Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI - Старжинский, Н.Г.; Гринёв, Б.В.; Рыжиков, В.Д.; Малюкин, Ю.В.; Жуков, А.В.; Сидлецкий, О.Ц.; Зеня, И.М.; Лалаянц, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения.