Технология изготовления контактов к карбиду кремния - Кудрик, Я.Я.; Бигу, Р.И.; Кудрик, Р.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4Н, 6Н, 3С, 15R, 21R.