважного
виснаження при кімнатній температу-
рі й визначено параметри поверхневих
станів. За ці дослідження О.В. Снітко
разом з групою вчених Інституту на-
півпровідників та Інституту фізики АН
УРСР був удостоєний Державної пре-
мії України 1981 року.
На протязі 1960—1980-х років у
відділі № 10 проводилися теоретич-
ні дослідження фотоелектричних та
оптичних явищ у напівпровідниках і
поверхнево-бар’єрних структурах на їх
основі, а також у напівпровідникових
приладах (фотодетекторах і фотопе-
ретворювачах).
Було побудовано загальну фено-
менологічну теорію фотоелектричних
процесів у приповерхневих шарах біпо-
лярних напівпровідників; встановлено
схему рекомбінаційних поверхневих
процесів у монополярних широкозон-
них напівпровідниках. Запропоновано
єдиний підхід до теоретичного аналізу
поверхнево-чутливих фотоефектів у
напівпровідниках та МДН-структурах.
Відзначальними рисами цього підхо-
ду є: врахування непостійності квазі-
рівнів Фермі для електронів та дірок
в області просторового заряду (ОПЗ);
самоузгоджений розгляд рекомбінації
на поверхні та у приповерхневій ОПЗ;
розв’язок нелінійної за освітленням
задачі.
Значна увага приділялась у від-
ділі експериментальному вивченню
електрофізичних та фотоелектрич-
них процесів у напівпровідниках при
кріогенних температурах. Зокрема,
в групі Т.М. Ситенко були проведені
дослідження впливу поверхні на фор-
мування остаточної фотопровідності
й фотоелектричної пам’яті в моно-
кристалах та епітаксіальних плівках
арсеніду галію при низьких темпе-
ратурах (О.В. Снітко, Т.М. Си тен-
ко, І.П. Тягульський, 1972—1977 рр).
Розроблено методику дослідження
мілких цент рів, яка базується на тер-
мостимульованому звільненні заряду
в широкому діапазоні температур від
4,2 до 350К (Т.М. Ситенко, В.І. Зи-
менко, В.С. Лисенко).
Теоретичні та експериментальні
дослідження фотоелектричних явищ у
напівпровідниках підсумовано в моно-
графії [8].
Значну кількість робіт школи
О.В. Сніт ка присвячено комплексно-
му вивченню основної проблеми фі-
зики поверхні напівпровідників —
з’ясуванню природи поверхневих елек-
тронних центрів. Методом розв’язання
вказаної проблеми послужило дослі-
дження впливу екстремально силь-
них активних чинників на поверхневі
властивості напівпровідників (очист-
ка в надвисокому вакуумі, легування
домішками, хімічна обробка травни-
ками, вплив сильних електричних по-
лів тощо). У результаті проведеного
структурно-морфологічного аналізу
було встановлено кількісну залежність
різних поверхневих електронних явищ
від фізико-хімічного стану поверхні й
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 89
одержано принципові висновки про
природу поверхневих електронних
цент рів.
Співробітники 10-го відділу зроби-
ли вагомий внесок у вивчення струк-
тури, динаміки, електронного спектра
та природи поверхневих електронних
станів атомарно-чистої поверхні напів-
провідників. Експериментальне дослі-
дження поверхні, спеціально очищеної
від шару окису і домішок, проводилося
О.В. Снітком разом з групою Б.О. Не-
стеренка у 1960—1970-х роках.
Так, було експериментально одер-
жано атомарно-чисті поверхні герма-
нію, кремнію та арсеніду галію; вивче-
но кристалічну будову та електронну
структуру вільних граней атомарно-
чистої поверхні. Досліджено широке
коло поверхневих явищ в умовах над-
високого вакууму різними методами:
ефекту поля, поглинання й відбиван-
ня світла, дифракції повільних елек-
тронів, електрофізичними методами
тощо. Це дозволило встановити мо-
дель атомарно-чистої поверхні, осно-
вні характеристики поверхневих елек-
тронних станів та їх роль у формуванні
механізму поверхневої темнової та фо-
топровідності, ефекту поля, оптичних
властивостей поверхні тощо.
У результаті проведених досліджень
було розвинуто теорію поверхневих
станів і зроблено однозначний висно-
вок про таммовську природу поверх-
невих рівнів. З’ясова но мікромеханізм
поверхневих електронних явищ, таких
як поверхнева дифузія, адсорбція та
міграція атомів, і показано їх тісний
зв’язок зі структурними та фононни-
ми явищами на поверхні. Вперше об-
грунтовано наяв ність локальних рівнів
електронів на границі кристал—вакуум
і вплив специфіки цієї границі на її тер-
модинамічні характеристики.
У ході досліджень вивчалися
фазово-структурні атомні перетво-
рення та динамічні явища, коливання
атомів на атомарно-чистій поверхні
кремнію і фононний спектр криста-
лів, термічне розширення поверхне-
вих граток. Метод дифракції повільних
електронів дав змогу вперше отримати
дані про динаміку поверхневої гратки
напівпровідників, зокрема визначити
амплітуди коливань поверхневих ато-
мів, анізотропію цих коливань та їх за-
лежність від адсорбції чужерідних ато-
мів. Дослідження відмінності структу-
ри й динаміки приповерхневих шарів
кристалу від глибинних шарів показа-
ли, що періоди кристалічної гратки на
атомарно-чистих поверхнях кремнію
відрізняються від періоду кристаліч-
ної гратки в об’ємі кремнію. Було зна-
йдено залежність амплітуди теплових
коливань атомів від відстані до по-
верхні (Б.А. Нестеренко, О.В. Сніт-
ко, А.Д. Бородкін, В.А. Зражевський,
В.Т. Розумнюк, 1972—1980 рр.).
Одержані в цій галузі результати були
пізніше оформлені в двох монографіях
[9, 10], одна з яких вийшла російською,
друга — англійською мовою. Результа-
ти досліджень фазових переходів на по-
верхнях напівпровідників, проведених
Б.О. Нестеренком зі співробітниками,
підсумовано в монографії [11].
Крім атомарно-чистої поверхні
напівпровідників, у відділі вивчали-
ся властивості «реальної» поверх-
ні — окисленої або легованої доміш-
ками металів, які вводяться з розчи-
нів (травників). Одержані результати
показали суттєвий вплив поверхне-
вих домішок на електроніку поверхні
напівпровідників.
У 1962—1971 роках О.В. Снітко ра-
зом з групою В.Є. Примаченка дослідив
фізичні власти вості реальної поверхні
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 190
напівпровідникових структур, які ви-
користовуються в мікроелектро ніці
(германію та кремнію). Було показано,
що легування поверхні металами надає
можливість контрольованого створен-
ня поверхневих електронних станів,
що в свою чергу дозволяє наперед ви-
значати параметри, тобто керувати
властивостями поверхні напівпровід-
ників. Ідея і метод такого управління
властивостями поверхні напівпровід-
ників належать О.В. Снітку. У цьому
напрямку ним разом з В.Є. Примачен-
ком, В.В. Міленіним, Є.П. Мацасом та
С.І. Кириловою був виконаний вели-
кий цикл робіт; їх результати підсумо-
вано в монографії [12].
У даному циклі досліджень з вико-
ристанням широкого комплексу екс пе-
риментальних засобів вивчались елек-
трофізичні, фотоелектричні та струк-
турні властивості легованої металами
поверхні напівпровідників. Вперше
було розроблено метод, встановлено
фізичні механізми та основні законо-
мірності поверхневого легування. Зна-
йдено способи зміни у широких межах
концентрації поверхневих центрів за-
хоплення носіїв току і центрів реком-
бінації. Запропоновано нові методи хі-
мічного та електрохімічного травлення
поверхні, які дають можливість одер-
жати геометрично досконалі поверхні
кристалів германію, кремнію, JnSb та
CdS; розроблено метод електрополі-
рування поверхні з метою отримання
високоякісної поверхні кристалів з
низькою густиною електронних станів
О.В. Снітко з групою Б.О. Нестеренка
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 91
(О.В.Снітко, Є.П. Мацас, В.Є. При-
маченко). На основі таких кристалів
пізніше було створено МДН-прилади,
фотоприймачі, високоякісні лазерні
екрани для напівпровідникового теле-
бачення. Важ ливість цих робіт школи
О.В. Снітка відзначили такі відомі вчені
в галузі фізики поверхні, як В.Л. Бонч-
Бруєвич та В.М. Сандо мирський (у
своїй оглядовій статті, присвяченій
70-річчю з дня народження професора
Ф.Ф. Волькенштейна).
У ході досліджень було виявлено,
що легування поверхні германію й
кремнію домішкою золота з травників
на два-чотири порядки збільшує фото-
чутливість в інфрачервоній (ІЧ) час-
тині спектра. Поверхнева ІЧ фотопро-
відність збільшується при зменшенні
температури і частоти модуляції ви-
промінювання та при збільшенні кон-
центрації золота в травнику. Вивчено
вплив постійного зовнішнього елек-
тричного поля на ІЧ фотопровідність у
стаціонарному й нестаціонарному ви-
падках. На основі аналізу кінетики по-
верхневої ІЧ фотопровідності запро-
поновано метод визначення перерізів
захоплення фотонів при домішковому
поглинанні. Обговорено механізм ІЧ
фотопровідності, зроблено висновок
про монополярність досліджуваної по-
верхневої фотопровідності кремнію.
Виявлено ефект істотного зрос-
тання («спалаху») ІЧ фотопровідності
на легованій мікродомішками металів
О.В. Снітко з групою В.Є. Примаченка
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 192
поверхні кремнію в режимі нерівно-
важного виснаження. Запропоновано
пояснення механізму цього явища, що
виникає внаслідок певних змін поверх-
невих електронних станів. При взаємо-
дії ІЧ випромінювання з мікрозернами
металу на поверхні напівпровідника
збуджуються поверхневі плазмові по-
ляритони; додавання їх амплітуд до
напруги полів біля мікрозерен і шор-
сткостей викликає збільшення генера-
ції фотоносіїв у зону провідності, що
й пояснює аномально великі перерізи
захоплення фотонів.
На основі досліджень явища ІЧ фо-
топровідності було запропоновано но-
вий тип фотоопору і створено елемент
довгочасової фотопам’яті з керованим
часом запам’ято вування (О.В. Снітко,
Ю.А. Пасічник, 1965—1966).
Одночасно з вивченням легованої
металами поверхні напівпровідників у
відділі досліджувались властивості ре-
альної поверхні з урахуванням мікро-
зерен та інших природних відхилень
від ідеально гладкої поверхні.
Зокрема, було досліджено вплив ге-
ометричної гетерогенності (шорсткос-
ті) поверхні на ефект поля в германії та
кремнії. Встановлено, що наявність мі-
крорельєфу поверхні напівпровідників
приводить до суттєвого зменшення рух-
ливості ефекта поля, що може бути інтер-
претовано як виникнення великої кон-
центрації поверхневих рівнів (О.В. Сніт-
ко, О.С. Фролов, 1965—1970 рр.).
О.В. Снітко та Ю.А. Пасічник
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 93
Через деякий час було розвинуто за-
гальний метод розрахунку поверхневої
електропровідності та поверхневої єм-
ності, який дав змогу врахувати вплив
неоднорідностей поверхневого потен-
ціалу, зумовлених наявністю поверхне-
вого рельєфу, вбудованого в діелектрик
заряду та флуктуацій об’ємного рівня
легування (А.В. Саченко, О.В. Снітко,
А.Й. Шкребтій, 1981 р).
Цікавий напрямок розвивався
О.В. Сніт ком разом з А.І. Климовсь-
кою — експериментальне вивчення
впливу поверхні на низку класичних
розмірних ефектів у напівпровідни-
ках. Зокрема, було досліджено: ефект
розмірного магнетоопору на гарячих
електронах в германії та кремнії; роз-
мірне перезаселення долин в кремнії в
сильних електричних полях; довжину
і поверхневу швидкість міждолинної
релаксації; розмірну нестійкість, що
викликається перезарядженням по-
верхневих центрів, та ін. Дослідним
шляхом було виявлено нові кінетичні
явища, що виникають при порівнян-
ності розмірів образців з дифузійними
довжинами. Завдяки цим досліджен-
ням було створено новий тип дат-
чиків магнітного поля і температури
(А.І. Климовська, Є.Г. Гуле, Н.А. При-
ма, О.В. Снітко, 1967—1990 рр.).
Водночас у відділі розвивалася тео-
рія розмірних електронних явищ у на-
півпровідниках (Н.А. Прима, А.В. Са-
ченко, А.Й. Шкребтій) і провадилось
зіставлення експериментальних ре-
зультатів з теоретичними. Важливий
О.В. Снітко з групою А.І. Климовської
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 194
цикл робіт присвячено теоретичному
вивченню впливу розмірності та по-
верхні на процеси релаксації та роз-
сіювання електронів (дірок). Було
досліджено анізотропію електропро-
відності та магнітопровідності тонких
напівпровідникових плівок, товщи-
на яких менша за дебаївську довжину
екранування, в гріючих електричних
полях. Встановлено, що розігрів віль-
них електронів може приводити до
реалізації вольт-амперної характерис-
тики з від’ємною диференціальною
провідністю (N-типу) (З.С. Грибніков,
А.В. Саченко, 1966—1974 рр.). Теоре-
тично проаналізовано вплив поверхні
на релаксацію кінетичних розмірних
явищ; уперше вивчено механізми ре-
лаксації по енергії та міждолинної ре-
лаксації електронів; отримано вирази
для ефективної швидкості міждолин-
ної релаксації та ефективної швидко-
сті поверхневого охолодження в на-
півпровідниках. Показано, зокрема,
що найбільші значення ефективних
швидкостей міждолинної релаксації
та поверхневого охолодження реалізу-
ються при виснажуючих вигинах зон
на поверхні напівпровідників; у той
же час при наявності збагачуючих та
інверсійних вигинів зон ці значення
зменшуються (А.В. Саченко, 1977 р.).
Перспективний науковий напря-
мок розвивався О.В. Снітком разом з
групою, яку очолював В.А. Тягай — екс-
периментальне й теоретичне вивчення
електрофізичних та електрохімічних
явищ на поверхні напівпровідників, а
також на межі розділу напівпровідни-
ків з іншими середовищами.
Було досліджено взаємозв’язок
електро фізичних і хімічних властивос-
тей контакту напівпровідник—елект-
роліт, вивчено закономірності елек-
тровідбивання світла на контакті,
вияв лено ефект екситонної інтерфе-
ренції світла в області приповерхнево-
го бар’єра. На прикладі низки напів-
провідників (германій, кремній, CdS)
встановлено істотну перебудову зонної
структури в шарі приповерхневого
об’ємного заряду; побудовано теорію
досліджуваних явищ (О.В. Снітко,
В.А. Тягай, 1969—1976 рр.).
Також було досліджено електро-
хімічні явища на межі розділу напів-
провідник — розплав, такі як корозія
кремнію, окисно-відновлювані про-
цеси на кремнії, анодне розчинення
кремнію в алюмохлоридних розпла-
вах. Було показано, що перехід до межі
розділу напівпровідник—розплав до-
зволяє істотно підняти верхню межу
температур, тобто істотно підвищити
швидкість іонних процесів і, як на-
слідок, суттєво розширити коло мож-
ливих електрохімічних реакцій, пер-
спективних для технології напівпро-
відників (В.А. Тягай, І.А. Степанова,
Ю.М. Ширшов, 1977—1981 рр.).
На поверхні кремнію та двоокису
кремнію вивчалась імпульсна адсорбція
молекул газів; при цьому особлива ува-
га приділялась аналізу проблем селек-
тивності та старіння. Перша з них була
вирішена використанням сорбентів та
мембран, які встановлюються перед
напівпровідниковою поверхнею. Про-
блему ж старіння було розв’язано вибо-
ром імпульсного режиму роботи сенсо-
ра у такий спосіб, щоб основну частину
часу поверхня напівпровідника знахо-
дилася в добре контрольованих умовах
(наприклад в інертному газі) і лише на
короткий час приводилася в контакт з
молекулами газу. У результататі цих до-
сліджень було створено високочутливі
зразки газових датчиків з визначеною
селективністю (В.А. Тягай, Ю.М. Шир-
шов, В.В. Омельчук, 1977—1982 рр.).
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 95
Добре відомий цикл робіт, вико-
наний під керівництвом В.А. Тягая та
О.В. Снітка і присвячений досліджен-
ню електромодуляційними методами
поглинання та відбивання світла в на-
півпровідниках.
У ході теоретичних та експеримен-
тальних досліджень електрооптичних
явищ у приповерхневій області було
встановлено механізм електровідби-
вання та електропоглинання світла в
напівпровідниках, визначено ряд пара-
метрів поверхні й з’ясовано структуру
дозволених зон (В.А. Тягай, А.М. Єв-
стигнеєв, А.М. Красико). На прикла-
ді ряду напівпровідників (германій,
кремній, сульфід кадмію) отримано
суттєву перебудову зонної структури в
шарі приповерхневого об’ємного заря-
ду (О.В. Снітко, В.А. Тягай). На моно-
кристалах кремнію виявлено лінійний
електрооптичний ефект, зумовлений
асиметрією квантування й фототун-
нелювання електронів та дірок. Розви-
ток електрооптичного методу у засто-
суванні до кристалів А
II
B
VI
(типу CdS)
дозволив кількісно вивчити ефект
Франца—Келдиша і зробити висновки
щодо поверхневих властивостей цих
кристалів.
Отримані результати дозволили
зробити висновок про те, що екситон-
ні ефекти як у непрямозонних (гер-
маній, кремній), так і в прямозонних
напівпровідниках (група А
II
B
VI
) про-
являються як в електропоглинанні,
так і в електровідбиванні не тільки при
низьких, але й при високих (аж до кім-
натних) температурах. Цей висновок
мав принципове значення для вста-
новлення механізму фотоелектричних
процесів у напівпровідниках. Пізніше
був виявлений новий тип осциляцій
електровідбивання, пов’язаний із по-
льовою дисоціацією екситонів.
Крім того, було вивчено законо-
мірності електровідбивання контакту
напівпровідник—електроліт і виявлено
ефект екситонної інтерференції світла в
області приповерхневого бар’єру. Роз-
глянуто вплив поверхні на екситонну
люмінесценцію. Запропоновано фе-
номенологічний підхід, який дав змогу
врахувати наявність і взаємодію двох
підсистем: електронно-діркової і екси-
тонної, а також провести класифіка-
цію граничних випадків, коли можливе
розділення означених підсистем. Це
випадок низьких рівнів ін’єкції, коли
при аналізі електронно-діркової під-
системи можна знехтувати наявністю
екситонів; випадок проміжного рівня
збудження, коли перенос енергії збу-
дження відбувається по електронно-
дірковому каналу, а її релаксація — по
екситонному каналу; і випадок високих
рівнів ін’єкції, коли і переніс, і релак-
сація енергії збудження відбуваються
по екситонному каналу (А.В. Саченко,
В.А. Тягай, О.Г. Кундзич, 1978 р.).
Згадані роботи в галузі модуляцій-
ної спектроскопії поверхні напівпро-
відників провадились у відділі № 10
наприкінці 1960-х та у 1970-ті роки
вперше в СРСР. Результати цього ци-
клу досліджень узагальнено в моногра-
фії [13], яка отримала високу оцінку
вітчизняних та зарубіжних фахівців; її
автори були нагороджені в 1983 році
премією ім. К.Д.Синельникова АН
УРСР.
Також уперше в СРСР під керів-
ництвом В.А. Тягая у відділі були роз-
початі роботи з лазерної голографічної
електрохімії напівпровідників (1972).
Проведено всебічне дослідження фі-
зичних та фотоелектрохімічних влас-
тивостей реакцій на межі поділу
напівпровідник—електроліт (зокрема
процесу травлення на поверхні сульфі-
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 196
ду кадмію). Спостереження проводи-
лися з високою просторовою розділь-
ною здатністю, що дало змогу здійсни-
ти голографічну реєстрацію інформації.
Була збудована теорія голографічного
травлення поверхні напівпровідників,
записані голограми на поверхні моно-
кристалів, тонких плівок (таких як CdS,
CdSe, GeO), ферроелектричних грана-
тів тощо. З їх допомогою створені пері-
одичні поверхові гратки — суперструк-
тури, такі як фокусуюча дифракційна
гратка, квадратна двовимірна гратка,
гексагональні гратки та інші гологра-
фічні оптичні елементи. Продемон-
стровано можливість запису дифрак-
ційних граток з просторовою частотою
6170 мм-1 (при граничній теоретично
можливій частоті інтерференційної
картини 6240 мм-1). Встановлено зна-
чний вплив рельєфної дифракційної
гратки на процеси генерації світла на-
півпровідниковими кристалами CdS і
запропоновано модель реалізації такого
впливу. Показано можливість викорис-
тання поверхових дифракційних граток
для створення розподіленого зворот-
нього зв’язку в хвилеводному лазері,
побудованому на основі кристалу CdS
(О.В. Снітко, В.А. Тягай, В.А. Стерлі-
гов, Г.Я. Колбасов, 1974—1977 рр.).
Досліджено процеси підсилення
світла в активній внаслідок оптичного
накачуван ня зоні напівпровідникового
кристалу; вперше безпосередньо вимі-
ряно підсилення світла власної фото-
люмінесценції напівпровідника. Про-
ведено вивчення процесів дзеркаль-
ного відбивання світла від активної
поверхні напівпровідників («активне
дзеркало»), що дозволило створити
модель активної поверхні напівпровід-
никого кристалу при оптичній одно-
фотонній накачці, а також зрозуміти
можливості практичного застосування
цих процесів (В.А. Тягай, В.А. Стерлі-
гов, 1976—1980 рр.). Вперше проведе-
но дослідження процесів підсилення
та лазерної генерації світла голчатими
напівпровіднико вими кристалами CdS
(В.А. Тягай, В.А. Стерлігов, М.І. Вит-
рихівський, 1977—1981 рр.).
До електрохімічного напрямку ро-
біт відділу № 10 примикає також ви-
вчення анод ного окиснення карбіду
кремнію, що провадилося з метою роз-
робки низькотемпературного методу
нанесення діелектрика. Вперше було
виявлено й досліджено світіння поверх-
ні карбіду кремнію й антимоніду індію
при анодному окисненні в електроліті,
визначено його спектральний склад.
Показано, що світіння спричинюєть-
ся електролюмінесценцією анодного
окислу напівпровідника. Запропоно-
вано модель механізму анодного окис-
нення; створено зонну модель системи
електроліт—діелектрик—напів провід-
ник і на її основі пояснено особливості
електролюмінесценції в процесі анод-
ного окиснення SiС. Пояснено осо-
бливості електролюмінесценції систе-
ми електроліт—SiOx—карбід кремнію
різних політипів. Встановлено вплив
електроліту при анодному окисненні
на властивості й енергетичне положен-
ня рівнів в анодній окисній плівці кар-
біду кремнію (О.В. Снітко, О.М. Гец-
ко, Ю.А. Пасічник, 1977 р.).
Ще один важливий напрямок робіт
відділу — застосування методів інфра-
червоної спектроскопії до вивчення
властивостей реальної поверхні на-
півпровідників. Ці роботи були запо-
чатковані О.В. Снітком у 1970-ті роки
і проводилися під його керівництвом.
Спершу було поставлене завдання: до-
слідити взаємодію ІЧ випромінювання
з поверхнею напівпровідників із про-
сторовою неоднорідністю діелектрич-
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 97
ної проникності, створюваною різ-
ними обробками (термічне й анодне
окиснення, травлення, полірування,
опромінення тощо).
У ході досліджень було детально
вивчено вплив поверхні на інфра-
червону фотопровідність та провід-
ність. Досліджено спектри відбиття,
люмінесценції й порушеного повно-
го внутрішнього відбивання (ППВВ)
у тонких шарах напівпровідників, у
двошарових і тришарових системах
діелектрик—напівпровідник на осно-
ві карбіду кремнію, кремнію та інших
напівпровідників. Уперше виявлено і
вивчено поверхневі поляритони (ПП)
різних типів: звичайні та аномальні.
Розроблено методи спектроскопії по-
верхневих квазічастинок (граничних
і хвилеводних поляритонів) з автома-
тичною реєстрацією спектрів на ЕОМ.
У карбіді кремнію було експери-
ментально виявлено дисперсію по-
верхневих поляритонів, вивчено по-
верхневі плазмон-фононні поляри-
тони 6Н, 15R, ЗС політипів карбіду
кремнію і розраховано дисперсійні
залежності цих поляритонів при трьох
орієнтаціях оптичної осі гексагональ-
ного карбіду кремнію щодо поверхні й
хвильового вектора. Показано, що екс-
периментальні дисперсійні залежності
добре узгоджуються з теоретичними
при врахуванні анізотропії ефективної
маси електронів й однорідному легу-
ванні приповерхневої області.
Досліджено вплив обробки по-
верхні та діелектричного покриття на
властивості поляритонів. Доведено, що
поверхневі обробки істотно змінюють
частоту ПП і можуть в 3-4 рази розши-
рювати спектри ППВВ ПП. Вивчення
впливу тонких шарів окисла на диспер-
сію й спектри ППВВ вказало на мож-
ливість керувати частотою, загасанням
та просторовою структурою поля по-
верхневих поляритонів (О.В. Снітко,
Ю.А. Пасічник, Є.Ф. Венгер, О.М. Гец-
ко, 1973—1977 рр.).
Трохи пізніше у відділі вивчалося
поширення поверхневих електромаг-
нітних хвиль у тришаровій системі із
просторовою неоднорідністю діелек-
тричної проникності в третьому шарі.
Було з’ясовано вплив параметрів дру-
гого шару на просторову структуру по-
лів і дисперсію хвилевидних мод сис-
теми. Отримано розв'язок хвильового
рівняння для даної системи; знайдено
умови прояву граничних хвиль із мак-
симумом амплітуди поля на межі дру-
гого й третього середовищ. Показано,
що вивчення граничних хвиль відкри-
ває додаткові можливості дослідження
поверхневих властивостей напівпро-
відників.
При дослідженні системи: плівка дво-
окису кремнію — карбід кремнію вста-
новлено, що за певних умов у цій систе-
мі можуть збуджуватися ПП, які харак-
теризуються випромінюванням енергії
у підкладку системи. Визначено області
існування й граничні частоти випромі-
нювальних ПП, вивчено їх дисперсію й
просторову структуру поля. (О.В. Сніт-
ко, Е.Ф. Венгер, С.В. Стрижевський,
Ю.А. Пасічник, 1977—1980 рр.).
Наукові результати, отримані у де-
сятому відділі Інституту напівпровід-
ників в 1960—1970-ті роки, узагальне-
но в колективних монографіях [14, 15],
виданих під редакцією О.В.Снітка. Зо-
крема, результати досліджень поверх-
невих поляритонів детально описано у
главі 8 книги [14]. Вчені, які проводили
ці роботи, отримали низку авторських
свідоцтв і патентів.
У характеристиці наукової та нау-
ково-організаційної діяльності ди-
ректора ІН АН УРСР О.В. Снітка від
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 198
03.06.1977 р. зазначено: «в останні ро-
ки у відділі О.В. Снітка на базі сучас-
них методів дифракції повільних елек-
тронів, електрооптичних та розмірних
ефектів були проведені фундаменталь-
ні дослідження мікромеханізму елек-
тронних явищ на поверхні напівпро-
відників, що дозволило цьому відділу
зайняти провідне місце у згаданих пи-
таннях» [1, арк.79].
Крім згаданих напрямків дослі-
джень, у відділі № 10 починаючи з
1976 р. провадились роботи із синте-
зу різних напівпровідникових сполук
(М.І.Витрихівський). У 1970—1980-ті
роки було розроблено фізико-хімічні
основи синтезу і вперше синтезова-
но чотирикомпонентні сполуки типу
А
II
B
VI
— С
II
D
VI
, а також створено нові
напівмагнітні напівпровідники. У на-
ступний період було запропоновано
нові способи створення структур моле-
кулярної електроніки на основі плівок
Ленгмюр—Блоджетт (Б.О. Нестеренко,
Ю.М. Ширшов, 1985—1993 рр.).
У 1980—1990-ті роки у відділі фізики
поверхні напівпровідників продовжу-
валися традиційні для тематики школи
О.В. Снітка дослідження приповерхне-
вого шару та реальної поверхні напів-
провідників. Значна увага приділялася
дослідженню електрофізичних власти-
востей полярних напівпровідникових
матеріалів, монокристалів, діелектрич-
них і напівпровідникових плівок, дво- і
тришарових структур. Водночас із роз-
ширенням тематики відділу до кола
питань, що розробляються, увійшла
теорія фотоперетворення у різних на-
півпровідникових структурах.
Так, розроблено теорію фотопе-
ретворення в МДН-структурах з ту-
нельно тонким діелектриком, отрима-
но критерії справедливості діодної та
дифузійної теорії стру мо проходження
в даному випадку. Проаналізовано
можливості збільшення коефіцієнту
корисної дії (к.к.д.) сонячних елемен-
тів на основі МДН-структур з тунель-
ним діелектриком, зокрема роглянуто
вплив висоти поверхневого бар’єру та
товщини шару діелектрика на величи-
ну к.к.д. (А.В. Саченко, О.В. Снітко,
І.В. Крупнова, 1980—1982 рр.).
Теоретично змодельовано ефектив-
ність фотоперетворення в поверхнево-
бар’єрних структурах на основі аморф-
ного гідрогенізованого кремнію, вихо-
дячи з дифузійної теорії випрямлення.
Показано, що достатньо великий ко-
ефіцієнт фотоперетворення в даному
випадку може бути досягнутий лише за
умови порушення наближення релак-
саційного напівпровідника, тобто за
умови, коли час максвелівської релак-
сації стає меншим за рекомбінаційний
час (А.В. Саченко, 1984—1985 рр.).
Теоретично та експериментально
досліджено закономірності формуван-
ня фотовідгуку в МДН-структурах з ту-
нельно прозорим діелектриком. Вста-
новлено, що характеристичними часа-
ми релаксації в них є час перезарядки
ємності ОПЗ напівпровідника або час
прольоту неосновних носіїв заряду че-
рез ОПЗ за умови, коли ємність діелек-
трика значно більша за ємність напів-
провідника (А.Я. Вуль, С.В. Кози рєв,
А.В. Саченко, 1983—1985 рр.).
Запропоновано новий підхід до
розрахунку впливу контактної сітки на
послідовний опір та ефективність фо-
топеретворення кремнієвих сонячних
елементів. Зокрема показано, що ве-
личина послідовного опору сонячних
елементів контролюється ефективною
довжиною збирання генерованих світ-
лом електронно-діркових пар в силь-
но легованому приповерхневому шарі
й визначається рівнем освітленості та
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 99
параметрами цього шару (А.В. Сачен-
ко, А.Й. Шкребтій, 1985 р.)
З метою вивчення властивостей
поверхневих поляритонів різних типів
у 10-му відділі було виконано низку
важливих експериментальних і тео-
ретичних робіт. Зокрема, досліджено
імпульсну адсорбцію молекул на по-
верхні германію і встановлено, що ви-
сокочастотна дисперсійна гілка зміша-
них плазмон-фононних ПП арсеніду
галію, що має плазмовий характер,
локалізована ближче до поверхні та є
більш чутливою до структури і скла-
ду приповерхневих шарів та рельє-
фу поверхні матеріалу. На шорсткій
поверхні відбувається розщеплення
плазмон-фононних ПП на дві гілки:
більш глибокий низькочастотний мі-
німум пов’язаний із ПП межі пору-
шений шар—повітря, а неглибокий
високочастотний мінімум — із межею
підкладка—порушений шар напівпро-
відника. Розвиток рельєфу поверхні
приводить до довгохвильового зсуву
головного й слабкого короткохвильо-
вого зрушення додаткового мінімумів
неповного внутрішнього відбивання,
обумовлених збільшенням ефективної
діелектричної проникності навколиш-
нього середовища. Передбачено немо-
нотонну залежність граничної частоти
ПП від загасання плазмонів у шор-
сткому шарі (О.В. Снітко, Є.Ф. Вен-
гер., М.Л. Дмитрук, 1988 р.).
Досліджено вплив іонної імплан-
тації на фізичні властивості полярних
напівпровідників, отримано вираз
для відносного коефіцієнта ППВВ і
дисперсійні рівняння поверхневих та
хвилеводних поляритонів у тришаро-
вій системі, проведено моделювання
поведінки дисперсії й загасання ПП
в арсеніді галію й карбіді кремнію за-
лежно від режимів імплантації. По-
казано, що збільшення енергії іонів
легуючої домішки й дози імплантації
приводить до сильного зсуву спектрів
ППВВ і дисперсії плазмон-фононних
ПП в область високих частот; у той же
час ріст загасання фононів і плазмо-
нів обумовлює низькочастотний зсув
спектрів ППВВ і дисперсії ПП. Вста-
новлено, що іонна імплантація змі-
нює силу осцилятора коливань гратки
через деструкцію приповерхневої об-
ласті кристалу на глибину, яка значно
перевищує пробіг іонів (О.В. Снітко,
Є.Ф. Венгер, М.Л. Дмитрук, Ю.А. Па-
січник, 1988 р.).
Теоретично й експериментально
вивчено спектри ППВВ, дисперсію та
загасання ПП дельта-легованих шарів
арсеніду галію. Показано, що дельта-
легування зміщує спектри ППВВ й
дисперсію ПП в область високих час-
тот і значно зменшує загасання плаз-
монів. Установлено зростання рух-
ливості електронів при збільшенні їх
поверхневої концентрації, що зумов-
лено ослабленням перекриття двови-
мірних підзон внаслідок збільшення
міжшарових проміжків (Є.Ф. Венгер.,
М.Л. Дмитрук, 1989 р.).
Теоретично та експерименталь-
но досліджено поверхневі фононні та
плазмон-фононні поляритони гек-
сагональних монокристалів ZnO при
трьох ортогональних орієнтаціях осі
С відносно напрямку поширення ПП.
Показано, що поляризація анізотроп-
них ПП оксиду цинку має змішаний
характер ЕН-типу, і лише при орто-
гональних орієнтаціях хвильового
вектора ПП відносно оптичної осі С
спостерігаються ПП Н-типу. Вперше
теоретично визначено області існуван-
ня поверхневих фононних та плазмон-
фононних поляритонів 2-го типу в мо-
нокристалах ZnO при орієнтації К||С,
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 1100
ху||С та експериментально отримано їх
спектри. Експериментально встанов-
лено, що затухання фононної та плаз-
мової підсистем оксиду цинку дозволяє
зареєструвати поверхневі фононні та
плазмон-фононні поляритони в околі
«точки зупинки», яка в реальних випад-
ках не є особливою точкою. Разом з тим
частота поперечного оптичного фоно-
на при ЕС для ZnO може бути «точкою
зупинки» лише у гармонічному набли-
женні. На даній частоті спостерігаєть-
ся спектр ППВВ ПП змішаного типу,
коли генеруються одночасно ПП 1-го і
2-го типів (Є.Ф. Венгер, О.В. Мельни-
чук, Л.Ю. Мельничук, Ю.А. Пасічник,
1994—1997 рр.).
Досліджено коефіцієнти ППВВ s- і
р- поляризованого світла двошарової
системи діелектрик—напівпровідник
у випадку збудження хвилеводних по-
ляритонів (ХП). На основі кількісного
аналізу експериментальних і розра-
хункових спектрів визначено облас-
ті існування, умови реалізації і вплив
поглинання в плівці на властивості
ХП Е- і Н-типів, які збуджуються в ІЧ
області й зумовлені часовою дисперсі-
єю діелектричної проникності тільки
підкладки або плівки і підкладки од-
ночасно. Експериментально виявлено
ХП Е- і Н-типів у двошаровій системі:
термічний окисел—карбід кремнію.
Показано, що взаємодія електромаг-
нітного випромінювання з оптичними
фононами системи змінює просторову
структуру поля, області існування й
дисперсійні залежності ХП (Є.Ф. Вен-
гер, 1989 р.).
Виявлено й вивчено властивості
фононних і плазмон-фононних ПП в
шпінелі MgAl
2
O
4
, в одноосних крис-
талах ZnР
2
, CdР
2
,
ZnSiР
2
при різних
орієнтаціях. Установлено частотні об-
ласті існування реальних і віртуальних
ПП залежно від напрямку їх поширен-
ня щодо оптичної осі кристала. Впер-
ше досліджено сингулярні поверхневі
поляритони (СПП) в ZnSiР
2
. Пока-
зано можливість застосування мето-
ду ППВВ для виявлення ІЧ коливань
гратки з малою силою осциллятора.
Розраховано дисперсійні залежності
СПП, показано вплив частоти плаз-
монів на частотні інтервали та дис-
персійні залежності СПП (Є.Ф. Вен-
гер, Ю.А. Пасічник, К.В. Шпортько,
1987—1998 рр.).
Результати згаданих досліджень
підсумовано у вигляді монографії [16].
На основі цих робіт у відділі № 10 було
розроблено, запатентовано і захищено
авторськими свідоцтвами на винаходи
низку експериментальних методик, а
саме: способи визначення параметрів
порушеного приповерхового шару по-
лярних кристалів; способи виміру кон-
центрації носіїв заряду в приповерх-
невій області напівпровідників; спосіб
термообробки монокристалів карбіду
кремнію; спосіб модуляції електромаг-
нітного випромінювання та пристрій
для його здійснення; спосіб визначен-
ня концентрації і рухливості носіїв за-
рядів у полярних напівпровідникових
матеріалах; спосіб визначення напрям-
ку орієнтації оптичної осі оптично-
анізотропних полярних напівпровідни-
ків; споcіб визначення товщини й діе-
лектричної проникності діелектричних
і напівпровідникових плівок та ін.
Очолюючи з 1970 року Інститут
напівпровідників, О.В. Снітко уваж-
но стежив за роботою всіх підрозділів
інституту. Він докладав багато зусиль
до прикладних застосувань результатів
наукових досліджень, які виконува-
лися в інституті. Зокрема, з його іні-
ціативи в Інституті напівпровідників
у 1975 році було створено Спеціальне
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 101
конструкторсько-технологічне бюро
(СКТБ) з дослідним виробництвом,
де розроблялися і випускалися неве-
личкими партіями унікальні напівпро-
відникові прилади. Так, у 1975—1977
роках в СКТБ інституту був налаго-
джений малосерійний випуск кріоген-
них термометрів з високою чутливістю
і стабільністю, які могли працювати в
сильних магнітних полях.
Зусиллями О.В. Снітка зміцнились
зв’язки Інституту напівпровідників з
промисловістю, наукові розробки ши-
роко впроваджувались у виробництво.
Значно покращилось забезпечення ла-
бораторій експериментальним облад-
нанням; було закінчено проектування
технологічного корпусу інституту.
Інститут напівпровідників одним
із перших науково-дослідних установ
України організував міжвідомчі та га-
лузеві лабораторії, які виконували ро-
боти для потреб промислових підпри-
ємств і використовували виробничу
базу цих підприємств для впроваджен-
ня наукових розробок. Перша міжві-
домча лабораторія була створена у 1970
році спільно з київським заводом «Точ-
електроприлад»; у 1977 році в інституті
працювали вже три таких лабораторії.
Усього під керівництвом О.В.Снітка
в Інституті напівпровідників спільно
з міністерствами було створено шість
галузевих лабораторій для виконання
програм з фото- і мікроелектроніки [1,
арк.97].
У характеристиці О.В. Снітка,
представленій для участі у виборах ака-
деміків АН УРСР (1985), підсумовано
діяльність Олега В’ячеславовича на по-
саді директора в такий спосіб: «На про-
тязі останніх 15 років О.В. Снітко є ди-
ректором Інституту напівпровідників
АН УРСР. За цей час здійснено вели-
кий комплекс науково-організаційних
заходів, які сприяли збільшенню
ефективності роботи інституту. ІН АН
УРСР перетворився на досить сильний
інститут фізико-технічного профілю,
виріс кількісно і якісно, зайняв про-
О.В.Снітко на вченій раді Інституту напівпровідників (1970-ті рр.)
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 1102
відні позиції у країні по актуальним
напрямам фізики напівпровідників.
Суттєво посилились зв’язки ІН АН
УРСР з промисловістю, зросло число
наукових тем, актуальних для народ-
ного господарства» [1, арк.88].
У клопотанні від 18.01.1988 р. про
присвоєння директору Інституту на-
півпровідників О.В.Снітку звання «за-
служений діяч науки України» зазна-
чено, що протягом 1983—1987 років
«економічний ефект від впровадження
науково-технічних розробок інституту
збільшився вдвічі у порівнянні з попе-
реднім п’ятиріччям і становив 40 млн.
крб.; при цьому в секторі “поверхне-
ві та контактні явища в напівпровід-
никах”, очолюваному О.В. Снітком,
одержано економічний ефект у розмірі
8,7 млн. крб.» [1, арк. 97].
У тому ж самому документі вказано,
що «успішній діяльності О.В.Снітка на
посаді директора інституту значною мі-
рою сприяли такі його особисті якості,
як скромність, стриманість і повага до
людей» [1, арк. 98].
Відзначальні риси О.В.Снітка як
керів ни ка — це людяність, чуйність,
уважне став лен ня до всіх без винят-
ку співробітників і готовність завжди
прийти на допомогу в разі потреби.
Перебуваючи на посаді директора,
Олег В’яче сла вович був доступним
не тільки для своїх колег з Інституту
напівпровідників, але й для числен-
них вчених з інших установ, які кон-
сультувалися з ним з багатьох питань.
Будь-хто із співробітників чи гостей,
навіть із обслугову ючого персоналу
інституту, міг легко потрапи ти на при-
йом до директора, поспілку ватися з
ним, отримати допомогу або цінну по-
раду.
Багато уваги О.В.Снітко приділяв
вихованню наукової зміни, підвищен-
ню професійного та освітнього рівня
своїх учнів. Він регулярно (раз на тиж-
день) спілкувався з усіма співробітни-
ками свого відділу, при цьому дотри-
мучись принципу поділу на групи. Для
кожної групи був призначений свій
день тижня (понеділок, вівторок і т.д.);
у цей день всі члени групи приходили
в кабінет до Олега В’ячеславовича і
разом з ним обго во рювали результати
проведених досліджень, визначали на-
прямки подальших робіт.
Окрім цих зустрічей, які увійшли в
традицію наукової роботи відділу, раз
на тиждень провадився загальнофізич-
ний семінар, на якому доповідались
наукові роботи й дисертації за темати-
кою відділу — «фізика поверхні напів-
провідників». Участь у семінарі брали
співробітники Інституту напівпро-
відників та інших наукових закладів
України, а також гості з усього колиш-
нього Радянського Союзу; тобто семі-
нар 10-го відділу був широко відомим
і популярним серед фахівців. З часом
він переріс у семінар двох відділів: 10-
го і 9-го (приєднався відділ електроні-
О.В.Снітко. 1980-ті роки
НАУКОВА ШКОЛА О.В.СНІТКА В ІНСТИТУТІ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАН УКРАЇНИ
Наука та наукознавство, 2011, № 1 103
ки поверхні напівпровідників під ке-
рівництвом В.Г. Литовченка).
Як правило, семінар тривав 2—2,5
години. Основна увага приділялась «на-
уковим оглядам» керівників груп — від
45 хвилин до 1 години: в цих оглядах де-
тально висвітлювалися науковий зміст
проблеми, що вирішується в групі, одер-
жані результати та їх значення. Водночас
«реферуванню літератури» на семінарі
приділялося всього 10—15 хвилин. Від-
повідальні за підготовку і проведення
цієї частини семінару призначалися за-
здалегідь; в їх обов’язок входило стисле і
чітке викладення значного обсягу досить
складної інформації з фахових питань.
У рамках школи О.В. Снітка підго-
тували й успішно захистили дисертації
35 кандидатів і 8 докторів наук; першим
із учнів Олега В’ячеславовича став док-
тором Борис Олексієвич Нестеренко у
1977 році [1, арк.101,80]. Більшість учнів
О.В. Снітка згодом очолили певні на-
укові напрямки (Примаченко В.Є., Не-
стеренко Б.О., Пасічник Ю.А., Венгер
Є.Ф., Климовська А.І., Ширшов Ю.М.).
Дехто з них очолив відділи, лабора-
торії та кафедри в інших наукових та
учбових закладах. Так, О.С.Фролов
став завідувачем лабораторії в НДІ
„Мікроприлад”, В.Т. Розумнюк — зав.
кафедрою фізики в Білоцерківсько-
му сільськогосподарському інституті,
А.Й. Шкребтій — професором в одному
з канадських вузів. Троє учнів О.В. Сніт-
ка — Є.Ф. Венгер, Б.О. Нестеренко та
В.С. Лисенко — згодом були обрані
членами-кореспондентами АН УРСР.
Останній з них (В.С. Лисенко) був та-
кож учнем В.Г. Литовченко, захистив
під його керівництвом кандидатську
дисертацію, після чого перейшов пра-
цювати у відділення О.В. Снітка.
У вже згаданих клопотанні та ха-
рактеристиці, датованих 1985 і 1988 р.,
стверджується: «О.В. Снітко сформу-
вав визнану у країні школу з фізики
поверхні напівпровідників, зробив ве-
ликий внесок у розвиток і становлен-
ня нових наукових напрямів інституту
(високотемпературна надпровідність,
фізика радіаційних впливів на напів-
провідники, фізика надійності виробів
електронної техніки)» [1, арк.97].
«Створена О.В. Снітком в ІН АН
УРСР наукова школа фахівців з фізики
поверхні напівпровідників користуєть-
ся заслуженим авторитетом і входить
у число провідних в СРСР. За роки ХІ
п’ятирічки їм тричі присуджувалася
Державна премія УРСР в галузі науки
і техніки, а впровадження результатів
наукових досліджень в електронну про-
мисловість дало економічний ефект по-
над 5 млн. карбованців» [1, арк.88].
У наш час на офіційному сайті Ін-
ституту фізики напівпровідників НАН
України можна прочитати такі рядки:
«У більшості традиційних для інсти-
туту напрямках наукової діяльності
склалися та успішно функціонують
широко відомі наукові школи під ке-
рівництвом провідних вчених, зокрема
школа з фізики поверхні і мікроелек-
троніки; заснов ники — академік АН
УРСР професор О.В. Снітко, доктор
фізико-математичних наук профе-
сор В.І. Ляшенко, керівник — член-
корес пондент НАН України професор
В.Г. Литовченко» [17].
Отже, наукова школа О.В.Снітко
загальновизнана; її результати й до-
сягнення добре відомі фахівцям. Нині
представники цієї школи успішно про-
довжують дослідження в галузі фізики
поверхні напівпровідників. Традицій-
ну тематику школи О.В. Снітка розви-
вають сьогодні його учні: Є.Ф. Венгер,
В.С. Лисенко, А.В. Саченко, А.І. Кли-
мовська, В.А. Стерлігов.
А.М. Глєбова, А.В. Саченко
Science and Science of Science, 2011, № 1104
Як і раніше, вивчаються електро-
фізичні та оптичні явища на поверхні
напівпровідників, а також у шаруватих
і низьковимірних системах, таких як
діелектрик—напівпровідник, метал—
діелектрик—напівпровідник, точкові,
ниткоподібні та тонкоплівкові гетеро-
структури, напівпровідникові та діелек-
тричні плівки. Продовжується вивчення
фото- та термостимульованих процесів
у тонкошарових багатофазних струк-
турах; процесів генерації, рекомбінації
та переносу зарядів у шаруватих струк-
турах з приповерхневими дифузійно-
польовими бар’єрами тощо. Разом з
тим відбувається значне розширення
тематики роботи школи завдяки появі
нових напрямків дослід жень: це фізика
поверхні нанорозмірних напівпровід-
ників (із розмірами 100 нм) та серед-
овищ із нановключеннями; вакуумна
наноелектроніка; молекулярна елек-
троніка; вивчення квантово-розмірних
наноструктур, таких як квантові над-
гратки з різними ширинами квантових
ям та бар’єрів; та ін. [18].
Згадані дослідження зосереджені
сьогодні у відділенні фізики поверхні
та мікроелектроніки Інституту напів-
провідників, до складу якого входять
4 відділи і 32 співробітника (керів-
ник — В.Г. Литовченко).
Завдяки добре продуманій науко-
вій і кадровій політиці, яку проводив
О.В. Сніт ко у свій час, перебуваючи на
посадах заступника директора і дирек-
тора, в Інституті фізики напівпровід-
ників нині сформовано згуртований
науковий колектив, який плідно пра-
цює, відповідаючи вимогам часу.
1. Особова справа академіка Снітко Олега В’ячеславовича. — Архів Президії НАН України, ф.№ 281.
2. Олег В’ячеславович Снітко.— К.: Академперіодика, 2008. — (Біобібліографія вчених України).
3. Олег В’ячеславович Снітко // Вісн. АН України.— 1990.— №.7.— С.97.
4. In memory оf Oleg Vyacheslavovych Snitko (to the 80th Anniversary of his birthday) / Naumovets
A.G., Brodyn M.S., Machulin V.G., Lytovchenko V.G., Sachenko A.V. // Ukrainian Journal of Physics.—
2008.— Vol. 53, N 3.— P.296—297.
5. Институт полупроводников / Под ред. О.В.Снитко.— К.: Наук. думка, 1985.— 150 с.
6. Электронные явления на поверхности полупроводников / В.И.Ляшенко, Л.В.Ляшенко,
В.Г.Литовченко, И.И.Степко, В.И.Стриха. — К.: Наук.думка, 1968.
7. Зуев В.А. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводни-
ковых приборах / Зуев В.А., Саченко А.В., Толпыго К.Б. — М.: Сов.радио, 1977.— 256 с.
8. Саченко А.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников / Саченко А.В.,
Снитко О.В. — Киев: Наук. думка, 1984.— 231 с.
9. Нестеренко Б.А. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников / Не-
стеренко Б.А., Снитко О.В. — К.:, Наук.думка, 1983.— 264 с.
10. Nesterenko B. Physical Properties of Atomically Clean Semiconductor Surface / Nesterenko B.,
Snitko O. — Moskow: Nauka Publishers, 1988.
11. Нестеренко Б.А. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупро-
водниках / Нестеренко Б.А., Ляпин В.Г.— К.: Наук. думка, 1990.
12. Примаченко В.Е. Физика легированной металлами поверхности полупроводников / При-
маченко В.Е., Снитко О.В. — К.: Наук. думка, 1990.
13. Снитко О.В., Электроотражение света в полупроводниках / Снитко О.В., Тягай В.А. — К.:
Наук. думка, 1980.— 302 с.
14. Проблемы физики поверхности полупроводников / Снитко О.В., Саченко В.Е., Примачен-
ко В.Е и др.; под ред. О.В.Снитко.— К.: Наук.думка, 1981.— 332 с.
15. Физические основы полупроводниковой электроники / Снитко О.В., Пекар С.И., Вась-
ко Ф.Т. и др.; под ред. О.В.Снитко. — К.: Наук. думка, 1985.
Наука та наукознавство, 2011, № 1 105
16. Спектроскопія залишкових променів / Снітко О.В., Венгер Е.Ф., Мельничук О.В., Пасіч-
ник Ю.А..— К.: Наук. думка, 2001.
17. http://web.isp.kiev.ua/index.php?option=com_content&view=article&id=23&Itemid=13&lang=uk
18. http://web.isp.kiev.ua/index.php?option=com_content&view=article&id=28&Itemid=63&lang=uk
Одержано 16.02.2011
А.Н. Глебова, А.В. Саченко
Научная школа О.В. Снитко в Институте физики
полупроводников НАН Украины
Рассмотрена история создания научной школы О.В. Снитко в области физики поверхности полупро-
водников. Воссоздан жизненный и творческий путь руководителя школы, характерные черты его научной
и организационной работы. Отражены научные результаты, полученные в рамках школы О.В. Снитко.
Центр исследований научно-техни-
ческого потенциала и истории науки
им. Г.М. Доброва НАН Украины по-
терял одного из своих преданных,
работоспособных и ценных сотрудни-
ков.
Валентина Яковлевна Артемова
родилась 17 января 1938 г. в г. Старая
Синява Хмельницкой области в семье
служащего. В 1952 г. после окончания
Браницкой семилетней школы Бобро-
вицкого района Черниговской области
поступила в Прилукское педагогичес-
кое училище, которое окончила с отли-
чием в 1956 г. В том же году поступила
на историко-философский факультет
Киевского государственного универ-
ситета им. Т.Г. Шевченко, который
окончила в 1961 г.
Многие перипетии жизненного
пути и работы Валентины Яковлевны
были связаны с воинской службой ее
мужа Александра Сергеевича Артемо-
ва, ныне генерал-лейтенанта. Ей при-
шлось работать завучем и учителем
истории в школе далекого Усть-Кута в
Иркутской области, на комсомольской
работе в Киевском промышленном
обкоме комсомола, Киевском горко-
ме комсомола и ЦК ЛКСМ Украины
(1963—1971 гг.), затем в связи с пере-
водом мужа по службе в 1971—1975 гг.
в Черновицком обкоме партии, в
1971—1978 гг. во Львовском областном
институте усовершенствования учи-
телей и преподавателем Львовского
Памяти Валентины Яковлевны Артемовой
|