Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання

Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного ча...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Осадчук, О.В., Семенов, А.О., Задорожний, В.К.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32239
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання / О.В. Осадчук, А.О. Семенов, В.К. Задорожний // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 187-192. — Бібліогр.: 4 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Одержано співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення.