Вакив, Н., Круковский, С., Сукач, А., Тетёркин, В., Мрыхин, И., Михащук, Ю., & Круковский, Р. (2012). Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Вакив, Н.М, С.И Круковский, А.В Сукач, В.В Тетёркин, И.А Мрыхин, Ю.С Михащук, та Р.С Круковский. Свойства двойных гетеропереходов P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Вакив, Н.М, et al. Свойства двойных гетеропереходов P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.