Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин - Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Литовченко, П.Г.; Павловская, Н.Т.; Павловский, Ю.В.; Цмоць, В.М.; Поварчук, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.