Индуктивный негасенсор
Введение L-негатрона в схему индуктивного мостового сенсора позволяет повысить его чувствительность в три раза.
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51817 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Индуктивный негасенсор / Е.В. Войцеховская, Л.Б. Лищинская, А.А. Лазарев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 20-22. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |