Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні

Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, вик...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Лазарєв, О.О., Басюк, Т.Б., Філинюк, М.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Назва видання:	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Теми:	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32203
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-32203
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-322032012-04-14T12:25:17Z Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А. Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Проведено комп'ютерне моделювання даного елемента. 2008 Article Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp. 1681-7893 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32203 004.032.26 uk Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
spellingShingle	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А. Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
description	Запропоновано нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції "І", "АБО", "НІ" булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам'яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Проведено комп'ютерне моделювання даного елемента.
format	Article
author	Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А.
author_facet	Лазарєв, О.О. Басюк, Т.Б. Філинюк, М.А.
author_sort	Лазарєв, О.О.
title	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_short	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_full	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_fullStr	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_full_unstemmed	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні
title_sort	оптоелектронний нейронний елемент на с-негатроні
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32203
citation_txt	Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні / О.О. Лазарєв, Т.Б. Басюк, М.А. Філинюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2008. — № 2 (16). — С. 191-196. — Бібліогр.: 16 назв. — укp.
series	Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
work_keys_str_mv	AT lazarêvoo optoelektronnijnejronnijelementnasnegatroní AT basûktb optoelektronnijnejronnijelementnasnegatroní AT fílinûkma optoelektronnijnejronnijelementnasnegatroní
first_indexed	2025-07-03T12:43:58Z
last_indexed	2025-07-03T12:43:58Z
_version_	1836629768366194688
fulltext	5 УДК 004.032.26 О.О. ЛАЗАРЄВ , Т.В. БАСЮК, М.А. ФІЛИНЮК ОПТОЕЛЕКТРОННИЙ НЕЙРОННИЙ ЕЛЕМЕНТ НА С-НЕГАТРОНІ Вінницький національний технічний університет, Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна, тел.:+380 (432) 59-80-75, E-mail: LaAlex@mail.ru Анотація. В роботі запропонований нейронний логічний елемент - оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, широтно-імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. Було проведене комп‘ютерне моделювання данного елемента. Ключові слова: нейронний елемент, С-негатрон. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ Інтелектуальні системи на основі штучних нейронних мереж дозволяють ефективно вирішувати задачі розпізнавання образів, прогнозування, оптимізації, діагностики, кластеризації, асоціативної пам’яті та керування [1, 2]. Штучний нейрон є елементарним функціональним модулем, з множини яких будуються штучні нейронні мережі. Він являє собою модель біологічного нейрона, але не в сенсі способу функціонування, а лише здійснення відповідних перетворень над вхідними сигналами. Нейрон виконує дві основні функції: зважене сумування (інтегрування) вхідних сигналів; та має нелінійну функцію активації, в найпростішому випадку - порогову функцію активації, тобто коли сумарний вхідний сигнал перевищить певний заданий поріг, на виході нейрона з’являється сигнал високого рівня. На даний час існує велика кількість різних варіантів нейронних елементів [1]: механічних, магнітоелектричних, термоелектричних, квантових, на основі надпровідних матеріалів, на транзисторних схемах [3], на приладах з від’ємним опором – R-негатронах [4], на біспін-приладах [5], на операційних підсилювачах, на цифрових мікросхемах та мікро контролерах [1]. Складні фізичні моделі нейронних елементів дозволяють найбільш точно відобразити всі процеси та функціонування біологічних нейронів, проте містять велику кількість приладів і створення великих масивів таких нейронів є занадто складною технічною задачею. Альтернативний підхід полягає у створенні якомога простіших апаратних реалізацій нейронних елементів зі збереженням головних функції нейрону. Найперспективнішою елементною базою для створення нейронних елементів є функціональні електронні прилади, використання яких забезпечить схемотехнічну простоту, високу надійність, економічність, технологічність, малі габарити та вагу. Перспективними функціональними електронними приладами є R-, L-, C-негатрони – прилади, що в певному режимі роботі маються від’ємне значення основного диференційного параметру (від’ємний активний опір, індуктивність, ємність). Теорія та практика створення та використання R-негатронів вже досить розвинута [6, 7]. Тільки напівпровідникових R-негатронів створено більше двох десятків різновидів. Серед них найпотужніші надвисокочастотні прилади – лавинно-пролітні діоди, найшвидкодіючи ключі на лавинних транзисторах, найпотужніші напівпровідникові струмові перемикачі на динисторах та тиристорах. Відомі апаратні реалізації нейронних елементів на базі R-негатронів [4]: нейристори на S-діодах; модуляційних, лавинних, одноперехідних транзисторах; динисторах та тиристорах; тунельних діодах. Відкриття нових фізичних ефектів від’ємної ємності призвело до появи фізичних С-негатронів [8-12], використання яких дозволяє вирішити ряд проблем класичної електроніки [13 - 15]. В зв’язку з цим викликає інтерес також створення нейронних елементів на базі фізичних С-негатронів, що будуть  О.О. ЛАЗАРЄВ, Т.В. БАСЮК, М.А. ФІЛИНЮК, 2008 ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 6 мати ряд переваг над існуючими. Наявність оптичних входів дозволяє забезпечити загальновідомі переваги оптичних зв’язків. ТЕОРЕТИЧНЕ ОБҐРУНТУВАННЯ ПОБУДОВИ НЕЙРОННИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА С- НЕГАТРОНАХ С-негатроном називається електронний прилад та його схемотехнічний аналог, що в певному режимі роботи має від’ємне значення диференційної ємності. Як і R-негатрони, їх можна поділити на статичні та динамічні [6]. Статичні С-негатрони мають кулон-вольтні характеристики N- та S-типів (рис. 1, а, б), на яких існує падаюча ділянка (а, б), де значення диференційної ємності буде негативним ( ) 0C dq du − = < . Рис. 1. Кулон-вольтні характеристики N- (а) та S-типів (б) С-негатронів Наявність від’ємної ємності робить С-негатрон потенційно-нестійким та багатофункціональним приладом. При правильному виборі параметрів навантаження схема на С-негатроні буде працювати в режимі перемикання [6], а С-негатрон буде виконувати функції порогового елементу. Так при ( )C Cн < − пряма навантаження перетинає кулон-вольтну характеристику С-негатрона N-типу як показано на рис. 2. При подачі вхідного струму ( )i t , заряд ( )q t на С-негатроні буде збільшуватися, а положення робочої точки зсуватися з положення 1 в 2. При цьому буде забезпечуватися функція інтегрування вхідного сигналу струму, так як 0 ( ) ( ) t q t i t dt= ∫ . При досягненні порогового значення заряду порQ відбудеться перемикання С-негатрона, і робоча точка миттєво перейде з положення 3 в положення 4, а напруга на С-негатроні стрибкоподібно зміниться від Uпор до Uhigh. u q ( ) нC C − > 1 2 3 4 Qпор U1 Uhigh Uпор Рис. 2. Прямі навантаження та положення рівноваги С-негатрона N-типу ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 7 Аналогічним чином, але при ( ) нС C − > , буде працювати С-негатрон S- типу в режимі перемикання [6] та виконувати функції інтегрування вхідного струму та функцію порогового елементу. Виходячи з вищенаведеного принципу роботи порогового елементу синтезована схема оптоелектронного нейронного елементу на базі С- негатрона N-типу, що наведена на рис. 3. На схемі: Сн – ємність навантаження – визначає нахил прямої навантаження; С(-) N – C-негатрон N-типу – виконує інтегрування вхідних струмових сигналів та порогову функцію активації; фотодіоди збудженняVD1-VD3 та гальмування VD4 – забезпечують перетворення вхідних оптичних сигналів в фотоструми. Дана схема має оптичні входи (причому кількість оптичних входів досить легко збільшити додавши в схему паралельно нові фотодіоди, або подаючи декілька оптичних потоків на один фотодіод) та потенціальний вихід. Напруга на виході буде визначатися виразами: вих порU U≤ , якщо ( ) 0 t порQ i t dt QΣ= ≤∫ , де 1 1 n m j j j j i i iΣ = = = −∑ ∑ ; вих highU U≥ , якщо ( ) 0 t порQ i t dt QΣ= >∫ . Рис. 3. Оптоелектронний нейрон на С-негатроні N-типу Таким чином дана схема виконує просторове алгебраїчне сумування вхідних сигналів від фотодіодів: сумарний вхідний струм 1 1 n m j j j j i i iΣ = = = −∑ ∑ , де n - кількість фотодіодів збудження, m - кількість фотодіодів гальмування; та часове інтегрування вхідних сигналів: заряд С-негатрона ( ) 0 t Q i t dtΣ= ∫ . КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 8 В програмі Micro-Cap 9 проведемо комп’ютерне моделювання запропонованого нейрону. Дана програма зручна для даного використання, так як в ній є можливість задання нелінійної кулон-вольтної характеристики ємності. Проведений аналіз літератури показав, що на даний час ефект від’ємної ємності спостерігається в різних напівпровідникових структурах в різних умовах (однорідних напівпровідниках [8], гомоструктурах [9], герероструктарах [11], структурах типу метал-напівпровідник [10], аморфних напівпровідникових плівках [12]) та в інших зарядових електрифікованих структурах [13]. Нелінійну кулон-вольтну характеристику, що має ділянку від’ємної диференційної ємності, можна отримати в плівкових конденсаторах з фероелектричним діелектриком [16]. Такі фізичні С-негатрони сумісні з CMOS-технологією виготовлення інтегральних мікросхем. Проте фізичні С-негатрони ще знаходяться на стадії досліджень і відсутні детальні експериментальні дані, які дозволи б розробити математичну модель для саме цих С-негатронів. Тому для комп’ютерного моделювання задамося певними параметрами С-негатрона, що дозволить перевірити працездатність схеми та дослідити її роботу в різних режимах. Для моделювання будемо використовувати С-негатрона N-типу, кулон- вольтну характеристику (рис. 4,а) якого опишемо поліномом 3-го степеня 9 9 2 9 3( ) 8,8 10 4,35 10 0,55 10q u u u u− − − = ⋅ ⋅ − ⋅ ⋅ + ⋅ ⋅ . Для даної характеристики значення порогового заряду порQ = 530пКл, порогової напруги порU = 1,4В, від’ємна диференційна ємність спостерігається в діапазоні напруг U = 1,4…3,9В, максимальне значення від’ємної ємності спостерігається при напрузі CU =2,65В і дорівнює ( ) махС − = -267пФ (рис. 4,б). За умовою роботи С-негатрона N-типу в режимі перемикання необхідно, щоб ( )C Cн < − , тому виберемо значення ємності навантаження нC = 10пФ, при цьому значення напруги високого стану highU ≈5В (рис. 4, а). 0 1 2 3 4 5 6 500 250 0 250 500 750 1000 12 0 1 2 3 4 5 6 0 200 400 600 800 1000 12 q, пКл u, В Qпор Uпор Uhigh C, пФ u, В а) б) Рис. 4. Кулон-вольтна (а) та вольт-фарадна (б) характеристики С-негатрона N-типу На рис. 5 наведена схема для моделювання в програмі Micro-Cap 9. Фотодіоди замінені на генератори струму I1 – I4, R1 відображає опір діелектрика конденсатора навантаження C1, заряд С- негатрона CN заданий виразом Q(CN). ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 9 CN 0.88nV(CN)-.435nV(CN)V(CN)+0.055nV(CN)V(CN)V(CN) C1 10p V1 9 R1 1Meg I1 I2 I3 I4 Q(CN)= Out Рис. 5. Схема нейрона на С-негатроні для моделювання в програмі Micro-Cap 9 На рис. 6 наведена часова діаграма роботи нейрона. Вхідний струм І1=5мА, заряд С-негатрона Q(CN) збільшується по мірі заряду ємності, і в момент часу t = 90,6нс досягає порогового значення порQ = 530пКл, і напруга на виході стрибком змінюється від порU = 1,4В до highU =5В. Час перемикання, за результатами моделювання, становить значно менше 1пс. Проте в схемі не враховані паразитні елементи, що на практиці погіршать швидкодію схеми. Для скиду схеми в початковий стан необхідно подати імпульс струму на вхід гальмування, це розрядить ємність С-негатрона і напруга на виході стане ≈0В. На рис. 7 наведені часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні при подачі імпульсних вхідних сигналів на входи збудження І1, І2, І3. Кожен з цих сигналів заряджає ємність С-негатрона, але заряду окремих сигналів не досить, щоб перевести схему у високий стан. Схема виконує інтегрування вхідних сигналів, і коли сумарний заряд всіх трьох сигналів перевищує пороговий заряд С-негатрона відбувається перемикання схеми. Таким чином нейрон може виконувати логічну функцію «І» бінарної логіки. Для переводу схеми в низький стан на вхід гальмування І4 подається імпульс струму скиду. ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 10 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000m 2.000m 4.000m 6.000m I(I1) (A) T (Secs) 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000p 320.000p 640.000p 960.000p Q(CN) (C) T (Secs) 0.000n 30.000n 90.000n 150.000n 0.000 2.400 4.800 7.200 V(OUT) (V) T (Secs) Micro-Cap 9 Evaluation Version Neuron on C.cir Рис. 6. Часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні: І(І1) – вхідний фотострум сигналу збудження; Q(CN) – заряд С-негатрона; V(OUT) – напруга на виході нейрона 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I1) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I2) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 3.000m 6.000m I(I3) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000m 12.000m 24.000m I(I4) (A) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000p 360.000p 720.000p Q(CN) (C) T (Secs) 0.000n 60.000n 120.000n 240.000n 300.000n 0.000 3.600 7.200 V(OUT) (V) T (Secs) Micro-Cap 9 Evaluation Version Neuron on C.cir Рис. 7. Часові діаграми роботи нейрона на С-негатроні: І(І1), І(І2), І(І3) – вхідні фотоструму сигналів збудження; І(І4) – фотострум сигналу гальмування (сигналу скиду); Q(CN) – заряд С-негатрона; V(OUT) – напруга на виході нейрона ВИСНОВКИ 1. Запропонований оптоелектронний нейронний елемент містить: фотодіод(и) збудження, фотодіод(и) гальмування, конденсатор навантаження, С-негатрон N-типу; і реалізує такі основні функції нейрона: просторове та часове інтегрування (алгебраїчне сумування) вхідних сигналів; порогову функцію активації. На виході нейрона з’являється напруга високого рівня, якщо сумарний вхідний заряд перевищить певний ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 11 поріг, що визначається кулон-вольтною характеристикою С-негатрона N- типу. 2. Даний нейрон може виконувати логічні функції «І», «АБО», «НІ» булевої логіки, працювати як RS-тригер, елемент пам’яті, широтно- імпульсний та фазо-імпульсний модулятори, виконувати функції нейронної логіки над часовими імпульсно-кодованими вхідними сигналами. 3. Перевагою нейронних елементів на С-негатронах є: висока швидкодія (час переключення менше 1пс); схемотехнічна простота (функції інтегрування та активації виконуються одним С-негатроном); технологічна простота (С-негатроном може бути плівковий конденсатор з фероелектричним діелектриком, що сумісний з добре розвинутою CMOS- технологією виготовлення інтегральних мікросхем); здатність підсилювати напругу; мале енергоспоживання (ємність не споживає активну потужність); С-негатрон керується зарядом, що дозволяє працювати не зі струмами та напругами, а безпосередньо з зарядом. ЛІТЕРАТУРА 1. Галушкин А.И. Нейрокомпьютеры. М.: ИПРЖР, 2000. – 528с. 2. Хайкин С. Нейронные сети: полный курс. Neural Networks: A Comprehensive Foundation. — 2-е. — М.: «Вильямс», 2006. — С. 1104. 3. Пат. 6501294 B2 США, МКИ H03K 19/23. Neuron circuit / K. Bernstein, N. J. Rohrer (США). - № 09/842736; Заявл. 26.04.2001; Опубл. 31.12.2002. – 5с. 4. Стафееф В.И., Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Нейристорные и другие функциональные схемы с объемной связью – М.: Радио и связь, 1981. – 112с. 5. В.Ф. Бардаченко , О.К. Колесницький, С.А. Василецький, Таймерні нейронні елементи та структури. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2004. – 126с. 6. Філинюк М.А. Основи негатроніки. Т.1. Теоретичні і фізичні основи негатроніки - УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 456 с. 7. Філинюк М.А. Основи негатроніки. Т.2. Прикладні аспекти негатроніки. - Вінниця:УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 306 с. 8. Пенин Н.А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах // ФТП. - 1996. - Т.30, №4. - С. 626-634. 9. Ershov M., Liu H.C., Li. L., Buchanan M., Wasilevski Z.R., Jonscher A.K. Negative capacitance effect in semiconductor devices // IEEE Trans. On Electron Devices. – 1998. – Vol. 45, №10. – P. 2196-2203. 10. Wu X., Yang E.S., Evans H.L. Negative capacitance at metal-semiconductor interfaces // J. Apll. Phys. - 1990. - Vol. 68, №6. - P. 2845-2848. 11. Болтаев А.П., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Рзаев М.М., Пенин Н.А., Сибельдин Н.Н. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния // Известия академии наук. Серия физи-ческая. - 1999. - №2. - С. 312-318. 12. Абдулаев А.Г., Ветхов В.А., Касимов Ф.Д. и др. Отрицательная емкость в локально выращенных пленках поликристалического кремния // Электронная техника, Сер. 3. Микроэлектроника. - 1985. - Т.116, Вып. 4. - С.21-25. 13. Partenskii M.B., Dorman V. L., Jordan P. C.. The question of negative capacitance and its relation to instabilities and phase transitions at electrified interfaces // Int. Rev. Phys. Chem. - 1996. – No. 11, 153. - P.153–181. 14. Anup P. Jose, Kenneth L. Shepard. Distributed Loss-Compensation Techniques for Energy-Efficient Low-Latency On-Chip Communication // IEEE Journal of Solid-State Circuits. – 2007. - Vol. 42, No. 6. – P. 1415 – 1424. 15. Kolev Svilen, Delacressonniere Bruno, Gautier Jean-Luc. Using a negative capacitance to increase the tuning range of a varactor diode in MMIC technology // IEEE Trans. on Microwave Theory and ПРИНЦИПОВІ КОНЦЕПЦІЇ ТА СТРУКТУРУВАННЯ РІЗНИХ РІВНІВ ОСВІТИ З ОПТИКО-ЕЛЕКТРОННИХ ІНФОРМАЦІЙНО- ЕНЕРГЕТИЧНИХ ТЕХНОЛОГІЙ 12 Techniques. - 2007, Vol. 49, No12. - P. 2425-2430. 16. Victor V. Zhirnov and Ralph K. Cavin. Negative capacitance to the rescue? // Nature Nanotechnology. – 2008. - Vol. 3. – P. 77 – 78. Надійшла до редакції 05.10.2008р. ЛАЗАРЄВ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСАНДРОВИЧ – к.т.н., старший викладач кафедри проектування комп’ютерної та телекомунікаційної техніки ВНТУ,E-mail: LaAlex@mail.ru. ФІЛИНЮК МИКОЛА АНТОНОВИЧ – д.т.н., професор, завідувач кафедри проектування комп’ютерної та телекомунікаційної техніки ВНТУ, (0432) 59-80-75, E-mail: Filinyuk@vstu.vinnica.ua. БАСЮК ТАРАС ВОЛОДИМИРОВИЧ – студент 5-го курсу факультету МБЕП інституту РТЗП ВНТУ.

Оптоелектронний нейронний елемент на С-негатроні

Репозитарії

Схожі ресурси