Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» - Матюшин, В.М.; Жавжаров, Е.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устрой